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H,He对Ti3SiC2材料力学性能影响的第一性原理研究

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:层状三元化合物Ti3SiC2兼具陶瓷与金属的优良性能而得到诸多研究领域的关注. 本工作采用第一性原理密度泛函理论研究了氢、氦对该材料解理断裂行为的影响, 以期探讨Ti3SiC2作为核应用材料的可行性. 结果表明Si-Ti相对较弱的化学键使之相应的原子层间成为解理断裂面. 氢与氦都易在此原子层间聚集. 氦的聚集严重降低材料的解理断裂临界应力促使材料的断裂, 而氢则对该临界应力影响不大. 两者的差异源于这两类原子与材料中晶体原子相异的电子杂化行为.
关键词: 密度泛函理论/
辐照损伤/
解理断裂/
Ti3SiC2

English Abstract


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