基本信息
苏艳梅女硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： yanmeisu@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所1号楼406A
邮政编码：
部门/实验室：纳米光电子实验室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向特种红外及紫外探测技术


教育背景2002-04--2006-03中国科学院半导体研究所博士
1999-09--2002-03北京交通大学 光电子研究所硕士
1995-09--1999-07北京交通大学 物理系学士

学历
学位

工作经历
工作简历2009-01~现在,中国科学院半导体研究所,副研究员
2006-04~2008-12,中国科学院半导体研究所,助理研究员
2002-04~2006-03,中国科学院半导体研究所,博士
1999-09~2002-03,北京交通大学 光电子研究所,硕士
1995-09~1999-07,北京交通大学 物理系,学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 7.8
（ 2 ） 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 5.5
（ 3 ） GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 07
（ 4 ） 透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵, 2013, 第 3 作者, 专利号: 83
（ 5 ） 紫外-红外双波段探测器及其制作方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: 76


出版信息
发表论文（1）283nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,《红外与激光工程》,2013,第4作者
（2）p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响,《物理学报》,2012,第4作者
（3）128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器,《红外与激光工程》,2012,第1作者
（4）160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制,《红外与激光工程》,2007,第2作者
（5）双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制,《红外与激光工程》,2007,第3作者
（6）128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列,《半导体学报》,2005,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 砷化镓刻蚀工艺对新型器件的适用性研究, 主持,院级,2015-09--2016-09
（ 2 ） 武汉永力科技股份有限公司-中国科学院半导体研究所特种探测技术联合实验室, 主持,院级,2016-05--2019-05
（ 3 ） 128×128中/长波双色量子阱红外探测器核心芯片初级产业化研究, 主持,院级,2016-05--2019-05

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生