基本信息
李博男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： libo3@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：硅器件中心
研究领域半导体器件和集成电路辐照效应和抗辐射加固技术

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
080804-电力电子与电力传动

招生方向纳米器件及电路的辐射效应
高可靠器件工艺及设计加固新方法
高可靠新型非易失存储器技术


教育背景2008-08--2012-05法国里昂国立应用科学院博士
2005-09--2008-01北京交通大学硕士
2001-09--2005-07北京交通大学本科

学历
学位

工作经历
工作简历2016-06~2016-09,法国国家科学院,访问
2016-01~现在,中国科学院微电子研究所,副研究员
2012-10~2016-01,中国科学院微电子研究所,助理研究员

社会兼职2016-01-01-2020-01-01,中国科学院青年创新促进会会员, 会员


教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 微电子所第二届“科研新星”, 一等奖, 研究所（学校）, 2015

专利成果（ 1 ） 带隙基准电压产生装置, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 7.7
（ 2 ） 一种抗辐射带隙基准电路的加固方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 7.X


出版信息
发表论文（1）Comparison of 10 MeV Electron Beam Radiation Effect on InGaN/GaN and GaN/AlGaN Multiple Quantum Wells,Journal of Luminescence,2019,第2作者
（2）Total ionizing dose and single event effects of 1?Mb HfO2-based resistive-random-access memory,Microelectronics Reliability,2018,第4作者
（3）Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment,Microelectronics Reliability,2018,第4作者
（4）Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs,Microelectronics Reliability,2018,第1作者
（5）A single event upset tolerant latch design,Microelectronics Reliability,2018,第9作者
（6）Total dose effect of Al2O3-based metal–oxide–semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation,Semiconductor Science and Technology,2018,通讯作者
（7）Studies of radiation effects in Al2O3-based MOS structures induced by Si heavy ions,Journal of Applied Physics,2018,通讯作者
（8）Impact of γ-ray irradiation on graphene nano-disc non-volatile memory,Applied Physics Letters,2018,第4作者
（9）Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor,Science China Information Sciences,2018,第5作者
（10）体硅nFinFET总剂量效应三维TCAD仿真研究,微电子学与计算机,2018,通讯作者
（11）An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure,IEEE Transactions on Nuclear Science,2018,通讯作者
（12）Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs with On-state Bias Irradiation,IEEE Transactions on Nuclear Science,2018,通讯作者
（13）A digital dual-modulation control for single-phase UPS inverters,International Journal of Electronics,2018,通讯作者
（14）Single-Event Burnout Hardening of Planar Power MOSFET with Partially Widened Trench Source,Journal of Semiconductors,2018,第5作者
（15）Modeling the threshold voltage variation induced by channel random dopant fluctuation in fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs,Japanese Journal of Applied Physics,2018,第5作者
（16）极端低温下SiGe HBT器件研究进展,微电子学,2017,通讯作者
（17）A new type of magnetism-controllable Mn-based single-molecule magnet,Journal of Magnetism and Magnetic Materials,2017,第4作者
（18）Total ionizing radiation-induced read bit-errors in toggle magnetoresistive random-access memory devices,Chinese Physics B,2017,第4作者
（19）Superjunction nanoscale partially narrow mesa IGBT towards superior performance,Chinese Physics B,2017,第5作者
（20）Numerical simulation and experiments on mono-polar negative corona discharge applied in nanocomposites,IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation,2017,通讯作者
（21）Synthesis of monoclinic structure gallium oxide film on sapphire substrate by magnetron sputtering,Optoelectronics Letters,2017,第9作者
（22）A controllable synthesis of uniform MoS2 monolayers on annealed molybdenum foils,Materials Letters,2017,其他（合作组作者）
（23）基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究,微电子学与计算机,2017,第4作者
（24）应用于Buck电路的滑模算法研究,微电子学,2017,通讯作者
（25）Effect of cryogenic temperature characteristics on 0.18-μm silicon-on-insulator devices,Chinese Physics B,2016,通讯作者
（26）极端低温下硅基器件和电路特性研究进展,微电子学,2015,第3作者
（27）锁相环敏感模块的单粒子效应与设计加固,半导体技术,2015,通讯作者
（28）一种基于标准CMOS工艺实现的锁相环电路,电子设计工程,2015,第3作者
（29）Digital Controller Candidate for Point-of-load Synchronous Buck Converter in Tri-mode Mechanism,Journal of Power Electronics,2014,第3作者
（30）A Digital Dual-State-Variable Predictive Controller for High Switching Frequency Buck Converter With Improved Sigma-Delta DPWM,IEEE Transactions on Industrial Informatics,2012,第1作者
（31）Low Power Digital Alternative to Analog Control of Step-Down Converter,Journal of Low Power Electronics,2012,第1作者

发表著作（1）非易失自旋集成电路技术,Spin Transfer Torque (STT) Based Devices, Circuits and Memory,电子工业出版社,2019-01,第3作者


科研活动
科研项目（ 1 ） SOI 工艺带隙基准损伤机理及加固方法进行研究, 主持,部委级,2014-10--2017-12
（ 2 ） 采用重离子微束对模拟集成电路可靠性的研究, 参与,部委级,2016-01--2017-12
（ 3 ） 20M SRAM 项目, 参与,国家级,2016-01--2019-01
（ 4 ） 堆叠纳米线围栅器件的辐射损伤机理及在线增强自修复机制研究, 主持,国家级,2019-01--2022-12
（ 5 ） 新一代抗辐射材料与器件, 主持,市地级,2019-01--2020-12

参与会议（1）Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs2018-10-01
（2）堆叠纳米线围栅器件的辐射与自加热协同效应仿真研究第三届全国辐射物理学术交流会CRPS**-07-21
（3）The dependence of single event effect on heavy ion angular irradiation by Geant4 simulation2018-05-17
（4）Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs2017-10-02
（5）An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure2017-10-01
（6）The current observer design for buck converter2016-09-28
（7）An SEE Prognostic Cell Embedded Rad-hard Digital Controller for Next Generation DC-DC Converter in Space2015-07-09
（8）A Digital Direct Controller for Buck Converter2014-10-08
（9）An FPGA Prototype of Current and Voltage Predictive Controller for High Switching Frequency Buck Converter2012-10-25
（10）MASH Δ-Σ DPWM Based Sliding-mode Controller Dedicating to High Frequency SMPS2011-08-30
（11）Design and Implementation of the Digital Controller for Boost Converter based on FPGA2011-06-27


合作情况
项目协作单位

指导学生现指导学生
高鹤硕士研究生085208-电子与通信工程
郎丰涛硕士研究生085208-电子与通信工程
张悦硕士研究生085208-电子与通信工程
丁皓南硕士研究生085209-集成电路工程
王振伟硕士研究生085209-集成电路工程