基本信息
于丽娟女硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： ylj@red.semi.ac.cn
通信地址： 半导体所家属院宿舍11号楼
邮政编码： 100083
部门/实验室：光电子研究发展中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向半导体光放大器的研究
光电子器件与集成


教育背景1996-09--2000-01西安交通大学博士
1986-09--1989-06吉林大学硕士
1982-09--1986-06吉林大学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2007-03~2014-07,中科院半导体研究所,副研究员
2006-03~2007-03,英国帝国理工大学,高级访问
2002-05~现在,中科院半导体所,副研究员
1996-09~2000-01,西安交通大学,博士
1989-07~1999-12,西安建筑科技大学,副教授
1986-09~1989-06,吉林大学,硕士
1982-09~1986-06,吉林大学,学士学位

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 晶片直接键合过程中实验参数的优化, 2005, 第 2 作者, 专利号: 0.9
（ 2 ） Z字形自准直半导体光放大器热沉, 2014, 第 1 作者, 专利号: 2.1
（ 3 ） 一种测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN0.X
（ 4 ） 斜腔半导体光放大器的耦合方法 , 2014, 第 1 作者, 专利号: CN8.1
（ 5 ） 外腔窄线宽激光器, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN 8.7
（ 6 ） 少模面发射激光器, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN 7.8
（ 7 ） 双沟宽脊型半导体光放大器及其制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN 0.3


出版信息
发表论文（1）Few-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for Space-Division Multiplexing,Chin. J. Semicon,2017,第2作者
（2）Vertical cavity surface emitting laser with two emission controllable transverse modes,IEEE Photonics Technology Letters,2017,第2作者
（3）用阶梯变化金属纳米光栅增加介质中的光吸收,太阳能,2013,第1作者
（4）CW InP-InGaAsP Quantum-Well Lasers on Si Fabricated by Wafer Bonding,Chin. J. Semicon.,2007,第1作者
（5）Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100),J. Appl. Phys.,2006,第2作者
（6）Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction, Material Science and Engineering B,2006,第2作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 模式产生、转换与复用机制及控制, 参与,国家级,2014-01--2019-01
（ 2 ） xxxx集成光源, 主持,国家级,2017-03--2018-03
（ 3 ） xxxx光频梳, 参与,国家级,2016-09--2020-09

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生