汪连山，男，博士，研究员，博士生导师。
1999年2月毕业于中国科学院半导体研究所，获半导体材料工学博士学位。1998年8月至1999年8月在香港理工大学电子信息工程系做访问****，主要研究AlGaN/GaN紫外探测器。1999年10月至2006年10月在新加坡材料研究与工程研究院（IMRE）工作，任职ResearchScientist,主要研究宽带隙氮化物半导体材料与器件,先后实现了GaN基蓝光、绿光及紫外光发光二极管,并与日本富士通量子器件(FujistuQuantumDevice)公司合作率先研制成功InGaN蓝光激光器。2006年10月至2011年8月为华中科技大学武汉光电国家实验室（筹）教授,主要从事半极性面氮化镓材料、图形衬底制备技术、ZnO纳米结构制备技术等研究工作，其中，2009年2月至7月在英国巴斯大学电子电机工程系做访问教授，主要研究GaN体衬底HVPE制备和自分离技术。2011年9月至2013年4月为中国科学院半导体研究所半导体照明中心研究员，主要从事基于金属基板和表面光子晶体的高效大功率LED芯片研发及产业化。2013年5月内调至半导体材料科学重点实验室，主要从事半极性、非极性氮化物半导体材料与器件、纳米材料与器件以及和新型太阳能电池制备技术研究。迄今发表学术论文120多篇，累计引用750余次，取得发明专利15项，并受邀为AppliedPhysicsLetters、IEEEPhotonicsTechnologyLetters、ElectrochemicalSociety(ECS)JournalofSolid-StateScienceandTechnology、ElectrochemicalandSolidStateLetters、MaterialsScienceandEngineeringB、AppliedSurfaceScience、CrystalResearch&Technology、PhysicaStatusSolidi(a)、ScienceChina、《光学学报》、《中国科学》、《发光学报》等期刊论文评审人和广东省科技咨询及产学研项目评审专家。
主要研究领域或方向：
氮化物半导体材料、器件与应用
纳米结构材料制备技术与应用
新型太阳能电池制备技术与应用
联系方式：
电话：
电子邮箱:ls-wang@semi.ac.cn
网页：http://people.ucas.ac.cn/~wls**
在研/已完成项科研目：
国家自然科学基金面上项目“半极性GaN基黄橙光材料研究”(2018.01-2021.12,直接经费63万元)
国家重大科研仪器研制项目“薄膜生长缺陷跨时空尺度原位/实时监测与调控实验装置”(2018.01-2022.12,经费634.55万元)
科技部重大科技专项项目“第三代半导体核心关键设备－第三课题“面向大尺寸AlN单晶的PVT和高温HVPE设备研制”(2017.07-2020.12,经费82.8万元)
南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心开放课题“硅衬底非/半极性GaN材料研究”(2017.09-2019.08,经费100万元)
广东省重大科技专项“面向可见光通信的宽带高效LED器件核心技术研究”(2015.01-2017.12,经费100万元)
国家高新技术研究发展计划(863计划)“新一代移动通信基站氮化镓射频功率放大器”(2015.01-2017.12,经费95万元)
国家高新技术研究发展计划项目(863计划)“面向新型绿光器件的高In组分氮化物材料的生长技术研究”(2014.01-2016.12,经费139.5万元)
广东省中国科学院全面战略合作(省院产学研)项目“大尺寸图形衬底制备技术与工艺验证”(2014.10-2016.12,经费25万元)
国家自然科学基金面上项目“半极性面偏振光LED外延技术及性能研究”(2013.01-2016.12，经费80万元)
广东省战略新兴产业LED项目“基于电镀镍金属基板和表面光子晶体结构的高效大功率LED芯片研发及产业化”(2013.01-2015-06,经费240万元)
973项目“MOCVD新型反应腔设计、LED缺陷抑制和量子效率调控”(2014.01-2018.08,经费520万元)
863项目“基于图形衬底的高效白光LED外延芯片产业化制备技术研究”(2011.01-2013.12,经费91.7万元)
国家科学基金面上项目“半极性小面InGaN量子阱结构生长与多色光合成研究”(2008.1-2010.12,经费30万元)
湖北省科技专项项目“GaN基LED外延片的生长技术及其大功率芯片的研究及产业化(2008.1-2010.12,经费500万元)
代表性论著：
YulinMeng,LianshanWang,*GuijuanZhao,FangzhengLi,HuijieLi,ShaoyanYang,andZhanguoWang,“RedEmissionofInGaN/GaNMultiple-Quantum-WellLight-EmittingDiodeStructuresWithIndium-RichClusters”,Phys.StatusSolidiA215(23),**(2018)
LianshanWang*,GuijuanZhao,YulinMeng,HuijieLi,ShaoyanYang,ZhanguoWang,“Comparativeinvestigationofsemiploar(11-22)GaNlayersonmplanesapphirewithdifferentnucleationlayers”,JournalofNanoscienceandNanotechnology,18,7446(2018)
