基本信息
倪海桥男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： nihq@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路35甲，中国科学院半导体研究所2#116
邮政编码： 100083
部门/实验室：超晶格国家重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理

招生方向半导体激光器，探测器
分子束外延，光电子器件，THz器件


教育背景1997-09--2002-07新加坡国立大学博士
1992-09--1995-07北京航空航天大学硕士
1988-09--1992-07北京航空航天大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2015-09~2016-08,中国科学院半导体研究所,研究员
2005-09~2015-09,中国科学院半导体研究所,副研究员
2002-09~2005-07,中国科学院半导体研究所,博士后
1997-09~2002-07,新加坡国立大学,博士
1992-09~1995-07,北京航空航天大学,硕士
1988-09~1992-07,北京航空航天大学,学士

社会兼职

教授课程微纳光电子材料与新型量子器件
半导体微纳结构光电子与量子器件
半导体量子光电子学导论—半导体低维结构量子光电效应及量子光子器件


专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 多层量子点隧道结窜联的有源区带宽增益结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: 3.2
（ 2 ） 在衬底上生长异变缓冲层的方法 , 2011, 第 3 作者, 专利号: 9.9
（ 3 ） 制备微透镜阵列的方法 , 2012, 第 5 作者, 专利号: 4.1
（ 4 ） 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL9.9
（ 5 ） 硅基半导体超短脉冲激光器, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL0.5
（ 6 ） 共振隧穿二极管近红外探测器, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL4.1


出版信息
发表论文（1）蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究,外与激光工程,2019-09,第6作者
（2）Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy,中国物理B:英文版,2019-02,第3作者
（3）Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-μm quantum dot lasers,中国物理B:英文版,2019-02,第3作者
（4）High performance GaSb based digital-grown InGaSb/AlGaAsSb mid-infrared lasers and bars,中国物理B:英文版,2019-01,第10作者
（5）Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors,Chin. Phys. B,2018,第3作者
（6）Quantum frequency down-conversion of single photons at 1552 nm from single InAs quantum dot,Chin. Phys. B,2018,第5作者
（7）GaSb大功率激光器,High-power GaSb-based microstripe broad-area lasers,Applied Physics Express,2018,第10作者
（8）2 μm GaSb 基大功率半导体激光器研究进展,红外与激光工程,2018,第10作者
（9）3~4 μm 锑化物带间级联激光器研究进展(特邀),红外与激光工程,2018,第10作者
（10）Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector?,Chin. Phys. B,2018,第7作者
（11）1.3微米单光子发射,1.3 μm single-photon emission from strain-coupled bilayer of InAs/GaAs quantum dots at the temperature up to 120?K,Appl. Phys. Lett.,2017,第3作者
（12）GaAs/AlGaAs量子阱自旋各向异性,Anisotropic in-plane spin dynamics in (110)-oriented GaAs/AlGaAs multiple quantum well,Journal of Applied Physics,2017,第3作者
（13）A deterministic quantum dot micropillar single photon source with >65% extraction efciency based on fuorescence imaging method,nature，ScIEnTIfIc REPOrtS | 7: 13986 | DOI:10.1038/s41598-017-13433-w,2017,第7作者
（14）Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm,Chin. Phys. B,2017,第7作者
（15）HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析,红外与毫米波学报,2017,第6作者
（16）Spectral dynamical behavior in two-section, quantum well, mode-locked laser at 1.064 μm,Chin. Phys. B,2017,第7作者
（17）High-Power Single-Spatial-Mode GaSb Tapered Laser around 2.0 μm with Very Small Lateral Beam Divergence ?,CHIN. PHYS. LETT.,2017,第7作者
（18）Intracavity Spontaneous Parametric Down-Conversion in Bragg Reflection Waveguide Edge Emitting Diode,CHIN. PHYS. LETT,2017,第6作者
（19）Electron spin dynamics study of bulk p-GaAs: The screening effect,Appl. Phys. Lett. ,2013,第3作者
（20）High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate,Appl. Phys.,2011,第11作者
（21）Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio,Appl. Phys. Lett. ,2010,第4作者
（22）
发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 锑化物纳米结构中红外激光与探测器, 主持,国家级,2013-01--2017-12
（ 2 ） 基于半导体单量子点谐振腔耦合结构的超低功耗纳米发光管, 主持,国家级,2013-01--2016-12
（ 3 ） 基于Sb化物窄带量子阱的3微米波段中红外高功率激光器研究, 主持,国家级,2015-01--2019-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生