基本信息
魏珂 男 硕导 微电子研究所
电子邮件：weike@ime.ac.cn
通信地址：北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：100029
部门/实验室：高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向 射频、微波器件与电路集成技术
微细加工


教育背景 1992-09--1996-07 南开大学 学士

学历 南开大学 --** 本科

学位 -- 学士


工作经历
工作简历 1996-10--今 中国科学院微电子研究所 学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息 （1） 北京市科技进步一等奖，一等奖，省级，2004

专利成果 （1） 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 ，发明，2010，第2作者，专利号：0.90
（2） 一种利用尺寸效应监控栅槽刻蚀的方法 ，发明，2010，第1作者，专利号：9.5
（3） 控制背孔剖面形状的方法 ，发明，2010，第1作者，专利号： 4.50
（4） 控制背孔剖面形状的方法 ，发明，2010，第1作者，专利号：1.10
（5） 一种提高AlGaN/GaN HEMT频率特性的方法 ，发明，2011，第2作者，专利号：6.10


出版信息
发表论文 （1） InGaN背势垒的fmax 达到200GHz GaN HEMT 器件，AlGaN/GaN HEMT with 200GHz fmax on sapphire substrate with InGaN back-barrier，微波与红外学报，2011，第2作者
（2） Ka 波段 GaN HEMT器件设计，Design and implementation of Ka-band AlGaN/GaN HEMTs”，微波与红外学报，2011，第3作者
（3） 源漏间距2.4um 高性能GaN HEMT，“High performance AlGaN/GaN HEMTs with 2.4um source–drain spacing”，，半导体学报，2010，第2作者
（4） GaN 栅结构的优化，Gate-structure optimization for high frequency power AlGaN/GaN HEMTs，半导体学报，2010，第3作者

发表著作

科研活动
科研项目 （1） 新型高频、大功率化合物半导体电子器件研究，参与，国家级，2010-01--2014-12
（2） GaN基毫米波功率器件与材料基础与关键技术研究，参与，国家级，2009-01--2013-12
（3） GaN 宽禁带微电子材料和器件重大基础问题研究”，主持，部委级，2008-01--2012-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生