基本信息
顾溢男 博导中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： guyi@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号
邮政编码：


研究领域化合物半导体材料、器件与应用

教育背景2004-09--2009-06中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士
2000-09--2004-08南京大学学士


工作经历
工作简历2018-09~现在,中国科学院上海技术物理研究所,研究员
2018-01~2018-09,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究员
2015-09~2016-02,英国谢菲尔德大学,访问
2012-02~2012-04,瑞典查尔姆斯理工大学,访问
2012-01~2017-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,副研究员
2009-06~2011-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,助理研究员


专利与奖励
奖励信息（1） 上海市技术发明奖, 三等奖, 省级, 2015
（2） 上海市科技进步二等奖, 二等奖, 省级, 2012

专利成果（ 1 ） 用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: ZL2.9
（ 2 ） InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 3 ） 基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法 , 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 4 ） 利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 5 ） 一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 6 ） 一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 7 ） 一种脉冲激光器驱动装置, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL6.1
（ 8 ） 一种微型宽脉冲范围双波长光感基因刺激装置, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL8.8
（ 9 ） 一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: 20**
（ 10 ） GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 11 ） 一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 12 ） 一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 13 ） 基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 14 ） 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: ZL8.5
（ 15 ） 用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: ZL3.1
（ 16 ） 一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: 2.7
（ 17 ） 一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 5.6
（ 18 ） 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 1.X
（ 19 ） 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: 4.9
（ 20 ） 一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 1.7
（ 21 ） 一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL20**
（ 22 ） 利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL20**
（ 23 ） 基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL20**
（ 24 ） 一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: ZL20**
（ 25 ） 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 3.6
（ 26 ） 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 0.8
（ 27 ） 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 2.0
（ 28 ） 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: .X
（ 29 ） 一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 7.X
（ 30 ） 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: ZL3.6
（ 31 ） 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: ZL0.8
（ 32 ） 一种结合带间和价带子带间吸收的稀铋量子阱探测器及制备方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL1.7
（ 33 ） 一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL5.6
（ 34 ） 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: ZL2.0
（ 35 ） 一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: ZL7.X
（ 36 ） 一种分子束外延中标定衬底表面实际温度的方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: ZL3.1


