基本信息
李晋闽男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： jmli@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083
部门/实验室：半导体照明研发中心
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
085204-材料工程

招生方向III族氮化物半导体材料与器件
微纳光电功能材料与器件物理，大功率激光器与全固态激光技术
半导体照明关键技术与应用


教育背景1987-12--2001-05中国科学院西安光机所博士
1982-09--2016-08电子工业部第十三研究所硕士学位
1978-09--1982-07西安交通大学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历1995-06~现在,中国科学院半导体研究所,研究员
1993-08~1995-05,中国科学院半导体研究所,副研究员
1991-05~1993-07,中国科学院半导体研究所,博士后
1987-12~2001-05,中国科学院西安光机所,博士
1984-01~1987-08,电子工业部第十三研究所,助理工程师
1982-09~2016-08,电子工业部第十三研究所,硕士学位
1978-09~1982-07,西安交通大学,学士学位

社会兼职2004-09-29-今,国家半导体照明工程研发及产业联盟, 执行主席


教授课程宽禁带半导体发光材料
第三代半导体材料及应用


专利与奖励
奖励信息（1） 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化, 一等奖, 国家级, 2019
（2） 山西省科技创新特殊贡献奖, 省级, 2019
（3） 2017年中国产学研合作突出贡献奖（共10名）, , 其他, 2017
（4） 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术, 二等奖, 国家级, 2015
（5） 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
（6） 高功率全固态激光器关键技术及应用研究, 二等奖, 省级, 2014
（7） 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法, 部委级, 2014
（8） 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012

专利成果（ 1 ） Fabrication Method of GaN Power LEDs with Electrodes Formed by Composite Optical Coatings, 2011, 第 1 作者, 专利号: US 7,704,764 B2
（ 2 ） Method for Manufacturing a GaN Based LED of a Black Hole Structure, 2008, 第 1 作者, 专利号: US 7,285,431 B2
（ 3 ） 低热阻LED封装结构及封装方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 3.4
（ 4 ） 柔性发光器件阵列及其制作方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 5.X
（ 5 ） 一种紫外发光二极管器件的制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 2.X
（ 6 ） LED倒装基板的结构, 2017, 第 4 作者, 专利号: 9.7
（ 7 ） 一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 8.8
（ 8 ） 硅衬底及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 3.5
（ 9 ） 一种倒装结构发光二极管及其制作方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 4.9
（ 10 ） Packaging structure of light emitting diode and method of manufacture the same, 2016, 第 1 作者, 专利号: US 9,246,052 B2


出版信息
发表论文（1）Improved Epitaxy of AlN Film for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Enabled by Graphene,Advanced Materials,2019-04,第11作者
（2）Direct van der Waals Epitaxy of Crack-Free AlN Thin Film on Epitaxial WS2,Materials,2018-12,第11作者
（3）Direct Growth of AlGaN Nanorod LEDs on Graphene-Covered Si,Materials,2018-11,第12作者
（4）Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire,J. Am. Chem. Soc.,,2018-09,第11作者
（5）High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer,Adv. Mater.,2018,第11作者
（6）Introducing carbon dots to moderate the blue emission from zinc vanadium oxide hydroxide hydrate nanoplates,RSC Adv.,2018,第11作者
（7）GaN with Laterally Aligned Nanopores to Enhance the Water Splitting,Journal of Physical Chemistry C,2017,第8作者
（8）Sapphire substrate sidewall shaping of deep ultraviolet light-emitting diodes by picosecond laser multiple scribing,Applied Physics Express,2017,第10作者
（9）Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening,APPLIED PHYSICS LETTERS,2017,第10作者
（10）Deep-ultraviolet stimulated emission from AlGaN/AlN multiple-quantum-wells on nano-patterned AlN/sapphire templates with reduced threshold power density,Journal of Alloys and Compounds,2017,第11作者
（11）AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes on sputter-deposited AlN templates with epitaxial AlN/AlGaN superlattices,Superlattices and Microstructures,2017,第10作者
（12）Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/ sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition?,CrystEngComm,2017,第11作者
（13）Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/ sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition?,CrystEngComm,2017,第11作者
（14）High-detectivity ultraviolet photodetectors based on laterally mesoporous GaN,Nanoscale,2017,第8作者
（15）Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition,CrystEngComm （SCI）,2017,第11作者
（16）Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission,IEEE Photonics Journal,2016,第11作者
（17）Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells,Nanoscale,2016,第11作者
（18）Stimulated emission at 272 nm from an Al x Ga 1?x N- based multiple-quantum-well laser with two-step etched facets,RSC Advances,2016,第11作者
（19）Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on the Thermal Quenching of UVL Band,IEEE Photonics Journal,2016,第8作者

发表著作（ 1 ） Thermal Management for LED Applications,Thermal Management for LED Applications,斯普林格出版社,2014-02,第1作者
（ 2 ） Ⅲ族氮化物发光二极管技术原理及其应用,III-Nitride Based Light Emitting Diode Technology and Applications,科学出版社,2016-10,第1作者
（ 3 ） 紫外光电子器件,III-Nitride Ultraviolet Emitters,化学工业出版社/Springer,2017-08,第3作者
（ 4 ） Light-Emitting Diodes,Light-Emitting Diodes,Springer,2018-12,第1作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制, 主持,国家级,2016-01--2020-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生