张新惠，女，博士，研究员，博士生导师。
　　1997年8月在中国科学院物理研究所获理学博士学位。1997年至2005年先后在瑞典隆德大学（LundUniversity，Sweden），美国威廉-玛丽学院(TheCollegeofWilliam&Mary,USA),美国俄克拉荷马大学(UniversityofOklahoma,USA)，以及加拿大蒙可顿大学(UnviersityofMoncton,Canada)做博士后与助理研究员工作。2006年1月到中科院半导体所超晶格国家重点实验室工作。
　　一直从事低维半导体纳米材料的线性与非线性红外激光光谱以及飞秒(皮秒)超快动力学光谱的实验研究工作。近年来着重于半导体自旋电子学及器件（Spintronics）领域的研究,对磁性及非磁性半导体纳米材料在自旋电子器件领域的应用进行相关材料与物理的基础实验研究。
　　主要研究方向：
　　1）半导体量子结构中电子与自旋的超快激发与弛豫动力学过程及其调控的基础物理研究;
　　2)铁磁薄膜及其与半导体异质结微纳结构中集体自旋的超快激发与磁化动力学过程研究；
　　3）新型低维半导体量子结构的光学非线性响应研究。
　　目前在研课题：
　　1、国家自然基金重大项目，批准号**,“InAs/GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究”：2013/01-2017/12，550万元，在研，主持第三子课题。
　　2、国家自然基金面上项目，批准号**,“半导体二维电子体系自旋退相干与自旋输运实验研究:自旋－轨道耦合效应”,2013/01-2016/12，93万元，在研，主持。
　　3、“973”国家重点基础研究发展计划，批准号2011CB922201，“半导体及其金属复合微纳结构中光电耦合动力学过程和光诱导集体激发的调控”，2011/01－2015/12，610万元，在研，主持第一子课题。
　　4、“973”国家重点基础研究发展计划,批准号2013CB922303,“基于铁磁体/半导体异质结构的自旋量子器件”,2013/01-2017/12,120万，在研，参加。
　　欢迎硕士生/博士生报考，也欢迎相关领域的博士后加入本课题组工作。
　　联系方式：
　　通讯地址：北京市清华东路甲35号半导体所超晶格室（邮编：100083）
　　电话：；E-mail:xinhuiz@semi.ac.cn
　　代表性论著：
　　[1]HanYue,ChunboZhao,HaixiaGao,HailongWang,XuezheYu,JianhuaZhao,XinhuiZhang*“ElectronspindynamicsofferromagneticGa1-xMnxAsacrosstheinsulator-to-metaltransition”AppliedPhysicsLetters102,102412(2013)
　　[2]ChunboZhao,TengfeiYan,HaiqiaoNi,ZhichuanNiu,andX.H.Zhang*,“Electronspindynamicsstudyofbulkp-GaAs:Thescreeningeffect”AppliedPhysicsLetters102,012406(2013)
　　[3]X.G.WuandX.H.Zhang,“CyclotronresonanceandintersubbandtransitionsinsymmetricInSb/AlInSbquantumwellswithaperpendicularmagneticfield”JournalofAppliedPhysics,111,023716(2012)
　　[4]Y.Gong,A.RKutayiah,X.H.Zhang,J.H.Zhao,andY.H.Ren,“Non-thermalexcitationandcontrolofmagnetizationinFe/GaAsfilmbyultrafastlaserpulses”，JournalofAppliedPhysics,111,07D505(2012)
　　[5]L.F.Han,Y.G.Zhu,X.H.Zhang*,P.H.Tan,H.Q.NiandZ.C.Niu,“TemperatureandElectronDensityDependenceofSpinRelaxationinGaAs/AlGaAsQuantumWell”,NanoscaleResearchLetters6,84(2011)
　　[6]X.Huang,X.H.Zhang*,Y.G.Zhu,T.Li,L.F.Han,X.J.Shang,H.Q.NiandZ.C.Niu,“TherefractivenonlinearitiesofInAs/GaAsquantumdotsabove-bandgapenergy”,OpticsCommunications,283,1510(2010).
　　[7]X.Huang,X.H.Zhang*,Y.G.Zhu,T.Li,L.F.Han,X.J.Shang,H.Q.NiandZ.C.Niu“TheEffectofanElectricFieldontheNonlinearResponseofInAs/GaAsQuantumDots”,JournalofOptics,12,055203(2010)，
　　[8]Y.G.Zhu,L.F.Han,L.Chen,X.H.Zhang*andJ.H.Zhao,“ElectronSpinDynamicsinHeavilyMn-Doped(Ga,Mn)As”,AppliedPhysicsLetters97(26),262109(2010)
　　[9]YonggangZhu,XinhuiZhang*,TaoLi,LinChen,JunLuandJianhuaZhao,“Spinrelaxationanddephasingmechanismin(Ga,Mn)Asstudiedbytime-resolvedKerrrotation”,AppliedPhysicsLetters94,142109(2009)；(alsoselectedinVirtualJournalofUltrafastScience,Volume8,Issue5,2009)
　　[10]YonggangZhu,XinhuiZhang*,TaoLi,XiaHuang,LifenHanandJianhuaZhao,“Ultrafastdynamicsoffour-statemagnetizationreversalin(Ga,Mn)As”,AppliedPhysicsLetters95,052108(2009)；(alsoselectedinVirtualJournalofUltrafastScience,Volume8,Issue9,2009)
　　[11]X.H.Zhang,R.E.Doezema,N.Goel,S.J.Chung,M.B.Santos,N.Dai,F.H.ZhaoandZ.S.Shi,“PhotoluminescenceStudyofInSb/In1-xAlxSbQuantumWells”,AppliedPhysicsLetters,89,021907(2006)
　　[12]G.Lüpke,X.Zhang,B.Sun,A.Fraser,N.H.Tolk,andL.C.Feldman,“Structure-dependentvibrationallifetimesofhydrogeninsilicon”,PhysicalReviewLetter,88,135501-135504(2002)
　　[13]Y.H.Ren,X.H.Zhang,G.L?pke,M.Schneider,M.Onellion,I.E.Perakis,Y.F.Hu,Q.Li,“ObservationofstronglydampedGHzphonon-porlaritonoscillationsinLa0.67Ca0.33MnO3”,PhysicalReviewB,64,144401(2001)
　　[14]XinhuiZhang,ZhenghaoChen,LinzhenXuan,ChangsiPeng,ShaohuaPanandGuozhenYang.“Second-harmonicgenerationfrom(Si5Ge5)100superlatticeswithanappliedexternalelectricfield”,AppliedPhysicsLetters,71,3359(1997)
　　[15]XinhuiZhang,ZhenghaoChen,LinzhenXuan,ShaohuaPan,andGuozhenYang.,“Enhancementofbulklikesecond-ordernonlinearsusceptibilityinSiGe/Sistepwellsandbiasing-fieldcontrolled(Si5Ge5)100superlattices”,PhysicalReviewB,56,15842(1997)