刘兴昉，男，博士，副研究员，硕士生导师。
1999年毕业于中南大学材料系，获工学学士学位，2004年毕业于中南大学粉冶所，获工学硕士学位，2007年毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。多年来一直从事碳化硅半导体的研究，工作内容包括碳化硅生长设备研制、碳化硅外延材料生长、材料表征、物理性能及相关器件研究，主持多项课题研究工作，获得北京市产品质量创新成果奖一项，在国内外学术期刊上发表研究论文40余篇，获得国家授权专利8项。
主要研究领域及方向：
碳化硅半导体、石墨烯及相关设备研究开发
联系方式：
E-mail：liuxf@mail.semi.ac.cn；电话：。
主持课题研究：
4H/3C/6H碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究，国家自然科学基金，2016.1-2019.12
SiCIGBT外延缺陷转化机理及控制技术研究，国家重点专项子课题，2018.7-2021.6
4H碳化硅PNPN自支撑复合膜的HTCVD生长研究，国家自然科学基金，2013.1-2016.12
用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究，北京市自然科学基金，2013.1-2015.12
国产6英寸碳化硅外延材料制备技术研究，北京市科技计划，2016.1-2017.12
外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究，中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目，2008.10-2010.11
先进功率半导体材料与器件研究，企业攻关项目，2010.5-2012.6
参与课题研究：
基于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究，国家重点专项课题，2016.7-2021.6
分布式智能电网关键技术研究，中国科学院知识创新工程，2009.10-2012.9
半绝缘碳化硅基外延材料及功率器件研究，北京市科委项目，2009.7-2010.8
大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统，中国科学院重大科研装备项目，2007.10-2009.9
代表性论文：
Liu,X.F.*;Yan,G.G.;Shen,Z.W.;Wen,Z.X.;Chen,J.;He,Y.W.;Zhao,W.S.;Wang,L.;Guan,M.;Zhang,F.;Sun,G.S.;Zeng,Y.P.Homoepitaxialgrowthofmultiple4H-SiCwafersassembledinasimpleholderviaconventionalchemicalvapordeposition.JournalofCrystalGrowth2019,507,283-287.
Liu,X.F.*;Yan,G.G.;Liu,B.;Shen,Z.W.;Wen,Z.X.;Chen,J.;Zhao,W.S.;Wang,L.;Zhang,F.;Sun,G.S.;Zeng,Y.P.Processoptimizationforhomoepitaxialgrowthofthick4H-SiCfilmsviahydrogenchloridechemicalvapordeposition.JournalofCrystalGrowth2018,504,7-12.
Liu,X.F.*;Yan,G.G.;Shen,Z.W.;Wen,Z.X.;Tian,L.X.;Zhao,W.S.;Wang,L.;Guan,M.;Zhang,F.;Sun,G.S.;Zeng,Y.P.AFacileMethodforHeteroepitaxialGrowthofHomogeneous3C-SiCThinFilmsonBothSurfacesofSuspendedSiWaferbyConventionalChemicalVaporDeposition.ECSJournalofSolidStateScienceandTechnology2017,6,P27-P31.
Liu,X.F.*;Chen,Y.;Sun,C.Z.;Guan,M.;Zhang,Y.;Zhang,F.;Sun,G.S.;Zeng,Y.P.SurfaceEvolutionofNano-Textured4H-SiCHomoepitaxialLayersafterHighTemperatureTreatments:MorphologyCharacterizationandGrapheneGrowth.Nanomaterials2015,5,1532-1543.
Liu,X.F.*;Sun,G.S.;Liu,B.;Yan,G.G.;Guan,M.;Zhang,Y.;Zhang,F.;Chen,Y.;Dong,L.;Zheng,L.;Liu,S.B.;Tian,L.X.;Wang,L.;Zhao,W.S.;Zeng,Y.P.GrowthofHexagonalColumnarNanograinStructuredSiCThinFilmsonSiliconSubstrateswithGraphene-GraphiticCarbonNanoflakesTemplatesfromSolidCarbonSources.Materials2013,6,1543-1553.
Liu,X.-F.*;Sun,G.-S.;Liu,B.;Yan,G.-G.;Guan,M.;Zhang,Y.;Zhang,F.;Dong,L.;Zheng,L.;Liu,S.-B.;Tian,L.-X.;Wang,L.;Zhao,W.-S.;Zeng,Y.-P.SurfacesaturationcontrolontheformationofwurtzitepolytypesinzincblendeSiCnanofilmsgrownonSi-(100)substrates.ChinesePhysicsB2013,22,086802.
Liu,B.;Sun,G.-S.;Liu,X.-F.*;Zhang,F.;Dong,L.;Zheng,L.;Yan,G.-G.;Liu,S.-B.;Zhao,W.-S.;Wang,L.;Zeng,Y.-P.;Li,X.-G.;Wang,Z.-G.;Yang,F.FastHomoepitaxialGrowthof4H-SiCFilmson4degreesoff-AxisSubstratesinaSiH4-C2H4-H2System.ChinesePhysicsLetters2013,30,128101.
刘兴昉*，闫果果，等，P型阶梯掺杂4H-SiC多层薄膜同质外延生长研究，智能电网，2017,5(8):752-756.
授权专利：
刘兴昉，刘斌，等，一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法，专利号：3.7，授权日期：2018.04.20
刘兴昉，刘斌，等，碳化硅外延层区域掺杂的方法，发明，专利号：6.0，授权日期：2017.10.24
刘兴昉，刘斌，等，用于碳化硅生长的高温装置及方法，发明，专利号：2.X，授权日期：2017.10.27
刘兴昉，刘斌，等，一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，发明，专利号：2，授权日期：2016.03.02
刘兴昉，郑柳，等，连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，发明，专利号：4.7，授权日期：2013.09.18
刘兴昉，董林，等，HTCVD法碳化硅晶体生长装置，发明，专利号：0.8，授权日期：2013.06.12
刘兴昉，孙国胜，等，用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法，发明，专利号：9，授权日期：2009.07.15
刘兴昉，孙国胜，等，一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法，发明，专利号：7，授权日期：2011.05.25