王建涛简介
更新:2011-5-21
简历：1996年毕业于日本东北大学金属材料系
2000年取得日本东北大学材料物性专业博士学位
2002年任中国科学院物理研究所副研究员、科技处副处长、处长等职
2007年任中国科学院物理研究所研究员，博士生导师
兼任北京市物理学会第十三届理事会常务理事、《科学观察》编委
主要研究方向：半导体表面物性，金属超晶格磁性，纳米团簇物性等低维复杂系统第一性原理计算研究。
过去的主要工作
及获得的成果：长期致力于表面/界面等低维复杂系统第一性原理物性计算研究。系统地研究了3d过渡金属与Cu、Ag、Au等构成多层膜的磁性以及III族、V族元素在半导体硅表面形成纳米结构的动力学机制。Sb4纳米团簇在硅表面上的“两步双重分段旋转分解机制”被《科技导报》选为2006年中国重大科学进展的三十项工作之一[见《科技导报》2007年第一期>。在PhysicalReviewLetters,AppliedPhysicsLetters,PhysicalReviewB，NanoLetters等学术期刊发表论文50余篇。
代表性论文及专利：1.Low-temperaturephasetransformationfromgraphitetosp3orthorhombiccarbon
Jian-TaoWang,ChangfengChen，YoshiyukiKawazoe
PHYSREVLETT106,075501(2011)

2.MagicMonatomicLinearChainsforMnNanowireSelf-AssemblyonSi(001)
Jian-TaoWang,ChangfengChen,EngeWang,YoshiyukiKawazoe
PHYSREVLETT105,116102(2010)

3.Phasestabilityofcarbonclathratesathighpressure
Jian-TaoWang,ChangfengChen,Ding-ShengWang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe
JAPPLPHYS107,063507(2010)

4.Atomisticnucleationandgrowthmechanismforsingle-wallcarbonnanotubesoncatalyticnanoparticlesurfaces,
Jian-TaoWang,ChangfengChen,KaoruOhno,EngeWang,Xiao-LongChen,Ding-ShengWang,HiroshiMizuseki,YoshiyukiKawazoe
Nanotechnology21,115602(2010)

5.HighlystableandsymmetricboroncagedB@Co-12@B-80core-shellcluster
Jian-TaoWang,ChangfengChen,E.G.Wang,Ding-ShengWang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe
APPLPHYSLETT94,133102(2009)

6.First-principlesstudyofdiffusionofzincvacanciesandinterstitialsinZnO
Gui-YangHuang,Chong-YuWang,Jian-TaoWang
SolidStateCommun149,199(2009)

7.EffectofstrainontheenergeticsandkineticsofdissociationofSb-4onGe(001)
Jian-TaoWang,ChangfengChen,E.G.Wang,Ding-ShengWang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe
PHYSREVB78,073403(2008)

8.Dimer-breaking-assistedexchangemechanisminsurfactant-mediatedepitaxialgrowthofGeonSi(001):Abinitiototalenergycalculations
En-ZuoLiu,Chong-YuWang,Jian-TaoWang
PHYSREVB76,193301(2007)

9.Two-stagerotationmechanismforgroup-vprecursordissociationonSi(001)
Jian-TaoWang,ChangfengChen,E.G.Wang,Ding-ShengWang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe
PHYSREVLETT97,046103(2006)

10.Dynamicad-dimertwistingassistednanowireself-assemblyonSi(001)
Jian-TaoWang,E.G.Wang,D.S.Wang,H.Mizuseki,Y.Kawazoe,M.Naitoh,S.Nishigaki
PHYSREVLETT94,226103(2005)
目前的研究课题及展望：半导体表面物性（C,Si,Ge），金属合金及纳米团簇磁性，氢金属合金与化合物等第一性原理计算研究。基于量化计算的纳米材料分子结构-理化性质数学模型和毒理学/生态毒理学数据模型研究。
培养研究生情况：联合培养博士生2人；在读博士生3人。
联系电话：010-82649471
E-mail：wjt@aphy.iphy.ac.cn
研究生院主页网址:http://js.caseducation.cn/JS/~wjt