基本信息
赵有文男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： zhaoyw@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所1号楼120A房间
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学

招生方向化合物半导体单晶材料生长
缺陷与杂质
材料物理


教育背景1996-08--1999-08香港大学理学博士
1986-09--1989-03河北半导体研究所工学硕士学位
1982-09--1986-07兰州大学理学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2000-03~2011-08,中国科学院半导体研究所,研究员
1996-08~1999-08,香港大学,理学博士
1989-03~1996-07,河北半导体研究所,工程师
1986-09~1989-03,河北半导体研究所,工学硕士学位
1982-09~1986-07,兰州大学,理学学士学位

社会兼职

教授课程半导体材料


专利与奖励
奖励信息（1） 磷化铟单晶缺陷, 二等奖, 省级, 2010
（2） InP和ZnO材料缺陷研究, 一等奖, 部委级, 2003
（3） 化合物半导体InP, 二等奖, 国家级, 2002

专利成果

出版信息
发表论文（1）Wet etching generation of dislocation pits with clear facets in LEC-InAs,Journal of Crystal Growth,2019-09,第11作者
（2）Photoluminescene study acceptor defects in lightly doped n type,Journal of Semiconductors,2019-04,第2作者
（3）Mechanism of free electron concentration saturation phenomenon in Te-GaSb single crystal,Chin. Phys. B,2019,第11作者
（4）Electrical conduction of carbon-ion-implanted InAs,Mater. Res. express,2019,第11作者
（5）impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal,Materials Science in Semiconductor Processing,2018,第2作者
（6）LVM Spectroscopy Investigation of Complex Defects in InAs single crystals grown by the LEC Method,Journal of Electronic materials,2018,第2作者
（7）退火Te-GaSb的电学性质,Electrical and optical property of annealed Te-doped GaSb,Journal of Semiconductors,2017,第11作者
（8）4英寸低位错InP单晶的VGF法生长及其性质研究,VGF growth of 4 inch diameter InP with low dislocation density and property investigation,人工晶体学报,2017,第1作者
（9）4英寸低位错密度GaSb单晶生长及高质量衬底制备,growth of 4 inch diameter GaSb single crystal with low dislocation density and high quality substrate preparation,人工晶体学报,2017,第11作者
（10）通过消除原生缺陷提高InAs单晶的透光率,Enhancement of below gap transmission of InAs single crystal via suppression of native defects,Mater. Res. Express,2017,第11作者
（11）N type GaSb single crystals with high below gap transmission,Chinese Physics B,2017,第11作者
（12）Carbon agent chemical vapor transport growth og Ga2O3 crystal,Journal of Semiconductors,2017,第11作者
（13）Performance improvement of c-Si solar cell by a combination of SiNx/SiOx passivation and double P-diffusion gettering treatment,Journal of Semiconductors,2017,第11作者
（14）晶硅电池的黑斑缺陷,black spot defect in c-Si solar cell,半导体光电,2016,第11作者
（15）GaSb原生缺陷的热致转变,Thermally induced native defect transform in annealed GaSb,Chin. Phys. B,2015,第11作者
（16）Improved surface and electrical properties of passivated GaSb with lessalkaline sulfi de solution,,Materials Science in Semiconductor Processing,2015,第11作者
（17）Chemical and electrical properties of (NH4)2S passivated GaSb surface,Journal of Semiconductors,2015,第4作者
（18）Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO,SCIENCE CHINA Technological Sciences,2015,第4作者
（19）C H complex defects and their influence in ZnO single crystal,Chinese Physics B,2015,第11作者
（20）C H complex defects and their influence in ZnO single crystal,Chinese Physics B,2015,第11作者
（21）Evaluation of four inch diameter VGF-Ge substrate used for manufacturing Multi-junction Solar Cell,Journal of Semiconductor,2015,第11作者
（22）Analysis of solar cells fabricated from UMG-Si purified by a novel metallurgical method, Semicond. Sci. Technol,Semiconductor Science and Technology,2013,第2作者
（23）Synthesis of chalcopyrite CuIn1?xGaxSe2 alloys for photovoltaic application by a novel melting method,Materials Letters,2013,第2作者
（24）Improvement of the surface quality of semi-insulating InP substrates through a novel etching and cleaning method,Journal of Vacuum Science and Technology A,2013,第2作者
（25）Large scale purification of metallurgical silicon for solar cell by using electron beam melting,Journal of Crystal Growth,2012,第3作者
（26）Purification of metallurgical silicon through directional solidification in a large cold crucible,Journal of Crystal Growth,2012,第3作者
（27）Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2011,第11作者
（28）非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究,四川大学学报,2010,第3作者
（29） Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence ,JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS,2009,第4作者
（30） Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal ,AIP Conference Proceedings,2009,第1作者
（31）多晶AlN光学性质研究,Optical Characteristics of Poly- crystalline AIN ,光散射学报,2008,第4作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 新型中长波红外探测器衬底GaSb和InAs单晶材料制备及应用, 主持,市地级,2018-03--2020-12
（ 2 ） 面向红外探测应用的GaSb单晶杂质、缺陷及物性研究, 主持,国家级,2015-01--2018-12
（ 3 ） 4-6英寸InP单晶VGF生长技术, 主持,院级,2017-03--2019-12
（ 4 ） 高质量GaSb单晶衬底加工技术及红外探测应用, 主持,市地级,2017-08--2018-12

参与会议（1）C-H complex defects and their influnce in InAs single crystal2017-10-08


合作情况
项目协作单位

指导学生