基本信息
王晓亮男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： xlwang@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀清华东路甲35号
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
085208-电子与通信工程

招生方向宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备
MOCVD材料生长关键设备研制，GaN基电力电子器件


教育背景1992-03--1995-10中科院西安光机所、中科院半导体所博士
1987-07--1990-07西北大学、中科院西安光机所硕士
1980-09--1984-07西北大学本科

学历
学位

工作经历
工作简历2001-09~现在,中科院半导体所,研究员
1997-06~2001-09,中科院半导体研究所,副研究员
1996-01~1998-01,中科院半导体所,博士后
1992-03~1995-10,中科院西安光机所、中科院半导体所,博士
1987-07~1990-07,西北大学、中科院西安光机所,硕士
1984-07~1995-12,西北大学,讲师
1980-09~1984-07,西北大学,本科

社会兼职2015-09-01-今,山东大学“功能晶体及器件教育部重点实验室”学术委员会, 委员
2014-05-26-今,国家安全重大基础研究“石墨烯晶片级材料与毫米波器件基础研究”项目专家组, 专家
2011-01-01-今,中国科学院“北京地区机加工技术服务中心”管理委员会, 委员
2010-01-01-今,中国科学院创新科学仪器研制技术服务中心管理委员会, 委员
2010-01-01-今,西安交通大学“腾飞人才计划”, 教授
2009-12-31-今,工信部国防科技奖评审专家委员会, 专家
2007-06-14-今,西安交通大学“电子物理与器件教育部重点实验室”学术会员会, 委员
2007-01-01-今,全国半导体设备和材料标准化委员会材料分技术委员会, 委员
2006-01-01-今,中国电子学会半导体集成技术分会, 秘书长
2006-01-01-今,中国电子学会, 理事
2002-06-27-今,西安交通大学, 兼职教授


教授课程宽禁带半导体电子器件
宽禁带半导体电子器件（中国科学院大学、首席教授）
半导体物理与器件
半导体工艺
宽禁带电力电子器件
宽禁带半导体材料与器件


专利与奖励
奖励信息（1） 工信部科学技术进步奖, 一等奖, 部委级, 2017
（2） 北京市科学技术奖, 二等奖, 省级, 2012
（3） 全国优秀科技工作者, , 部委级, 2012
（4） 工信部科学技术成果奖, 一等奖, 部委级, 2009
（5） 中国科学院预先研究先进个人, , 部委级, 2006

专利成果（ 1 ） p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL1.4
（ 2 ） 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL2.9
（ 3 ） 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL8.9
（ 4 ） 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 8.8
（ 5 ） 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL5.2
（ 6 ） Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL6.7
（ 7 ） 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL3.0
（ 8 ） 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL7.1
（ 9 ） 金属有机物化学沉积设备的反应室, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL3.3
（ 10 ） 一种制备稀磁半导体薄膜的方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL5.2
（ 11 ） 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 3.2
（ 12 ） 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL4.0
（ 13 ） 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 6.9
（ 14 ） 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘, 2015, 第 1 作者, 专利号: 6.9
（ 15 ） 纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 9.4
（ 16 ） 一种用于薄膜材料生长的感应加热装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 4.2
（ 17 ） 一种基于电磁感应的加热装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 9.8
（ 18 ） 一种用于薄膜材料生长设备加热托盘的固定控制装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 5.7


