基本信息
李璟女硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： lijing2006@semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所5号楼421
邮政编码： 100083
部门/实验室：半导体照明研发中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向LED新型器件与Micro-LED显示及应用
LED新型器件、先进封装与应用发展研究


教育背景2004-09--2007-06中科院半导体所光电子工程中心博士
1995-09--1998-06南开大学光电子所硕士
1991-09--1995-06内蒙古大学电子系本科

学历
学位

工作经历
工作简历2007-06~现在,中科院半导体所照明中心,副总工程师
2004-09~2007-06,中科院半导体所光电子工程中心,博士
2003-09~2004-09,中科院半导体所光电子工程中心（海特公司）,工艺主管
1998-07~2003-06,清华大学OLED课题组,工艺部经理
1995-09~1998-06,南开大学光电子所,硕士
1991-09~1995-06,内蒙古大学电子系,本科

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 北京市科学技术一等奖, 一等奖, 省级, 2012

专利成果（ 1 ） 具有高提取效率的GaN基LED芯片制作方法 , 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 1.2
（ 2 ） 一种低损伤GaN基LED芯片的制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN A
（ 3 ） 具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 7.1
（ 4 ） 提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 5.X
（ 5 ） 具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 , 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 4.7
（ 6 ） 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 0.2
（ 7 ） 一种GaN基LED中N电极的制作方法 , 2012, 第 1 作者, 专利号: CN A
（ 8 ） 制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 3.4
（ 9 ） 制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 0.6
（ 10 ） 半导体激光器引脚式封装结构及方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 2.1
（ 11 ） 一种低成本超小点距LED全彩显示阵列的制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 8.X
（ 12 ） 一种制作小间距LED全彩显示阵列的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 8.8
（ 13 ） 一种晶圆级红光LED倒装芯片的制作方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 3.9
（ 14 ） 一种封装与散热一体化LED高功率光源模组结构, 2015, 第 1 作者, 专利号: 5.1
（ 15 ） 提高散热性能的高功率LED光源模组, 2017, 第 1 作者, 专利号: 20**.5
（ 16 ） 一种LED全彩显示阵列及其制作方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 8.X
（ 17 ） 红光LED全彩显示阵列及其制作方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 3.9


出版信息
发表论文（1）在UVA LED中采用应变P-AlInGaN插入层实现P-GaN欧姆接触,The realization of p-GaN ohmic contact by using strained p-AlInGaN interlayer and its application in UVA LEDs,Japanese Journal of Applied Physics,2019,第2作者
（2）采用电化学腐蚀法制备AlGaN DBR反射镜增强365nm UVLED性能,Performance-enhanced 365nm UV LEDs with electrochemically etched nanoporous AlGaN distributed Bragg reflectors,Nanomaterials,2019,第2作者
（3）驱动电流和环境温度对于RGB LED显示器件波长和亮度的影响,Influence of drive current and ambient temperature on intensity and wavelength of RGB LEDs for displays,Modern Physics Letters B,2018,第2作者
（4）通过侧壁腐蚀工艺和空气桥互连工艺提高GaN基高压LED阵列光输出功率的研究,Enhancement of Light Output Power of GaN-Based Monolithic Light-Emitting Diodes array by curved GaN sidewall and air-bridge metal interconnect,E-MRS 2013 SPRING MEETING,2013,第2作者
（5）GaN基高压LED阵列的制备研究,The fabrication of GaN-based high-voltage light-emitting diodes array,9th China International Forum on Solid State Lighting ,2013,第3作者
（6）采用CsCl纳米球粗化ITO表面提高GaN基LED光提取效率的研究,Enhancement in the light output power of GaN-based light-emitting diodes with nanotextured Indium Tin Oxide layer using self-assembled Cesium Chloride nanospheres,Japanese Journal of Applied Physics ,2012,第2作者
（7）电极分离的980nm锥形激光器的研制,High－Brightness Tapered Diode Lasers Emitting at 980nm with Electrically Separated Ridge Waveguide and Tapered Section,Chinese Journal of Semiconductors,2008,第1作者
（8）高功率980nm锥形激光器的研究,High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 980-nm,Chinese Journal of Semiconductors,2007,第1作者
（9）高功率14xxnm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制,High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 14xxnm,Chinese Journal of Semiconductors,2007,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） “863"《阵列式高压交/直流（AC/HV）LED芯片产业化技术研究》, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 2 ） 《蓝光LED外延片关键技术开发及产业化》, 主持,部委级,2011-04--2013-12
（ 3 ） 高清LED显示技术及应用产品推广, 主持,部委级,2014-01--2017-01
（ 4 ） 小间距显示用LED垂直结构绿光蓝光及倒装红光蓝光绿光小芯片制备技术研究, 主持,国家级,2017-07--2020-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生