InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟

李金培, 杜刚, 刘力锋, 刘晓彦^?

北京大学微电子学研究院, 北京 100871

收稿日期:2019-11-27修回日期:2020-06-28出版日期:2020-11-20

基金资助:国家自然科学基金(61674008)资助

Multi-subband Ensemble Monte Carlo Simulationof InGaAs Schottky Barrier MOSFETs

LI Jinpei, DU Gang, LIU Lifeng, LIU Xiaoyan^?

Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871

Received:2019-11-27Revised:2020-06-28Published:2020-11-20

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摘要/Abstract

摘要： 采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法, 考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制, 模拟 InGaAs肖特基源漏MOSFET。结果显示, 在稳态下, 散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布, 但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小; 而在施加阶跃漏端电压时, 散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间, 降低了器件的截止频率。

引用本文

李金培, 杜刚, 刘力锋, 刘晓彦?. InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟[J]. 北京大学学报自然科学版, 2020, 56(6): 996-1004.
LI Jinpei, DU Gang, LIU Lifeng, LIU Xiaoyan. Multi-subband Ensemble Monte Carlo Simulationof InGaAs Schottky Barrier MOSFETs[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, 2020, 56(6): 996-1004.





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