出版信息
发表论文（1）1700V 34m 4H-SiC MOSFET With Retrograde Doping in Junction Field-Effect Transistor Region,2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC),2019-07,第11作者
（2）Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2019-05,第11作者
（3）Roles of polarization effects in InGaN/GaN solar cells and comparison of p-i-n and n-i-p structures,OPTICS EXPRESS,2018,第11作者
（4）Simulation and Optimization of Temperature Distribution in Induction Heating Reactor,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018,第11作者
（5）Flow Field and Temperature Field in GaN-MOCVD Reactor Based on Computational Fluid Dynamics Modeling,CHIN. PHYS. LETT,2018,第11作者
（6）Theoretical analysis of induction heating in high-temperature epitaxial growth system,AIP ADVANCES,2018,第11作者
（7）Simulation Study of Enhancement-Mode InAlN/GaN HEMT with InGaN Cap Layer,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018,第11作者
（8）Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018,第11作者
（9）Gate Leakage and Breakdown Characteristics ofAlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer,Nanoscience and Nanotechnology Letters,2018,第11作者
（10）Highly Sensitive Detection of Deoxyribonucleic Acid Hybridization Using Au-Gated AlInN/GaN High Electron Mobility Transistor-Based Sensors,Chinese Physics Letters,2017,第11作者
（11）Fast electrical detection of carcinoembryonic antigen (CEA) based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor aptasensor,Chinese Physics Letters,2017,第11作者
（12）Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance,Superlattices and Microstructures,2017,第11作者
（13）Impact of dual field plates on drain current degradation in InAlN/AlN/GaN HEMTs,Semicond. Sci. Technol,2017,第11作者
（14）Self-consistent simulation of two-dimensional electron gas characteristics of a novel (InxAl1–xN/AlN) MQWs/InN/GaN heterostructure,Phys. Status Solidi A,2016,第11作者
（15）Theoretical investigations on the N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructures: Considering the existence of both two-dimensional hole and electron gases,Journal of Applied Physics,2016,第11作者
（16）Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes,Phys. Status Solidi A,2015,第11作者
（17）A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility,CHIN. PHYS. LETT,2015,第11作者
（18）High performance AlGaN/GaN power switch with Si3N4 Insulation,Eur.Phys.J.Appl.Phys.,2013,第2作者
（19）Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer,Journal of Alloys and Compounds,2013,第2作者
（20）The Valence Band Offset of an Al0.17Ga0.83N/GaN Heterojunction Determined by,Chinese Phyics Letter,2013,第2作者
（21）A 2nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures,Applied Physics Letters,2012,第2作者
（22）The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure.,Eur.Phys.J.Appl.Phys.,2012,第2作者
（23）Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures,Journal of Alloys and Compounds,2012,第2作者
（24）Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1_xN/AlN)SLs/GaN heterostructures,Physica B,2012,第2作者
（25）Raman study on dislocation in high Al content AlxGa1-xN,Eur.Phys.J.Appl.Phys.,2012,第2作者
（26）An investigation on InxGa1？xN/GaN multiple quantum well solar cells,Journal of Physics D: Applied Physics,2011,第2作者
（27）Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer,Journal of Crystal Growth,2011,第2作者
（28）Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates,Journal of Crystal Growth,2011,第2作者
（29）Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN,Applied Physics Letters,2011,第2作者
（30）An Internally-matched GaN HEMTs Device with 45.2 W at 8 GHz for X band application,Solid State Electronics,2009,第1作者
（31）High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz,Solid State Electronics,2008,第1作者
（32）MOCVD-grown high mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate,Journal of Crystal Growth,2007,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 核高基国家科技重大专项（Ku****）, 主持,国家级,2009-01--2012-12
（ 2 ） InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用, 主持,国家级,2012-01--2016-08
（ 3 ） GaN 基毫米波功率器件与材料的新结构研究, 主持,国家级,2009-01--2012-12
（ 4 ） 3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD装备研制, 主持,部委级,2011-11--2013-10
（ 5 ） 核高基国家科技重大专项（宽带****）, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 6 ） SiC衬底HEMT结构材料生长技术研究, 主持,国家级,2011-01--2015-12
（ 7 ） 毫米波GaN功率器件和电路研究, 主持,国家级,2010-01--2014-12
（ 8 ） 核高基国家科技重大专项（宽带*****）, 主持,国家级,2014-01--2016-12
（ 9 ） 高温MOCVD****, 主持,国家级,2014-01--2016-12
（ 10 ） 4英寸AlGaN/GaN******, 参与,国家级,2016-01--2018-12
（ 11 ） 毫米波GaN****, 参与,国家级,2012-01--2016-12
（ 12 ） GaN基功率器件基础问题研究, 主持,国家级,2014-01--2018-12
（ 13 ） GaN同质外延生长技术研究, 主持,研究所（学校）,2016-01--2018-12
（ 14 ） 宽推3期, 主持,国家级,2017-01--2020-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生