基本信息
肖红领男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： hlxiao@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀清华东路甲35号
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学

招生方向氮化物材料生长与器件研究
新型高效太阳电池制备与性能研究


教育背景2002-09--2005-06中科院半导体所博士
1999-09--2002-06广西大学硕士
1995-09--1999-06长沙理工大学本科

学历
学位

工作经历
工作简历2015-01~现在,中科院半导体所,研究员
2007-09~2014-12,中科院半导体所,副研究员
2005-07~2007-09,中科院半导体所,助理研究员
2002-09~2005-06,中科院半导体所,博士
1999-09~2002-06,广西大学,硕士
1995-09~1999-06,长沙理工大学,本科

社会兼职2012-01-01-今,中国电子学会青年委员会, 委员


教授课程半导体异质结构材料与应用
集成电路中的半导体材料与工艺
宽禁带半导体材料制备与应用


专利与奖励
奖励信息（1） 高性能GaN外延材料, 二等奖, 省级, 2012

专利成果（ 1 ） 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘, 2015, 第 3 作者, 专利号: 6.9
（ 2 ） 一种用于薄膜材料生长设备加热托盘的固定控制装置, 2017, 第 3 作者, 专利号: 5.7
（ 3 ） MOSFET器件, 2019, 第 4 作者, 专利号: 6.8


出版信息
发表论文（1）1700V 34m 4H-SiC MOSFET With Retrograde Doping in Junction Field-Effect Transistor Region,2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC),2019-12,第3作者
（2）Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2019-03,第5作者
（3）Simulation and Optimization of Temperature Distribution in Induction Heating Reactor,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018-11,第5作者
（4）Simulation Study of Enhancement-Mode InAlN/GaN HEMT with InGaN Cap Layer,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018-11,第4作者
（5）Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018-11,第7作者
（6）Roles of polarization effects in InGaN/GaN solar cells and comparison of p-i-n and n-i-p structures,OPTICS EXPRESS,2018-10,第4作者
（7）Theoretical analysis of induction heating in high-temperature epitaxial growth system,AIP ADVANCES,2018-08,第6作者
（8）Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor Based on Computational Fluid Dynamics Modeling,CHIN. PHYS. LETT,2018-05,第5作者
（9）Gate Leakage and Breakdown Characteristics ofAlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer,Nanoscience and Nanotechnology Letters,2018-02,第7作者
（10）Fast electrical detection of carcinoembryonic antigen (CEA) based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor aptasensor,Chinese Physics Letters,2017-08,第5作者
（11）Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance,Superlattices and Microstructures,2017-03,第3作者
（12）Highly Sensitive Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization Using Au-Gated AlInN/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors,Chinese Physics Letters,2017-01,第5作者
（13）Theoretical investigations on the N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructures: Considering the existence of both two-dimensional hole and electron gases,Journal of Applied Physics,2016-12,第5作者
（14）Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/AlN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors,Chinese Physics Letters,2015-12,第3作者
（15）Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes,Phys. Status Solidi A,2015-05,第3作者
（16）InGaN GaN Multiple Quantum Well Solar Cells with Conversion Efficiency of 3.77,Chinese Physics Letters,2015,第2作者
（17）Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation,Journal of Applied Physics,2014-08,第3作者
（18）High voltage AlGaN/GaN based Lateral Schottky Barrier Diodes,Phys. Status Solidi A,2014-06,第3作者
（19）Analysis of Transconductance Characteristic of AlGaN/GaN HEMTs with Graded AlGaN layer,The European Physical Journal Applied Physics,2014-05,第3作者
（20）Enhanced Performance of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells with Patterned Sapphire Substrate,Journal of Semiconductors,2013-11,第11作者
（21）Growth and Fabrication of InGaN/ GaN Multi-Quantum Well Solar Cells on Si(111) Substrates,Chinese Physics Letters,2013-06,第11作者
（22）High performance AlGaN/GaN power switch with Si3N4 Insulation,Eur.Phys.J.Appl.Phys,2013-01,第3作者
（23）Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer,Journal of Alloys and Compounds,2013,第3作者
（24）Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures The effects of buffer acceptor and channel width,Journal of Applied Physics,2013,第3作者
（25）Theoretical simulations of InGaN/Si mechanically stacked two-junction solar cell,Physica B,2013,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 全光谱InGaN太阳能电池, 主持,省级,2016-01--2017-12
（ 2 ） 高速低损耗GaN基功率开关器件用外延材料, 主持,国家级,2014-01--2016-12
（ 3 ） 3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD 装备研制, 参与,部委级,2011-01--2013-12
（ 4 ） 4英寸AlGaN/GaN****, 参与,国家级,2016-01--2018-12
（ 5 ） 高温MOCVD****, 参与,国家级,2014-01--2016-12
（ 6 ） 核高基国家科技重大专项（Ku***）, 参与,国家级,2009-01--2012-12
（ 7 ） 高质量GaN基HEMT材料研究, 主持,国家级,2016-11--2018-10

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生