(武汉光电国家研究中心(华中科技大学) 武汉 430074) (华中科技大学计算机学院 武汉 430074) (csmzhang@hust.edu.cn)
出版日期: 2020-02-01基金资助:国家自然科学基金项目(61772212)A Write-Optimized Re-computation Scheme for Non-Volatile Memory
Zhang Ming, Hua Yu, Liu Lurong, Hu Rong, and Li Ziyi(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (Huazhong University of Science and Technology), Wuhan 430074) (School of Computer, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074)
Online: 2020-02-01Supported by:This work was supported by the National Natural Science Foundation of China (61772212).摘要/Abstract
摘要： 非易失存储(non-volatile memory， NVM)技术的兴起给计算机存储系统带来了很多机遇与挑战.与DRAM相比，NVM作为持久性内存具有非易失、低能耗以及高存储密度等优点，但同时它也具有擦/写次数有限以及写操作延迟高等缺点，故以NVM为内存的系统需要减少对内存的写操作，以提升NVM寿命和系统性能.为了解决这个问题，提出了基于结点出度的重计算方法(re-computation scheme based on the out degree of computing nodes, ROD)，由于CPU与内存间的性能差距会导致CPU计算资源的浪费，为此ROD方法选择性地丢弃本需要存储到内存的计算结果，需要时再重新计算得到，利用计算换存储的方式减少写NVM的次数.实验采用powerstone测试集，在搭载了NVMain的Gem5模拟器中对ROD方法与贪心重计算方法和以存储为主导的无重计算方法做性能对比.结果表明ROD方法相比于存储主导的方法平均减少44.3%(最高68.5%)的写操作.ROD方法的运行耗时比存储主导的方法平均减少28.1%(最高68.6%)，比贪心重计算的方法平均减少9.3%(最高19.4%).
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