基本信息
俞跃辉男博导中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： yhyu@mail.sim.ac.cn
通信地址： 长宁路865号
邮政编码： 200050

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向微电子材料与器件


教育背景1985-09--1989-11上海微系统与信息技术研究所博士学位
1980-07--1985-07吉林大学电子工程系学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历1992-10~2011-07,上海微系统与信息技术研究所,助研，副研，正研
1990-10~1992-10,德国FHG集成技术研究所,博士后
1985-09~1989-11,上海微系统与信息技术研究所,博士学位
1980-07~1985-07,吉林大学电子工程系,学士学位

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 亥姆霍兹联合会杰出国际科技合作奖"Helmholtz International Fellow Aw, 一等奖, 专项, 2013
（2） 高端硅基SOI材料研究, , 院级, 2007
（3） 高端硅基SOI材料研发和产业化, 一等奖, 国家级, 2006

专利成果

出版信息
发表论文（1）Performance Improvement and Current Collapse Suppression of Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs Achieved by Fluorinated Graphene Passivation,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2017,第11作者
（2）Interface engineering of an AlNO/AlGaN/GaN MIS diode induced by PEALD alternate insertion of AlN in Al2O3,RSC Adv.,2017,第11作者
（3）Enhanced interfacial and electrical characteristics of 4H-SiC MOS capacitor with lanthanum silicate passivation interlayer,APPLIED SURFACE SCIENCE,2017,第11作者
（4）Performance Improvement and Current Collapse Suppression of Al2O3/AlGaN/GaN HEMTs Achieved by Fluorinated Graphene Passivation,APPLIED SURFACE SCIENCE,2017,第11作者
（5）Negative differential resistance in the I-V curves of Al2O3/AlGaN/GaN MIS structures,RSC Advances,2016,第11作者
（6）Semiconductor-like nanofilms assembled with AlN and TiN laminations for nearly ideal graphene-based heterojunction devices,J. Mater. Chem. C,2016,第11作者
（7）Direct growth of Sb2Te3 on graphene by atomic layer deposition,RSC Adv.,2015,第11作者
（8）Controlled direct growth of Al2O3-doped HfO2 films on graphene by H2O-based atomic layer deposition,Phys .Chem. Chem. Phys,2015,第11作者
（9）Improvement of Al2O3 Films on Graphene Grown by Atomic Layer Deposition with Pre-H2O Treatment,ACS Appl. Mater. Interfaces,2014,第11作者
（10）Effects ofrapidthermalannealingonpropertiesofHfAlO films directly deposited byALDongraphene,Materials Letters,2014,第11作者
（11）Al2O3-Gd2O3 double-films grown on graphene directly by H2O-assisted atomic layer deposition,RSC Adv,2014,第11作者
（12）Properties of HfO2/La2O3 nanolaminate films grown on an AlGaN/GaN heterostructure by plasma enhanced atomic layer deposition, RSC Adv,2014,第11作者
（13）Multi-gates SOI LDMOS for improved on-state performance ,2014 IEEE 26th ISPSD,2014,第11作者
（14）Property transformation of graphene with Al2O3 films deposited directly by atomic layer deposition, Appl. Phys. Lett,2014,第11作者
（15）ON-Resistance Degradation Induced by Hot-Carrier Injection in SOI SJ-LDMOS, IEEE Transaction on Electron Devices,2013,第11作者
（16）Competitive Si and La effect in HfO2 phase stabilization in multi-layer (La2O3)0.08(HfO2) films ,Applied Physics Letters,2013,第11作者
（17）characteristics of HfxSiyO films grown on Si0.8Ge0.2 layer by electron-beam evaporation,Applied Physics Letter ,2006,第11作者
（18）Tetrahedral amorphous-carbon thin films for silicon-on-insulator application,Applied Physics Letter,2002,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 高K栅介质材料, 主持,国家级,2009-06--2011-12
（ 2 ） 20-14nm技术代关键材料技术和产品开发（2014ZX**, 主持,国家级,2016-01--2018-12
（ 3 ） (4)Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底上铪基高k栅介质界面特性研究（**）, 参与,国家级,2012-01--2015-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生