基本信息
苏永波男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： suyongbo@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
部门/实验室：高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向化合物半导体器件与射频集成电路


教育背景2006-09--2011-07中国科学院研究生院获得博士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2014-12~现在,中国科学院微电子研究所,副研究员
2011-07~2014-12,中国科学院微电子研究所,助理研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）a 75ghz 13.92 dbm inp dhbt cascode power amplifier,红外与毫米波,2012,第2作者
（2）An InGaAsInP W-band dynamic Frequency Divider by Two,红外与毫米波,2012,第2作者
（3）An InGaAs InP 40GHz CML Static Frequency Divider,半导体学报,2011,第1作者
（4）Ultra High-Speed InPInGaAs DHBTs with ft of 203GHz,半导体学报,2009,第1作者
（5）Study of AlN dielectric film on grapheme by Raman microscopy,Applied Physics Letters,2009,第2作者
（6）Common base multifinger submicron InGaAsInP double heterojunction bipolar transistor with fmax of 305GHz,Solid-State Electronics,2008,第2作者
（7）High BreakdownVoltage Submicron InGaAsInP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 170GHz and fmax of,中国物理快报,2008,第2作者
（8）High Current MultiFinger InGaAsInP Double Heterojunction Bipolar Transistor with the Maximum Oscillation Frequency 253GHz,中国物理快报,2008,第2作者
（9）HighSpeed InGaAsInP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage,中国物理快报,2008,第2作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 基于低频噪声机理分析的InP HBT可靠性研究, 主持,国家级,2014-01--2016-12
（ 2 ） InP DHB 高速AD技术研究, 主持,国家级,2016-09--2018-12
（ 3 ） 混频器, 主持,国家级,2017-09--2019-12
（ 4 ） 青促会, 主持,部委级,2015-01--2018-12
（ 5 ） 太赫兹三端电子器件研究, 参与,国家级,2010-01--2014-12
（ 6 ） InP基混频器MMIC, 参与,国家级,2014-09--2017-12
（ 7 ） InP HBT的超高速数字电路关键技术, 参与,国家级,2011-01--2015-12
（ 8 ） InP HEMT毫米波低噪声MMIC, 参与,国家级,2011-01--2015-12
（ 9 ） InP 3mm低噪声和功率MMIC, 参与,国家级,2014-01--2016-12
（ 10 ） 太赫兹HEMT器件基础研究, 参与,国家级,2015-01--2019-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生现指导学生
甄文祥硕士研究生080903-微电子学与固体电子学