FangzhengLi,LianshanWang*,GuijuanZhao,YulinMeng,HuijieLi,YananChen,ShaoyanYang,PengJin,andZhanguoWang,“TheResidualStressandAlIncorporationofAlGaNEpilayersbyMetalorganicChemicalVaporDeposition”,JournalofNanoscienceandNanotechnology,18,7484(2018)
GuijuanZhao,HuijieLi,LianshanWang,YulinMeng,FangzhengLi,HongyuanWei,ShaoyanYangandZhanguoWang,“Measurementofsemipolar(11-22)planeAlN/GaNHeterojunctionBandOffsetsbyX-RayPhotoelectronSpectroscopy”,AppliedPhysicsA:MaterialsScience&Processing,124(2)，130(2018)
GuijuanZhao,LianshanWang*,HuijieLi,YulinMeng,FangzhengLi,ShaoyanYang,ZhanguoWang,“StructuralandOpticalPropertiesofSemi-polar(11-22)InGaN/GaNGreenLight-EmittingDiodeStructure”,submittedtoAppl.Phys.Lett.112,052105(2018)
FangzhengLi,LianshanWang,GuijuanZhao,YulinMeng,HuijieLi,ShaoyanYang,ZhanguoWang,“PerformanceenhancementofAlGaN-basedultravioletlight-emittingdiodesbyinsertingthelastquantumwellintoelectronblockinglayer”,SuperlatticesandMicrostructures,110C(2017)324-329(通讯作者)
GuijuanZhao,HuijieLi,LianshanWang*,YulinMeng,ZeshengJi,FangzhengLi,HongyuanWei,ShaoyanYang,ZhanguoWang,“Anisotropicallybiaxialstraininnon-polar(112–0)planeInxGa1?xN/GaNlayersinvestigatedbyX-rayreciprocalspacemapping”,ScientificReports,7,4497-(2017)
ZeshengJi,LianshanWang*,GuijuanZhao,Yulin,Meng,FangzhengLi,Huijie,Li,Shaoyan,Yang,ZhanguoWang,“GrowthandcharacterizationofAlNepilayersusingpulsedmetalorganicchemicalvapordeposition”,ChinesePhysicsB26,078102,(2017)
HuijieLi,GuijuanZhao,LianshanWang,ZhenChenandShaoyanYang,“MorphologyControlledFabricationofInNNanowiresonBrassSubstrates”,Nanomaterials,6(11),195-1-14,(2016)
HuijieLi,GuijuanZhao,HongyuanWei,LianshanWang,ZhenChenandShaoyanYang,“GrowthofWell-AlignedInNNanorodsonAmorphousGlassSubstrates”,NanoscaleResearchLetters11(1),270-1-7(2016)
GuijuanZhao,XiaoqingXu,HuijieLi,HongyuanWei,DongyueHan,ZeshengJi,YulinMeng,LianshanWang&ShaoyanYang,“TheimmiscibilityofInAlNternaryalloy”,ScientificReports,6,26600-1-6(2016)
Dong-YueHan(韩东岳),Hui-JieLi(李辉杰),Gui-JuanZhao(赵桂娟),Hong-YuanWei(魏鸿源),Shao-YanYang(杨少延),andLian-ShanWang(汪连山),“AluminumincorporationefficienciesinA-andC-planeAlGaNgrownbyMOVPE”,ChinesePhysicsB25(4),048105-1-6(2016)
GuijuanZhao,LianshanWang*,ShaoyanYang,HuijieLi,HongyuanWei,DongyueHan,andZhanguoWang“Anisotropicstructuralandopticalpropertiesofsemi-polar(11-22)GaNgrownonm-planesapphireusingdoubleAlNbufferlayers”,ScientificReports,6,20787-1-10(2016)
