InAs纳米线晶格结构与制备温度,直径的关系
文献类型：会议
作者：孔祥华[1]
机构：[1]中国人民大学物理系 北京 100872
[2]中国人民大学物理系 北京 100872
[3]中国人民大学物理系 北京 100872
年：2013
会议名称：中国物理学会2013年秋季学术会议
会议论文集：中国物理学会2013年秋季学术会议论文集
页码范围：1-1
会议地点：厦门
会议开始日期：2013-09-12
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语言：中文
关键词：InAs;纳米线;晶格结构;第一性原理计算
摘要： 以InSb、InAs 和 GaSb为代表的III-V族半导体,具有极其优异的电子输运特性和独特的小能隙能谱结构,是研制新型超高速纳米电子器件的重要候选材料。然而实验上发现,InAs纳米线随其直径、生长温度、生长气体分压等不同呈现多种多态晶体结构,其中,闪锌矿(ZB)和纤锌矿(WZ)是两种最主要结构,多年努力,其能量本质、动力学过程仍不甚清楚[1]。
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