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AlxGa1-xAs:Si中DX中心的双极化子机制及统计分析
外文标题：Bipolaron mechanism of DX center in AlxCa1-xAs:Si
文献类型：期刊
作者：李维峰^[1]梁迎新^[2]金勇^[3]魏建华^[4]
机构：中国人民大学物理系,北京,100872;法国国家科学研究中心光子学与纳米结构实验室,马库锡,91460

通讯作者：Wei, JH (reprint author), Renmin Univ, Dept Phys, Beijing 100872, Peoples R China.
年：2010
期刊名称：物理学报影响因子和分区
卷：59
期：12
页码范围：8850-8855
增刊：增刊
学科：物理：综合
收录情况：SCI(E)(WOS:000286689500076)中文核心期刊要目总览中国科技核心期刊
语言：中文
ISSN：1000-3290
链接地址：http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wlxb201012076.aspx
基金：国家自然科学基金
关键词：DX中心;双极化子;冻结
摘要：基于极化子和双极化子的物理图像,采用无拟合参数的巨正则统计方法计算了Si掺杂的AlxCa1-xAs的导带载流子浓度,计算得到的理论结果从高温到低温都与实验结果定量一致.计算证实了AlxCa1-xAs:Si中的DX中心的基态DX-是电子-晶格相互作用产生的负电双极化子.处于热平衡状态时,施主Si在AlxCa1-xAs中除了电离状态,处于不同晶格构型的单、双极化子态共存,低温时双极化子态被冻结;光照下发生持续光电导时,双极化子态变成单极化子态同时向导带释放一个电子,此过程伴随着进一步的晶格弛豫.理论与实验的对照说明单电子局域的DX0态在热平衡时并不能稳定存在,这和提出的双极化子机制是完全一致的.
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