基本信息
王晓磊男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： wangxiaolei@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
部门/实验室：先导中心
研究领域锗基逻辑器件的界面和输运特性

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向锗逻辑器件界面及输运特性；负电容晶体管的界面特性
负电容晶体管的界面特性


教育背景2008-09--2013-06中国科学院大学博士
2004-09--2008-06西北工业大学学士

学历研究生

学位博士

本科2004-2008年：西北工业大学，应用物理系

博士2008-2013年：中国科学院大学

工作经历2013年7月至今：中国科学院微电子研究所

工作简历2013-07~现在,中国科学院微电子研究所,助理研究员/副研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Experimental Investigation of Remote Coulomb Scattering on Mobility Degradation of Ge pMOSFET by Various PDA Ambiences,IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2019,通讯作者
（2）Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface,Appl. Phys. Lett.,2018,通讯作者
（3）Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation,Semiconductor Science and Technology,2018,通讯作者
（4）Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate stacks of Ge MOS capacitor by postdeposition annealing,Jpn. J Appl. Phys.,2018,通讯作者
（5）Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs,IEEE Trans. Electron Devices,2017,第1作者
（6）Hole mobility degradation by remote Coulomb scattering and charge distribution in Al2O3/GeOx gate stacks in bulk Ge pMOSFET with GeOx grown by ozone oxidation,J. Phys. D: Appl. Phys.,2017,通讯作者
（7）Experimental estimation of charge neutrality level of SiO2,Appl. Surf. Sci.,2017,通讯作者
（8）Investigation of Thermal Atomic Layer Deposited TaAlC with Low Effective Work-Function on HfO2 Dielectric Using TaCl5 and TEA as Precursors,ECS J. Solid State Sci. Technol.,2017,通讯作者
（9）Experimental investigation on oxidation kinetics of germanium by ozone,Appl. Surf. Sci.,2016,第1作者
（10）Remote interfacial dipole scattering and electron mobility degradation in Ge field-effect transistors with GeOx/Al2O3 gate dielectrics,J. Phys. D: Appl. Phys.,2016,第1作者
（11）Investigation of spatial charge distribution and electrical dipole in atomic layer deposited Al2O3 on 4H-SiC,J. Phys. D: Appl. Phys.,2016,第1作者
（12）Dependence of electrostatic potential distribution of Al2O3/Ge structure on Al2O3 thickness,Surf. Sci.,2016,第1作者
（13）Investigation on the dominant key to achieve superior Ge surface passivation by GeOx based on the ozone oxidation,Appl. Surf. Sci.,2015,第1作者
（14）A possible origin of core-level shifts in SiO2/Si stacks,Appl. Phys. Lett.,2013,第1作者
（15）Reexamination of band offset transitivity employing oxide heterojunctions,Appl. Phys. Lett.,2013,第1作者
（16）Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure,Appl. Phys. Lett.,2012,第1作者
（17）Band alignment of TiN/HfO2 interface of TiN/HfO2/SiO2/Si stack,Appl. Phys. Lett.,2012,第1作者
（18）Electric Dipole at High-k/SiO2 Interface and Physical Origin by Dielectric Contact Induced Gap States,Jpn. J. Appl. Phys.,2011,第1作者
（19）Physical origin of dipole formation at high-k/SiO2 interface in metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure,Appl. Phys. Lett.,2010,第1作者
（20）Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device,Appl. Phys. Lett.,2010,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 金属/界面层/n型锗结构中的固定电荷和界面偶极子对其接触电阻的调 制效果和机理的研究, 主持,国家级,2015-01--2018-12
（ 2 ） 中国科学院青年创新促进会, 主持,部委级,2014-01--2017-12
（ 3 ） 高k金属栅的阈值调控, 主持,国家级,2019-01--2020-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生现指导学生
孙晓清硕士研究生080903-微电子学与固体电子学