HuijieLi;GuijuanZhao,SusuKong,DongyueHan,HongyuanWei,LianshanWang,ZhenChen,ShaoyanYang,“Morphologyandcompositioncontrolledgrowthofpolarc-axisandnonpolarm-axiswell-alignedternaryIII-nitridenanotubearrays”,Nanoscale,7(39),pp16481-16492(2015)
HuijieLi,GuipengLiu,GuijuanZhao,HongyuanWei,LianshanWang,ShaoyanYang,ZhenChen,ZhanguoWang,“TheoreticalstudyoftheanisotropicelectronscatteringbystepsinvicinalAlGaN/GaNheterostructures”,PhysicaE,66,116–119(2015)
WangJian-Xia(王建霞),WangLian-Shan*(汪连山),ZhangQian(张谦)，MengXiang-Yue（孟祥岳），YangShao-Yan(杨少延),ZhaoGui-Juan(赵桂娟),LiHui-Jie(李辉杰),WeiHong-Yuan(魏鸿源)，andWangZhan-Guo(王占国),“theEffectofthethicknessofInGaNinterlayeronthea-planeGaNepilayers”,ChinesePhysicsB24(2),026802-1-5(2015)
SusuKong,HongyuanWei,ShaoyanYang,HuijieLi,YuxiaFeng,ZhenChen,XianglinLiu,LianshanWangandZhanguoWang,“Morphologyandstructurecontrolledgrowthofone-dimensionalAlNnanorodarraysbyhydridevaporphaseepitaxy”,RSCAdv.4(97),54902-54906(2014)
YuxiaFeng,HongyuanWei,ShaoyanYang,ZhenChen,LianshanWang,SusuKong,GuijuanZhao,XianglinLiu,“CompetitivegrowthmechanismsofAlNonSi(111)byMOVPE”,Scientificreports4,6416-1-5(2014)
HuijieLi,GuijuanZhao,GuipengLiu,HongyuanWei,ChunmeiJiao,ShaoyanYang,LianshanWang,andQinshengZhu,“StudyoftheonedimensionalelectrongasarraysconfinedbystepsinvicinalGaN/AlGaNheterointerfaces”,JournalofAppliedPhysics115(19),193704(2014)-1-5
HuijieLi,ChangboLiu,GuipengLiu,Hongyuanwei,ChunmeiJiao,JianxiaWang,HengZhang,DongdongJin,YuxiaFeng,ShaoyanYang,LianshanWang,QinshengZhu,Zhan-GuoWang,“Single-crystallineGaNnanotubearraysgrownonc-Al2O3substratesusingInNnanorodsastemplates”,J.CrystalGrowth,389,1–4(2014)
WangJian-Xia(王建霞),YangShao-Yan(杨少延),WangLian-Shan*(汪连山),LiHui-Jie(李辉杰),ZhangGui-Juan(赵桂娟),ZhangHeng(张恒),WeiHong-Yuan(魏鸿源),JiaoChun-Mei(焦春美),ZhuQin-Sheng(朱勤生),andWangZhan-Guo(王占国),“EffectsofV/IIIratioona-planeGaNepilayerswithanInGaNinterlayer”,ChinesePhysicsB23(2),026801(2014)
Dong-DongJin,Lian-shanWang*,Shao-YanYang,Liu-WanZhang,Hui-jieLi,HengZhang,Jian-xiaWang,Ruo-feiXiang,Hong-yuanWei,Chun-meiJiao,Xiang-LinLiu,Qin-ShengZhu,andZhan-GuoWang,“Anisotropicscatteringeffectoftheinclinedmisfitdislocationonthetwo-dimensionalelectrongasinAl(In)GaN/GaNheterostructures”,JournalofAppliedPhysics,115(4),043702-1-4(2014)
HuijieLi,GuipengLiu,HongyuanWei,ChunmeiJiao,JianxiaWang,HengZhang,DongDongJin,YuxiaFeng,ShaoyanYang,LianshanWang,QinshengZhu,andZhan-GuoWang,“ScatteringduetoSchottkybarrierheightspatialfluctuationontwodimensionalelectrongasinAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistors”,AppliedPhysicsLetters,103(23),232109-1-4(2013)