基本信息
马英杰男中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： mayingjie@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号
邮政编码：

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件
080901-物理电子学

招生方向半导体物理；半导体材料
半导体光电器件；半导体工艺
红外探测器；焦平面探测器


教育背景2009-09--2014-06复旦大学博士
2005-09--2009-06华东理工大学本科

学历
学位

工作经历
工作简历2018-09~现在,中国科学院上海技术物理研究所,副研究员
2016-07~2018-03,美国加州大学洛杉矶分校,访问
2014-07~2018-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,助理研究员/副研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 2-3 微米波段InP 基无锑量子阱激光器材料、器件及应用, 三等奖, 省级, 2015

专利成果（ 1 ） 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层生长方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 2.0
（ 2 ） 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL0.8
（ 3 ） 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL6.X
（ 4 ） 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL4.9
（ 5 ） 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL3.6
（ 6 ） 一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 7.7
（ 7 ） 一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 1.3


出版信息
发表论文（1）Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors,Optics Express,2018,第1作者
（2）A versatile digitally-graded buffer structure for metamorphic device applications,Journal of Physics D: Applied Physics,2018,第1作者
（3）Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications,Advanced Optical Materials,2017,第1作者
（4）2.25 μm Avalanche Photodiodes Using Metamorphic Absorber and Lattice-Matched Multiplier on InP,IEEE Photonics Technology Letters,2017,第1作者
（5）Impact of etching on the surface leakage generation in mesa-type InGaAs/InAlAs avalanche photodetectors,Optics Express,2016,第1作者

发表著作（1）半导体光谱测试方法与技术,科学出版社（北京）,2016-01,第3作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 基于高铟异变结构的铟镓砷红外APD波长扩展研究, 主持,国家级,2017-01--2019-12
（ 2 ） 航天激光三维成像近红外APD研究, 参与,国家级,2017-01--2020-12
（ 3 ） Design of waveguide InGaAs/InAlAs APDs towards 50-GHz bandwidth and beyond, 主持,院级,2017-12--2019-09
（ 4 ） 波长扩展InGaAs大面积高性能探测材料及器件研究, 参与,国家级,2016-07--2020-12

参与会议

合作情况
项目协作单位