基本信息
曾玉刚 男 硕导 长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件：zygang98@gmail.com ，zengyg@ciomp.ac.cn
通信地址：吉林省长春市东南大路3888号
邮政编码：130033

研究领域主要从事金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD：Metal-organic Chemical Vapor Deposition）生长低维材料及其分析表征的研究。MOCVD是材料外延的重要方法，是半导体光电子研究领域内的重要基础设施。具体到应用器件，主要包括研究大功率应变量子阱半导体激光器材料的高质量外延生长、量子点与纳米线等低维材料的生长、1.55μm光通讯用激光器的生长以及高In组分低位错密度InGaAs探测器材料（探测波长大于2.5μm）的生长等。

招生信息拟招收有兴趣于薄膜材料生长的硕士研究生。主要从事高In组分大失配低位错密度的InGaAs探测器材料的生长与研究（获得国家基础研究“973”计划支持）。航天对地遥感和空间天文观测对高性能近红外核心探测器件有明确需求，在全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域具有重大作用。延伸波长（大于2.5μm）的高质量InGaAs材料是高性能近红外探测器的瓶颈。因此，研究III-V族铟镓砷（InGaAs）近红外光电探测材料高质量生长的基础问题，获得近红外探测材料与器件的新机理、新结构、新方法，实现高性能航天级近红外InGaAs探测材料的研发，为航天应用提供科学支撑，应用广泛，其研究有重要的发展前景与意义。学生从事此方面的研究，能获得材料理论、MOCVD生长理论与实践、材料表征、器件分析等方面的系统训练，能够为日后从事材料类和光电子类事业积累大量的经验和研究素养。
招生专业070205-凝聚态物理

招生方向 光电材料与器件，半导体光电子学



教育背景 2002-08--2008-06 中国科学院半导体研究所 工学博士
1998-08--2002-07 清华大学 学士

学历2008年获得工学博士学位（中国科学院半导体研究所）
2002年获得工学学士学位（清华大学材料科学与工程系）
学位2008年获得工学博士学位（中国科学院半导体研究所）
2002年获得工学学士学位（清华大学材料科学与工程系）

工作经历
工作简历 2010-09--今 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 副研究员
2008-06--2010-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 助理研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息 （1） 半导体激光合束技术及其应用，一等奖，省级，2010

专利成果 （1） 利用准分子激光退火制作SiGe 或Ge 量子点的方法，发明，2010，第2作者，专利号： ZL 3.6


出版信息
发表论文 （1） 980-nm high-power low-divergence VCSELs achieved by optimization of current density distribution，IEEE Journal of Quantum Electronics，2012，第3作者
（2） 980-nm high-power low-divergence VCSELs achieved by optimization of current density distribution，IEEE Journal of Quantum Electronics，2012，第3作者
（3） 852 nm半导体激光器InGaAlAs, InGaAsP, InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性，发光学报，2012，第3作者
（4） High power single-sided bragg reflection waveguide lasers with dual-lobed far field，Applied Physics B，2012，第3作者
（5） High-Power Bottom-Emitting Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Under Continuous-Wave, Quasi-Continuous-Wave and Pulsed Operation，Applied Physics Express，2011，第3作者
（6） High-Power-Density High-Efficiency Bottom-Emitting Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Array，Applied Physics Express，2011，第3作者
（7） Design and comparison of GaAs, GaAsP and InGaAlAs quantum-well active regions for 808-nm VCSELs，Optics Express，2011，第5作者
（8） 980nm高功率垂直腔面发射激光列阵的单元结构优化，光学 精密工程，2011，第3作者
（9） Si 衬底上Ge 材料的UHVCVD 生长，材料科学与工程学报，2009，第5作者
（10） Evolution of Ge and SiGe Quantum Dots under Excimer Laser Annealing，Chinese Physics Letter，2008，第2作者
（11） Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing，Journal of Semiconductors，2008，第1作者
（12） Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing”, Journal of Crystal Growth，Joural of Crystal Growth，2008，第2作者
（13） The growth of SiGe by DUHV/CVD at low termperature，Journal of Semiconductors，2008，第1作者
（14） 双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制，真空，2007，第1作者

发表著作

科研活动
科研项目 （1） 795nm 微型铷原子钟用的高温垂直腔面发射激光器材料生长与器件研制，主持，国家级，2012-01--2014-12
（2） 适配体系异质探测材料的低缺陷生长研究，主持，国家级，2012-01--2013-12
（3） 高质量III-V纳米异质结构MOCVD外延生长，参与，部委级，2011-01--2011-12
（4） 垂直腔面发射大功率激光器的材料生长与器件研究，主持，市地级，2010-07--2012-12
（5） GaAs光阴极材料生长，主持，其他级，2010-05--2011-12
（6） 大功率半导体激光器材料生长，参与，研究所（学校）级，2009-07--2013-12

参与会议

合作情况与中科院半导体研究所、南京理工大学、重庆大学、上海技术物理研究所和上海微系统研究所等有着密切的研究合作和项目合作。
项目协作单位与中科院半导体研究所、南京理工大学、重庆大学、上海技术物理研究所和上海微系统研究所等有着密切的研究合作和项目合作。

指导学生