赵有文，男，博士，研究员，博士生导师。
　　1999年获博士学位,2000年-2002年，中国科学院半导体研究所博士后。主要从事磷化铟、锑化镓等化合物单晶材料生长技术、材料缺陷和材料在光电子和微电子器件上应用的研究。
　　取得的主要学术成绩：
　　通过实验研究揭示了原生磷化铟材料中氢-铟空位复合体缺陷的形成规律以及与材料电学补偿和热生缺陷的关系。通过研究和比较纯磷和磷化铁气氛下高温退火处理磷化铟材料后产生的深能级缺陷，发现了与退火过程中原子扩散有关的缺陷产生与抑制现象并给出了物理解释。在此基础上证明这些深能级缺陷大部分与铟空位有关。同时掌握了抑制深能级缺陷产生、制备高质量半绝缘磷化铟材料的物理机理和技术途径。对影响晶体完整性的因素进行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、结构位错的形成原因以及所产生的晶格畸变、点缺陷对晶格完整性的影响等。这些研究成果有效促地进了高质量磷化铟等材料单晶生长技术和单晶衬底制备技术的提高。
　　目前主要研究领域：
　　宽禁带半导体ZnO和AlN单晶材料生长、缺陷和物性研究；冶金法提纯多晶硅技术及应用开发；高效太阳电池用低位错Ge单晶生长与缺陷控制；大直径InAs单晶生长及材料性质。
　　联系方式：
　　E-mail：zhaoyw@semi.ac.cn；电话：
　　代表性论著：
　　1.Y.W.Zhao,H.W.Dong,Y.H.Chen,Y.H.Zhang,J.H.Jiao,J.Q.ZhaoandL.Y.Lin,S.Fung,CreationandSuppressionofPointDefectsthroughaKick-outSubstitutionProcessofFeinInP,AppliedPhys.Lett.80,2878(2002)
　　2.Y.W.Zhao,H.W.Dong,J.M.LiandL.Y.Ling，PhotoluminescencecharacteristicsofInPannealedinphosphorusandironphosphideambiances，MaterialsScienceinSemiconductorProcessing8，215(2005)
　　3.Y.W.Zhao,Z.Y.Dong,andCh.J.Li，Approachfordefectsuppressionandpreparationofhighqualitysemi-insulatingInP，J.CrystalGrowth254,364(2005)
　　4.Y.W.Zhao,Z.Y.Dong,M.L.Duan,W.R.Sun,Y.P.Zeng,N.F.SunandT.N.Sun,AnnealingambientcontrolleddeepdefectformationinInP,Eur.Phys.J.Appl.Phys.27,167(2004)
　　5.YouwenZhao,NiefengSun,HongweiDong,JinghuaJiao,JianqunZhao,TongnianSunandLanyingLin,CharacterizationofDefectsandWholeWaferUniformityofAnnealedUndopedSemi-insulatingInPWafers,MaterialSci.&Eng.B91-92,521(2002)
　　6.Y.W.Zhao,Z.Y.Dong,A.H.Deng，Electronirradiation-induceddefectsinInPpre-annealedathightemperature，MaterialsScienceinSemiconductorProcessing9(2006)380–383
　　7.Y.W.Zhao,Y.L.Luo,S.Fung,andC.D.Beling,NativedonorandcompensationinFe-dopedLECInP,J.Appl.Phys.89,86(2001)
　　8.Y.W.Zhao,S.Fung,Y.L.Luo,andC.D.Beling,Electricalconductionofannealedsemi-insulatingInP,J.Appl.Phys.87,3838(2000)
　　9.Y.W.Zhao,S.Fung,C.D.Beling,N.F.Sun,T.N.Sun,X.D.Chen,andG.Y.Yang,EffectsofannealingontheelectricalpropertiesofFe-dopedInP，J.Appl.Phys.86,981(1999)
　　10.Y.W.Zhao,X.L.Xu,M.Gong,S.Fung,etal.FormationofPIndefectinannealedundopedLECInP,Appl.Phys.Lett.72,2126(1998)