PVD工艺对IGZO薄膜结晶化的影响

谢华飞^1,?, 卢马才², 刘念², 陈书志², 张盛东¹, 李佳育²

1. 北京大学信息工程学院, 深圳 5180552. 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司, 深圳 518132

收稿日期:2018-12-14修回日期:2019-01-13出版日期:2019-11-20

基金资助:国家自然科学基金(61274084, 6574003)资助

Effect of PVD Process on the Crystallization of IGZO Thin Films

XIE Huafei^1,?, LU Macai², LIU Nian², CHEN Shujhih², ZHANG Shengdong¹, LEE Chiayu²

1. School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen 5180552. Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd, Shenzhen 518132

Received:2018-12-14Revised:2019-01-13Published:2019-11-20

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1. 探讨2016版国际胰瘘研究小组定义和分级系统对胰腺术后患者胰瘘分级的影响.PDF(500KB)

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摘要/Abstract

摘要： 在G4.5实验线上, 采用射频磁控溅射法, 通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数, 以XRD, HR-TEM, NBED 和EDS进行表征, 研究制备结晶IGZO的工艺参数及其对薄膜晶体管(TFT)电性的影响。结果表明, 当IGZO膜层厚度达到3000 ?以上时结晶效果明显, 且不受其他因素影响; 成膜功率对IGZO结晶现象有加强作用, 功率越高越易结晶; 成膜温度和氧气/氩气(O₂/Ar)气体比例对IGZO结晶影响不大; 成膜完成后经过600℃的退火处理可有效地促进IGZO的再结晶。通过优化IGZO成膜条件, 制备出迁移率达29.6 cm²/(V·s)的背沟道刻蚀结构IGZO TFT, 比非晶IGZO TFT提高约3倍, 显著地改善了IGZO TFT的电学特性。

引用本文

谢华飞, 卢马才, 刘念, 陈书志, 张盛东, 李佳育. PVD工艺对IGZO薄膜结晶化的影响[J]. 北京大学学报自然科学版, 2019, 55(6): 1021-1028.
XIE Huafei, LU Macai, LIU Nian, CHEN Shujhih, ZHANG Shengdong, LEE Chiayu. Effect of PVD Process on the Crystallization of IGZO Thin Films[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, 2019, 55(6): 1021-1028.





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