删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

基于多组态含时Hartree-Fock方法研究电子关联对于H2分子强场电离的影响

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:发展了三维的处理双原子分子非微扰电子动力学的多组态含时Hartree-Fock方法,并利用该方法研究了电子关联对于H2分子强场电离概率的影响.该方法采用能够精确处理双中心库仑势的椭球坐标系,以及减小双电子积分计算量的有限元-离散变量基函数方法.利用多组态含时Hartree-Fock方法计算了H2分子随分子取向角度变化的XUV光电离结果,并通过与单组态结果的对比研究了电子关联对于单电离和双电离概率的不同影响.研究表明,电子关联对于单电离过程影响很小,而在双电离过程中则发挥了重要作用,导致了电离概率的减小.该方法为进一步研究强场物理过程中的电子关联效应奠定了基础.
关键词: 多组态含时Hartree-Fock/
电子关联/
强场电离/
氢分子

English Abstract


--> --> -->
相关话题/电子 概率 计算 基础 物理

  • 领限时大额优惠券,享本站正版考研考试资料!
    大额优惠券
    优惠券领取后72小时内有效,10万种最新考研考试考证类电子打印资料任你选。涵盖全国500余所院校考研专业课、200多种职业资格考试、1100多种经典教材,产品类型包含电子书、题库、全套资料以及视频,无论您是考研复习、考证刷题,还是考前冲刺等,不同类型的产品可满足您学习上的不同需求。 ...
    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19
  • 非共振圆偏振光作用下单层二硫化钼电子结构及其自旋/谷输运性质
    摘要:基于紧束缚近似下的低能有效哈密顿模型和久保线性响应理论,研究了外部非共振圆偏振光作用下单层二硫化钼(MoS2)电子结构及其自旋/谷输运性质.研究结果表明:单层MoS2布里渊区K谷和K谷附近自旋依赖子带间的能隙随着非共振右旋圆偏振光引起的有效耦合能分别线性增大和先减小后增大,随着非共振左旋圆偏振 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 氧化锌掺钡的电子结构及其铁电性能研究
    摘要:运用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了不同原子百分比含量的Ba掺杂ZnO半导体体材料超晶胞的能带结构、电子态密度、极化率和相对介电值.计算结果表明:Ba掺杂的ZnO体系为直接带隙半导体材料,其禁带宽度随着Ba原子掺杂百分比的增加呈现出逐渐增大的趋势.体系铁电性能的计算表明:与纯ZnO相比, ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 十二烷二酸修饰TiO2电子传输层改善钙钛矿太阳电池的电流特性
    摘要:在经典的平面异质结钙钛矿太阳电池中,TiO2致密层的电子传输性能一直是获得优异光伏性能的决定性因素之一.相较于spriro-OMeTAD等常见的空穴传输材料优异的空穴传输能力,作为电子传输材料的TiO2的导电性较弱,无法形成良好的电荷匹配.为了解决这个问题,我们使用自组装的十二烷二酸(DDDA ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 部分浸没圆柱壳声固耦合计算的半解析法研究
    摘要:部分浸没圆柱壳-流场耦合系统的声振分析是一种典型的半空间域内声固耦合问题,其振动及声学计算目前主要依赖于数值方法求解,但无论从检验数值法还是从机理上揭示其声固耦合特性,解析或半解析方法的发展都是不可或缺的.本文提出了一种半解析方法,先将声场坐标系建立在自由液面上,采用正弦三角级数来满足自由液面 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 太赫兹自由电子激光的受激饱和实验
    摘要:中国工程物理研究院基于半导体光阴极高压直流电子枪和超导直线加速器的高平均功率太赫兹自由电子激光达到了受激饱和,并实现了太赫兹光输出频率可调.在1.99,2.41和2.92THz三个频率点上进行测试,测得太赫兹宏脉冲内平均功率大于10W,最高达17.9W.本文介绍了太赫兹自由电子激光装置的主要组 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • CsI光阴极在10100 keV X射线能区的响应灵敏度计算
    摘要:为了满足10100keV高能X射线光电探测器研究的需要,对CsI光阴极在该能量范围的响应灵敏度进行了研究.基于高能量X射线光子与材料相互作用的物理过程,分析了康普顿散射等效应对CsI响应灵敏度的影响.推导了CsI的响应灵敏度与二次电子平均逃逸深度和光阴极厚度的关系式和二次电子平均逃逸深度与入射 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射
    摘要:降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额.首先,采用磁控溅射方法在铝合金镀银样片表 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 不同价态Mn掺杂InN电子结构、磁学和光学性质的第一性原理研究
    摘要:采用密度泛函理论体系下的广义梯度近似GGA+U平面波超软赝势方法,在构建了纤锌矿结构的InN超胞及三种不同有序占位Mn2+,Mn3+价态分别掺杂InN超胞模型,并进行几何优化的基础上,计算了掺杂前后体系的电子结构、能量以及光学性质.计算结果表明:Mn掺杂后体系总能量和形成能降低,稳定性增加,并 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 金纳米结构表面二次电子发射特性
    摘要:使用低气压蒸发工艺制备了金纳米结构,研究了金纳米结构的二次电子发射特性及其对表面形貌的依赖规律,表征了金纳米结构表面出射二次电子能量分布.实验结果表明:蒸发气压升高时,金纳米结构孔隙率增大,表面电子出射产额降低;能量分布表明金纳米结构仅对低能真二次电子有明显抑制作用,对背散射电子的作用效果则依 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • Sm3+,Sr2+共掺杂对CeO2基电解质性能影响的密度泛函理论+U计算
    摘要:Sm3+,Sr2+共掺杂CeO2的离子电导率被证实可高达Sm3+掺杂CeO2离子电导率的近两倍,然而,共掺杂对CeO2电导率的作用机理尚不明确.本文利用第一性原理计算的密度泛函理论+U方法,对Sm3+和Sr2+共掺杂的CeO2进行了系统的研究,对比Sm3+或Sr2+单掺杂的CeO2体系,计算并 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29