王国宏，男，博士，研究员，博士生导师。
　　1964年出生，1998年于中国科学院半导体研究所取得工学博士学位，1998年至今半导体研究所工作，历任光电子器件国家工程中心副主任、中科院半导体照明研发中心副主任，半导体所所长助理；兼任扬州中科半导体照明有限公司总经理。
　　取得的重要科研成果和所获奖励：
　　从事半导体发光管二极管、激光器、探测器等光电子器件材料的MOCVD生长、工艺开发及工程化研究,作为访问****先后访问德国亚深工业大学、日本名古屋工业大学和名城大学。负责承担过多项863、973项目，完成项目“高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术”，并在“扬州中科半导体照明有限公司”实现产业化，发光效率大于150lm/W，2013年销售近3亿元。
　　相关研究获得了2012年度北京市科学技术一等奖。参与完成的项目“低热阻高光效蓝宝石基GaNLED材料外延及芯片技术”获2014年度国家科学技术发明奖。在国内外学术刊物和会议上发表论文90余篇，申请80多项国家发明专利，其中授权20余项。培养指导博士研究生14名，硕士研究生9名。
　　主要研究领域或方向：
　　微电子和固体电子学、光电子学。
　　联系方式：
　　E-mail:ghwang@semi.ac.cn；Tel:
　　在研/完成项目：
　　1.晶显示背光源用LED外延和芯片工艺技术（江苏省成果转化）；
　　2.GaN基LED关键技术研发及产业化（国家发改委）;
　　3.半导体照明柔性平台建设（863重大项目，已完成）。
　　代表性论文或著作：
　　1.TwoDistinctCarrierLocalizationinGreenLight-emittingDiodeswithInGaN/GaNMultipleQuantumWells，J.Appl.Phys.115,083112(2014)
　　2.EnhancingtheperformanceofgreenGaN-basedlight-emittingdiodeswithgradedsuperlatticeAlGaN/GaNinsertinglayer，Appl.Phys.Lett.103,102104(2013)
　　3.EnhancedperformanceofGaNbasedlight-emittingdiodeswithalowtemperaturep-GaNholeinjectionlayer，Appl.Phys.Lett.,102,011105(2013)
　　4.HexagonalPyramidsArraymicroverticalLightEmittingDiodesbyN-polarWetEtching，OpticsExpress,Vol.21,No.3.3457(2013)
　　5.PyramidArrayInGaN/GaNcore-ShellLightEmittingDiodeswithHomogeneousMultilayerGrapheneElectrodes，AppliedPhysicsExpress6(2013)072102
　　6.QuantumEfficiencyEnhancementof530nmInGaNGreenLight-EmittingDiodeswithShallowQuantumWell，Appl.Phys.Express,6,05210(2013)
　　7.AnalysisModelforEfficiencyDroopofInGaNLight-EmittingDiodesBasedonReducedEffectiveVolumeofActiveRegionbyCarrierLocalization，Appl.Phys.Express,6,09210(2013)
　　8.Phosphor-Free,Color-tunableMonolithicInGaNLight-EmittingDiodes，AppliedPhysicsExpress,6,102103(2013)
　　9.Shapedesigningforlightextractionenhancementbulk-GaNlight-emittingdiodes，J.Appl.Phys.113,(2013)
　　10.Improvedtransportpropertiesofgraphene/GaNjunctionsinGaN-basedverticallightemittingdiodesbyaciddoping，RSCAdvances,2013,3,3359