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低速Xeq+(4q20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:实验中测量了0.38VBohr(460 keV)高电荷态Xeq+(4q20)离子轰击高纯Ni表面发射的400510 nm光谱.实验结果包括Ni I原子谱线,Ni Ⅱ离子谱线,以及入射离子中性化发射的Xe I,Xe Ⅱ和Xe Ⅲ谱线.研究了谱线Xe Ⅱ 410.419,Xe Ⅲ 430.444,Xe Ⅱ 434.200,Xe Ⅱ 486.254,Ni I 498.245,Ni I 501.697,Ni I 503.502,Ni I 505.061和Ni I 508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.
关键词: 高电荷态离子/
可见光谱/
光子产额/
势能

English Abstract


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相关话题/光子 光谱 实验 测量 离子

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