姓名:
赵世柯性别:
男
职务:职称:02.副高级
学历:
研究生毕业通讯地址:
北京市海淀区北四环西路19号
电话:
010-58887275(o)，13611268775邮政编码:
100190
传真:
010-58887555电子邮件:
zhaoshike@sina.com
简历：
研究领域：
微波电真空材料与工艺目前的研究方向：
- 介质材料金属化与封接技术
- 电真空材料表面处理技术
- 低次级电子发射材料与应用技术
- 真空镀膜技术及其在微波电真空领域的应用
- 电真空用材料真空性能及评价技术
承担科研项目情况：
2000年毕业于中国科学院上海硅酸盐研究所，获材料学工学博士学位。毕业后留所工作1年。其间，先后从事高温氧化物陶瓷的制备工艺与性能、硅化物光电材料的工程化等研究工作。2001年9月-2003年9月在清华大学材料系从事博士后研究工作，主要从事层状仿生结构材料的制备及高温力学性能评价等研究工作。2003年9月-至今，在中国科学院电子学研究所工作。主要从事电真空材料与工艺方面的实验研究与工程验证工作。
首次从氧化锆相变设计角度提出了提高ZrO2复合材料抗热震性能的设想，并进行了实验验证。该项研究成果得到国内同行的广泛引用。提出了层状复合材料强度设计新思路，获得抗弯强度大于600MPa的Al2O3/ZrO2层状复合材料。
在国际、国内专业学术期刊上发表论文近50篇，其中1、2作者近30篇(SCI收录14篇，EI收录5篇)。申请专利7项，获授权专利4项。参与编写专著1部。
