删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
极低电压极低功耗的锁相环时钟生成器
本站小编 Free考研考试/2022-01-01
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室的张钊研究员研制出一款极低电压极低功耗的锁相环时钟生成器(Phase Locked Loop),首次实现了工作电压低至0.25-V且频率超过100 MHz的PLL,并且功耗效率首次达到9.5 μW/GHz。相关研究成果以题目为 “A 0.25–0.4-V, Sub-0.11-mW/GHz, 0.15–1.6-GHz PLL Using an Offset Dual-Path Architecture With Dynamic Charge Pumps”的论文发表在集成电路芯片设计领域的顶级学术期刊IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC)上。该论文由中国科学院半导体研究所与香港科技大学合作发表,张钊是这篇论文的第一作者和通讯作者。
锁相环时钟生成器是各类片上系统(System-on-chip)中的关键模块/子系统,其主要目的为生成满足各类系统需求的高质量时钟信号,让SoC中的各个子系统能够正确协同工作。是各类SoC芯片中的“心脏”,其功耗通常较高。在无线传感器节点中,为了提高设备的电池待机时间,甚至为了满足环境能量收集这类自供电方式的需求,通常需要工作在极低电源电压下(<0.4 V),且消耗极低功耗。这对用于该类应用的PLL设计提出了新的挑战。
传统PLL中的关键模块电荷泵(Charge Pump, CP)需要有较好的电流匹配度来降低输出时钟杂散,而较好的CP电流匹配度需要较高的CP输出阻抗来保证;这通常需要通过提高电源电压来保证足够高的MOS管漏源电压(VDS)来实现;因此,传统PLL所需工作电压较高(之前已报道的PLL工作电压≥0.4 V),需要用到升压变换器来生成PLL所需电源电压,不仅PLL功耗大,而且升压变换器会引入额外的能量损耗。
而本文提出的静态相位差容忍型双环路PLL结构(Offset Dual-Path Loop Architecture),可以降低PLL对其CP电流匹配度要求,让PLL在CP电流严重失配的前提下依然能够生成参考杂散(reference spur)满足需求的时钟,从而降低CP的设计难度,进而降低CP以及整个PLL的所需电压至0.4 V以下(最低达到0.25 V),且避免使用升压变化器,并最终达到降低PLL工作电压与功耗的目的。此外,还提出了动态CP(Dynamic Charge Pump)电路技术,去掉传统CP中所有消耗静态功耗的电路,进一步降低PLL的功耗。
该工作为用于无线传感器节点的SoC芯片提供了极低电压极低功耗时钟/无线载波生成器解决方案,能有效满足无线传感器节点超长待机时间或自供电需求。
图1. 传统PLL优缺点总结
图2. 提出的极低电压及低功耗的锁相环时钟生成器框图及其芯片照片
图3. 芯片主要测试结果:(a)工作电压、频率范围与功耗效率;(b)不同电压下功耗值;(c)不同电源电压下输出时钟抖动。
论文链接:https://ieeexplore.ieee.org/document/9226441
相关话题/电压 工作 半导体 设计 论文
超宽禁带氮化物半导体材料高效p型掺杂
超宽禁带氮化物由于其可调谐直接带隙、高击穿场强、优异的化学和热稳定性,在高效深紫外照明和探测、高频和大功率电子器件等领域具备极大的应用潜力。通过掺杂来调节半导体材料的导电特性,实现n型或p型导电,对于光电子或微电子器件的应用至关重要。然而,目前超宽禁带氮化物的p型掺杂效率普遍低下,成为其实现高性能器 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01纳米自组装半导体超晶格电子-声子强相互作用与自陷态辐射
国家纳米科学中心刘新风课题组与唐智勇课题组在自陷态复辐射机制的研究中取得重要进展。研究成果以“胶体硒化镉纳米片中纵声学声子折叠模式诱导的自陷态辐射(Zone-Folded Longitudinal Acoustic Phonons Driving Self-Trapped State Emissio ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01二维半导体单晶晶圆的可控制备
二维层状半导体材料在具有几个原子层厚度的同时能够保持较高载流子迁移率,因而成为抑制短沟道效应、进一步缩小晶体管尺寸的重要备选材料。然而,目前制备大面积二维半导体薄膜的方法大多采用不同成核点成核、晶畴生长拼接而成。这种方法会在晶畴之间形成晶界,而且不能保证半导体薄膜100%的覆盖率,从而限制了基于这类 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01复旦大学微电子学院团队基于晶圆级二维半导体实现存算融合器件突破
集成电路技术发展已经进入后摩尔时代,具有原子级厚度的新型二维半导体材料已受到了半导体机构与企业关注,并被认为将在下一代集成电路中发挥重要作用。目前产业应用主要的困难聚焦于晶圆级二维材料的获得和集成电路工艺的开发。此外,随着人工智能的不断发展,迫切需要更强大的算力来完成巨量的计算。将运算器和存储器组合 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01全光刻有机电子学关键材料 | 复旦高分子科学系魏大程团队研发半导体性光刻胶
光刻是一种高精度制造技术,广泛应用于半导体行业。基于光刻的硅基电子制造工艺已达到5纳米技术节点,单颗芯片上晶体管数量已达百亿级。通过光刻加工有机电路所有部件(如有机半导体、电介质和导体)的全光刻工艺方案无疑是推进有机电子学微型化和高密度集成的有效手段。目前,全光刻有机电子学取得的进展有限,主要受限于 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01东南大学娄永兵教授团队在半导体等离子激元研究方面取得新进展
【东大新闻网5月27日电】(通讯员 娄永兵)近日,东南大学化学化工学院娄永兵教授团队在半导体等离子激元研究方面取得新进展。相关研究成果以“Cu?Sb?S Ternary Semiconductor Nanoparticle Plasmonics”为题,在线发表于国际著名期刊《Nano Letters ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01低维半导体材料点缺陷特性
低维半导体材料具有独特的载流子输运性质及各向异性的结构特点,在光电子器件及催化领域具有重要的应用。近年来,以硒硫化锑为代表的低维半导体材料因其合适的带隙、稳定的化学性质等被认为是极具潜能的一种新兴太阳能电池材料。目前其光电转换效率已经突破10%,意味着该材料具有重要的开发价值。点缺陷工程对于半导体材 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01波导外腔窄线宽半导体激光器
随着大数据、云计算、物联网、移动互联网、人工智能、人机交互为代表的信息时代到来,人类对信息传输、处理和感知的容量、速度、距离、灵敏度和分辨率提出了前所未有的迫切需求。基于相干探测原理的光纤通信、激光通信、分布式光纤传感和调频连续波激光雷达等渐进入涉及国计民生信息传输处理感知的方方面面。窄线宽激光器是 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01基于12nm Fin-FET CMOS工艺下高精度低供电温度传感器模拟前端电路设计
温度传感器广泛应用于高性能处理器片上功耗控制系统的温度检测。随着高性能处理器所采用的数字工艺不断进步,已经由平面硅工艺进入了立体Fin-FET纳米工艺时代。纳米晶体管尺寸过小带来的工艺偏差以及由于立体栅的二次刻蚀引入的相邻晶体管的偏差使得模拟前端的的电流镜偏差过大,这直接影响到模拟前端探测到的代表温 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01中国科大在微波谐振腔探测半导体量子芯片上取得重要进展
我校郭光灿院士团队在微波谐振腔探测半导体量子芯片上取得重要进展。该团队郭国平、曹刚等人与本源量子计算有限公司合作,利用微波超导谐振腔实现了对半导体双量子点的激发能谱测量。相关研究成果以“Microwave-resonator-detected excited-state spectroscopy”为 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01