有鉴于此,中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室沈国震研究员课题组设计了一种简单而通用的柔性偏振敏感放大系统(PSAS)来提高低维半导体材料的各向异性光电流比。研究人员将C8-BTBT/ PS型有机场效应晶体管(OFET)集成到偏敏Bi2Se2S纳米线光电探测器中,构建了偏振敏感放大系统,实现了偏振灵敏度几个数量级的提升。特别是在532 nm光照射下,该系统能将器件的各向异性光电流比从1.24增加到375。作为概念验证,研究人员将系统与相应电路连接,展示了偏振光信息的传输,并使用综合检测系统实现了偏振光信息的数字输出和信息伪装。该成果以“Integrated polarization-sensitive amplification system for digital information transmission”为题发表在Nature Communications (2021,12, 6476)上。

图1. 柔性集成偏振敏感放大系统与传统偏振系统的比较