基本信息
俞文杰男博导中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： casan@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号5号楼709室
邮政编码： 200050

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向SOI高迁移率与抗辐照器件


教育背景2009-09--2011-06德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich)联合培养博士生
2005-09--2011-06中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究生/博士
2001-09--2005-06复旦大学本科/学士

学历
学位

工作经历
工作简历2011-06~现在,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,助理研究员、副研究员、研究员
2011-06~2011-08,德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich),访问
2009-09~2011-06,德国于利希研究中心(Forschungszentrum Juelich),联合培养博士生
2005-09~2011-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究生/博士
2001-09~2005-06,复旦大学,本科/学士
~现在,
社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种图形化绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL6.6
（ 2 ） 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL0.2
（ 3 ） 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL0.4
（ 4 ） 一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL7.4
（ 5 ） 一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL1.7
（ 6 ） 一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL4.8
（ 7 ） 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL4.5
（ 8 ） 一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL0.2
（ 9 ） 一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 2.2
（ 10 ） 一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 5.6
（ 11 ） 一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 4.4
（ 12 ） 一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 6.X
（ 13 ） 一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 7.5
（ 14 ） 基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 9.X
（ 15 ） 用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 7.3
（ 16 ） 一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 0.6
（ 17 ） 基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 4.5
（ 18 ） 基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 0.9
（ 19 ） 场效应晶体管结构及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 7.4


出版信息
发表论文（1）Monolayer WxMo1.xS2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: Bandgap Engineering and Field Effect Transistors,Advanced Functional Materials,2017,第1作者
（2）86 mV/dec subthreshold swing of back-gated MoS2 FET on SiO2,Journal of Infrared and Millimeter Waves,2017,第11作者
（3）Experimental I-V and C-V Analysis of Schottky Barrier MOSFETs with Epitaxial NiSi2 Contacts and Dopant Segregation,Chinese Physics Letters,2017,第11作者
（4）Ion-sensitive field-effect transistor with sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well for high voltage sensitivity,Microelectronic Engineering,2016,第11作者
（5）Band alignment of HfO2/multilayer MoS2 interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy: Effect of CHF3 treatment,Applied Physics Letter,2015,第11作者
（6）Band alignment of atomic layer deposited high-k Al2O3/multilayer MoS2 interface determined byx-ray photoelectron spectroscopy,Journal of Alloy and Compound,2015,第11作者
（7）AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with PolarizedP(VDF-TrFE) Ferroelectric Polymer Gating,Scientific Report,2015,第11作者
（8）High performance strained Si0.5Ge0.5 quantum-well p-MOSFETs fabricated using a high-k/metal-gate last process,Superlattices and Microstructures,2015,第11作者
（9）Experimental Investigation on Alloy Scattering in sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI Quantum-Well p-MOSFET,IEEE Transactions on Electron Devices,2014,第1作者
（10）Impact of Si cap, strain and temperature on the hole mobility of (s)Si/sSiGe/(s)SOI quantum-well p-MOSFETs,Microelectronics Engineering,2014,第1作者
（11）High Voltage AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors with RegrownIn0.14Ga0.86N Contact Using a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Gold-Free Process,Applied Physics Express,2014,第11作者
（12）Mobility Enhancement and Gate-Induced-Drain-Leakage Analysis of Strained-SiGe Channel p-MOSFETs with Higher-k LaLuO3 Gate Dielectric,CHIN. PHYS. LETT,2014,第1作者
（13）Hole mobility of Si/Si0.5Ge0.5 quantum-well transistor on SOI and strained SOI,IEEE Electron Device Letters,2012,第1作者
（14）High mobility compressive strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-κ/Metal-Gate,Solid State Electronics,2011,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 无背栅 SOI MOS 器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究, 主持,国家级,2017-01--2019-12
（ 2 ） 纳米级全耗尽高迁移率应变硅锗量子阱沟道器件研究, 主持,省级,2012-10--2015-09
（ 3 ） 高迁移率Si/SiGe/SOI 量子阱MOS器件载流子散射机理研究, 主持,国家级,2014-01--2016-12
（ 4 ） 中国科学院“青年创新促进会”项目, 主持,部委级,2014-01--2017-12
（ 5 ） 16/14nm基础技术研究 绝缘体上III-V族化合物衬底材料制备技术研究, 参与,部委级,2013-01--2014-12
（ 6 ） 面向超灵敏探测的异质集成研究, 主持,部委级,2016-07--2021-06
（ 7 ） STT-MRAM存储芯片电路设计和验证-基于FDSOI的STT-MRAM芯片关键技术研究, 主持,国家级,2017-01--2020-12

参与会议（1）High Hole Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-well Transistor2015-10-24
（2）High Hole Mobility (s)Si/SiGe/(s)SOI Quantum Well p-MOSFETs第八届中国功能材料及应用学术会议2013-08-24
（3）Characteristics of higher-κ dielectric LaLuO3 with TiN as gate stack2012-10-29
（4）Hole mobility enhancement of quantum-well p-MOSFETs on sSi/sSi0.5Ge0.5/sSOI heterostructure2012-05-14
（5）High Mobility Si/Si0.5Ge0.5/strained SOI p-MOSFET with HfO2/TiN Gate Stack2010-11-01


合作情况
项目协作单位

指导学生