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基于GaN器件的高功率密度LLC谐振变换器的研究

本站小编 Free考研考试/2022-01-02

摘要随着信息技术、计算机技术、5G商业应用、大数据中心建设的迅猛发展,对高功率、高效率的通信电源存在巨大需求。氮化镓(Gallium nitride)器件具有高开关速度、低导通电阻、无反向恢复损耗等特点;LLC谐振拓扑可以实现原边功率管零电压导通、整流管零电流关断,将二者结合可以在高效率前提下进一步提高开关频率,提升功率密度。本文针对5G基站通信电源扩容中对高功率、高效率、高密度单模块电源的需求,通过原边功率管ZVS、功率器件损耗条件对谐振腔参数Ln、Q进行优化设计,结合最新高频同步整流驱动芯片NCP4305和平面变压器技术,采用全氮化镓器件作为功率管,设计并制作了一款560W,300V输入、375V输出的LLC谐振变换器原理样机。功率密度达到131W/cm3,最高效率可达到9448%,实验验证了设计方案的正确性。

PDF全文下载地址:

https://ateee.iee.ac.cn/CN/article/downloadArticleFile.do?attachType=PDF&id=2087
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