基本信息
曾一平男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： ypzeng@semi.ac.cn
通信地址： 海淀肖庄9#111号
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学
085204-材料工程

招生方向半导体材料与器件
锑化物材料及器件研究
半导体传感器研究


教育背景1978-09--1983-07中国科学技术大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历1997-12~现在,中国科学院半导体研究所,研究员
1978-09~1983-07,中国科学技术大学,学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 直径六英尺砷化镓单晶研制, 二等奖, 省级, 2007

专利成果（ 1 ） 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 3.8


出版信息
发表论文（1）Homoepitaxial Growth of Multiple 4H-SiC Wafers Assembled in a Simple Holder via Conventional Chemical Vapor Deposition,Journal of Crystal Growth,2019-05,第11作者
（2）The influence fo MBE and device structure on the electicial properties of GaAs HEMT biosensors,半导体学报,2018,第11作者
（3）Low temperature transient response and electroluminescence characteristics of OLEDs based on Alq3,Applied Surface Science,,2017,第11作者
（4）Effect of InSb/In0.9Al0.1Sb superlattice buffer layer on the structural and electronic properties of InSb films,Journal of Crystal Growth,2017,第11作者
（5）Growth and Characterization of InSb thin film on GaAs (001) without any buffer layers by MBE,Chinese Physics Letters,2017,第11作者
（6）Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers,Journal of Display Technology,2015,第11作者
（7）Alternating InGaN barriers with GaN barriers for enhancing optical performance in InGaN light-emitting diodes,Journal of Applied Physics,2015,第11作者
（8）Specific detection of mercury(II) irons using AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors,Journal of Crystal Growth,2015,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 半导体固态照明用超高效率氮化物LED芯片基础研究, 主持,国家级,2011-01--2015-12
（ 2 ） 基于OLED显示单元的复合红外光传感器件的研究, 参与,国家级,2013-01--2016-12
（ 3 ） 大型MOCVD设备产业化示范应用, 主持,国家级,2013-01--2015-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生