摘要为掌握第二代（2G）高温超导（HTS）带材在0~3.5 T直流背景磁场下的临界电流（Ic）和n值变化趋势，构造和应用了一种新型分裂背场磁体系统，通过测试分析获得了背景磁场对Ic和n值的影响规律。采用4.2 K运行温度、两个同轴分裂的NbTi线圈构成的超导磁体和样品保持器来改变背景磁场的大小和角度（0～3.5 T、0～90°），2G HTS带材置于液氮环境（77 K），设置电流源上升速率为1 A/s，基于四引线法原理与直流失超判据（1 μV/cm）获得2G HTS带材在高直流背景磁场下的Ic和n值，实验结果表明，2G HTS带材的Ic和n值变化趋势一致，均随外界磁场强度B和带材表面与磁场夹角θ的增大而退化，在背景磁场为1.4 T时，2G HTS带材在垂直场下的临界电流衰减了84.6%，是平行场下临界电流衰减程度的1.47倍。
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0~3.5 T直流背景磁场下第二代高温超导带材临界电流各向异性测试与分析
本站小编 Free考研考试/2022-01-02
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