日本北海道大学电子工程学士（1989），北海道大学电子工程硕士（1991），北海道大学电子工程博士（1994），美国斯坦福大学化学工程系访问学者。曾在索尼、冲电气工业有限公司等国际知名企业担任高级经理、研发主管、研发工程师等岗位。目前已有专利67项，多次获索尼公司各项发明成果奖励。
研究领域：
1. 晶体生长
l 有机半导体单晶薄膜生长专家
l III-N和III-V化合物半导体金属有机气相沉积专家
l 掌握并具有生长氮化镓、砷化镓以及磷化铟经验
l 设计和开发用于研究或商业化的金属有机气相沉积设备
l 掌握多种生长单晶材料的原则和机理
2.分析
l 掌握XRD、原子力显微镜、荧光光谱、扫描电镜、AES、DLTS以及赫尔效应测试。
l 能熟练分析透射电镜、二次离子质谱以及X射线光电子谱
3.器件制备
l 设计III-N激光二极管
l 利用CAD设计用于光刻的玻璃掩膜
l 能利用多种真空设备制备III-N和III-V化合物半导体的激光二极管
4.测试
l 掌握多种光学和电学器件的性质
l 利用多种测试系统测试激光二极管和长效ing晶体管的性质