基本信息
王立新男博导中国科学院微电子研究所
电子邮件： wanglixin@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
部门/实验室：成果转化部-新微特
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向高可靠性器件与集成技术
集成电路设计技术


教育背景2009-09--2012-07中国科学院微电子研究所博士
2000-09--2003-07北京工业大学硕士
1996-09--2000-07河北工业大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2003-07~现在,中国科学院微电子研究所,研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 中国科学院微电子研究所科技进步奖, 一等奖, 研究所（学校）, 2012

专利成果

出版信息
发表论文（1）A Study of the Au-Al bonding lifetime for MOSFET devices,22nd international symposium on the physical and failure analysis of integrated circuits, 2015 IPFA,2015,第2作者
（2）星用功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究,电子元器件辐射效应国际会议,2015,第2作者
（3）半导体器件金铝键合的寿命研究,微电子学,2015,第2作者
（4）The effect of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO2–Si3N4 films [J],Chin. Phys. B，2013，Vol.22 No.3,2013,第3作者
（5）PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究,原子能科学技术,2013,第3作者
（6）抗加功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究,微电子学,2013,第3作者
（7）功率MOSFET的单粒子栅穿敏感区域的模拟研究,Simulation of the sensitive region to SEGR in Power MOSFETs,半导体学报,2012,第1作者
（8）星用功率VDMOS器件SEGR效应研究,核技术,2012,第1作者
（9）功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究,核电子学与探测技术,2012,第1作者
（10）高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究,电子设计工程,2012,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 第五、第六代高可靠功率MOSFET项目, 主持,国家级,2012-01--2018-12
（ 2 ） 高压VDMOS器件研制, 主持,部委级,2016-01--2017-12
（ 3 ） 27项装备核心器件国产化研制项目, 主持,国家级,2013-01--2018-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生已指导学生
董晨曦硕士研究生430109-电子与通信工程
肖超硕士研究生430110-集成电路工程
罗小梦硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
杨尊松硕士研究生085208-电子与通信工程
王荣超硕士研究生085208-电子与通信工程
现指导学生
王琳硕士研究生085209-集成电路工程
酒耐霞硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
陈润泽博士研究生080903-微电子学与固体电子学
何越峰博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张洪凯硕士研究生085209-集成电路工程