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研究方向名称

主要研究内容、特色与意义

研究生导师    （博导注明）

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纳电子器件及其系统集成

本研究方向主要研究基于碳纳米管、半导体纳米线、石墨烯等低维纳电子材料的纳电子/光电子器件的制备、特性测量和系统集成技术，主要研究内容为（1）高性能碳基纳电子器件和集成电路。（2）纳米材料的物性。包括电输运性能、场电子发射性能、力学性能、电子与声子和光子的相互作用等。（3）纳米材料的修饰、功能化及对物性的影响。（4）基于纳米材料的新原理电子器件、光电和热电器件、化学和生物传感器的探索以及器件的系统集成。（5）纳米材料特别是准一维纳米材料的可控生长。包括碳纳米管和具有优异电学、光电、热电性能的半导体纳米线。

彭练矛*，梁学磊*，徐洪起*，许胜勇，张志勇，邢英杰，廖建辉，孙文涛

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纳米结构的加工、表征和物性测量

纳米结构的加工、表征和物性测量：本研究方向关注纳米材料和纳米结构的结构、性能、加工和相互关系以及相关的研究方法，主要研究内容为（1）纳米结构，特别是纳米器件结构的加工方法。包括电子束光刻技术、聚焦离子束加工技术和各种先进微纳米加工技术。（2）透射和扫描电子显微学，扫描隧道显微学和原子力显微学方法研究。包括新型纳米材料的结构确定和物性测量，半导体纳米线材料径向能带结构测量等。（3）纳米结构在电子显微镜中的原位加工、操作和实时物性测量，扫描探针显微镜和电子显微镜的结合。包括纳米材料的电学、力学、光学等性能的原位测量，纳米线光学谐振腔的可控原位加工，碳纳米管力学传感器的原位加工和谐振频率测量。（4）纳米材料的场电子和场离子显微研究。(5)真空物理和真空技术

陈清*，张耿民*，叶安培*，郭等柱，邢英杰，申自勇，王晶云，潘华勇

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纳米材料和器件理论

纳米材料和器件理论：（1）分子纳电子器件理论。纳电子器件和分子电子器件是未来电子器件的发展方向，理解电子器件中的电子输运特性对提高电子器件的性能和设计新型电子器件至关重要。以第一性原理的非平衡格林函数理论和相对论性含时密度泛函理论为主要工具，发展电子输运理论和高效数值计算方法，研究纳电子器件和分子电子器件中的电子输运过程，为新型电子器件的设计提供理论依据。（2）纳米材料和器件的电子结构。研究和开发基于密度泛函理论的Kohn-Sham方案、和超Kohn-Sham方案的电子结构方法，并将相关方法应用于纳米材料和器件中的电子结构计算。应用所得到的材料电荷、势场和能带等信息，从量子力学基本原理出发对纳米材料和器件的物理化学性质给予描述和解释。（3）结合第一性原理电子结构计算和分子动力学、晶格动力学等模拟方法，系统研究低维纳米体系中的电子、声子相互作用，能量传输和转换过程。

侯士敏*，叶林晖，张刚*

培养目标：

在物理电子学领域具有坚实的基础理论，在新型电子材料、器件的结构和特性方面有系统的专门知识，了解本专业的研究动向，具有一定从事教学和科学研究的能力，在物理电子学专业内做出新成果。

掌握一门外国语。身体健康。

基本学习年限：

3年。

学分要求：

应修总学分共33学分，其中全校必修课7学分（英语4学分，政治3学分），学院必修课14学分，选修课12学分。