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过渡金属二硫化物多层膜超晶格中的可调直接带隙[1]

中国人民大学 辅仁网/2017-07-04

文献详情
过渡金属二硫化物多层膜超晶格中的可调直接带隙[1]
文献类型:会议
作者:赵永红[1]杨凤[2]季威[3]
机构:[1]四川师范大学物理和电子工程学院,成都,610068
[2]四川师范大学物理和电子工程学院,成都,610068
[3]中国人民大学物理学系,北京,100872

年:2013
会议名称:中国物理学会2013年秋季学术会议
会议论文集:中国物理学会2013年秋季学术会议论文集
页码范围:1-1
会议地点:厦门
会议开始日期:2013-09-12
所属部门:物理学系
人气指数:2
浏览次数:2
语言:中文
关键词:过渡金属二硫化物;直接带隙;多层膜;超晶格
摘要:  一些特殊过渡金属二硫化物(TMDC),如MoS2等,是二维晶体。其单层薄膜具备约1-2eV的直接带隙,由此使得其在光电子器件、太阳能转化等领域有着较大的应用潜力。
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