出版信息
发表论文（1）Optimization of In0.6Ga0.4As/InAs electron barrier for In0.74Ga0.26As detectors grown by molecular beam epitaxy,Journal of Crystal Growth,2019,通讯作者
（2）Mid-infrared type-I InAs/In0.83Al0.17As quantum wells grown on GaP and InP by gas source molecular beam epitaxy,Journal of Crystal Growth,2019,通讯作者
（3）Growth mechanisms for InAs/GaAs QDs with and without Bi surfactants,Materials Research Express,2019,通讯作者
（4）Monolithically grown 2.5 μmInGaAs photodetector structures on GaP and GaP/Si (001) substrates,Materials Research Express,2019,通讯作者
（5）Frequency response of barrier type 2.6 μm In0.83Ga0.17As/In0.83Al0.17As photodetectors on InP,Physica Status Solidi A,2019,通讯作者
（6）Anomalous arsenic diffusion at InGaAs/InP interface,Materials Research Express,2019,通讯作者
（7）3 μm InAs quantum well lasers at room temperature on InP,Applied Physics Letters,2019,通讯作者
（8）Mid-infrared emissions from In(Ga)As quantum wells grown on GaP/Si(001) substrates,AIP Advances,2019,通讯作者
（9）Improved performance of high indium InGaAs photodetectors with InAlAs barrier,Japanese Journal of Applied Physics,2018,通讯作者
（10）Composition uniformity characterization and improvement of AlGaAs/GaAs grown by molecular beam epitaxy,Materials Science in Semiconductor Processing,2018,通讯作者
（11）Wavelength extended InGaAsBi detectors with temperature-insensitive response wavelength’,Chinese Physics Letters,2018,第2作者
（12）Improved performance of In0.83Ga0.17As/InP photodetectors through modifying the position of In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier,Infrared Physics and Technology,2018,第4作者
（13）Optimization of growth temperatures for InAlAs metamorphic buffers and high indium InGaAs on InP substrate,Journal of Infrared and Millimeter Waves,2018,通讯作者
（14）Short-wave infrared InGaAs photodetectors and focal plane arrays,Chinese Physics B,2018,第2作者
（15）Correction of FTIR acquired photodetector response spectra from mid-infrared to visible bands using onsite measured instrument function,Infrared Physics and Technology,2018,第4作者
（16）Growth temperature optimization of GaAs-based In0.83Ga0.17As on InxAl1-xAs buffers,Journal of Crystal Growth,2018,第2作者
（17）In0.83Ga0.17As photodetectors with different doping concentrations in the absorption layers,Infrared Physics and Technology,2018,第2作者
（18）IGA-rule 17 for performance estimation of wavelength extending InGaAs photodetectors: validity and limitations,Applied Optics,2018,第2作者
（19）Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors,Optics Express,2018,第3作者
（20）2.25-μm Avalanche Photodiodes Using Metamorphic Absorber and Lattice-Matched Multiplier on InP,Photonics Technology Letters,2017,第3作者
（21）Analysis of dark currents and deep level traps in InP- and GaAs-based In0.83Ga0.17As photodetectors,Journal of Crystal Growth,2017,第2作者
（22）Metamorphic InAs quantum well lasers on InP substrates with different well shapes and waveguides,Journal of Crystal Growth,2017,第1作者
（23）Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications,Advanced Optical Materials,2017,第3作者
（24）An effective indicator for evaluation of wavelength extending InGaAs photodetector technologies,Infrared Physics & Technology,2017,第2作者
（25）Anisotropic strain relaxation of Si-doped metamorphic InAlAs graded buffers on InP,Journal of Physics D: Applied Physics,2017,第1作者
（26）InP-based pseudomorphic InAs/InGaAs triangular quantum well lasers with bismuth surfactant,Applied Optics,2017,通讯作者
（27）An effective indicator for evaluation of wavelength extending InGaAs photodetector technologies,Infrared Physics & Technology,2017,第2作者
（28）Metamorphic InAs1-xBix/In0.83Al0.17As quantum well structures on InP for mid-infrared emission,Applied Physics Letters,2016,第1作者
（29）Impact of etching on the surface leakage generation in mesa-type InGaAs/InAlAs avalanche photodetectors,Optics Express,2016,第3作者
（30）InGaAsP/InP photodetectors targeting on 1.06 μm wavelength detection,Infrared Physics & Technology,2016,第2作者
（31）Effects of continuously or step-continuously graded buffer on the performance of wavelength extended InGaAs photodetectors,Journal of Crystal Growth,2016,第2作者
（32）Nearly lattice-matched short-wave infrared InGaAsBi detectors on InP,Applied Physics Letters,2016,第1作者
（33）Correction of intensity of emission spectra in a wide wave number range measured by FTIR,Journal of Infrared Millimeter and Waves,2016,第4作者
（34）InP-based type-I quantum well lasers up to 2.9 μm at 230 K in pulsed mode on a metamorphic buffer,Applied Physics Letters,2015,第1作者
（35）Carrier scattering and relaxation dynamics in n-type In0.83Ga0.17As as a function of temperature and doping density,J. Mater. Chem. C ,2015,第2作者
（36）Low voltage and small gain slope InAlAs/InGaAs avalanche photodiodes with a moderate p-doped multiplication layer”, ,Photonics Technology Letters ,2015,第3作者
（37）Dark current suppression in metamorphic In0.83Ga0.17As photodetectors with In0.66Ga0.34As/InAs superlattice electron barrier,Applied Physics Express,2015,第1作者
（38）Effects of material parameters on the temperature dependent spectral response of In0.83Ga0.17As photodetectors,Journal of Alloys and Compounds,2015,第3作者
（39）Effect of bismuth surfactant on InP-based highly strained InAs/InGaAs triangular quantum wells,Applied Physics Letters,2015,第1作者
（40）Effects of well widths and well numbers on InP-based triangular quantum well lasers beyond 2.4 μm,Journal of Crystal Growth,2015,第1作者
（41）Tailoring the performances of low operating voltage InAlAs/InGaAs avalanche photodetectors,Optics Express,2015,第3作者
（42）Optimization of InAlAs buffers for growth of GaAs-based high indium content InGaAs photodetectors,Journal of Crystal Growth,2015,第2作者
（43）Effects of continuously graded or step-graded InxAl1-xAs buffer on the performance of InP-based In0.83Ga0.17As photodetectors,Journal of Crystal Growth,2015,第2作者
（44）Correction of response spectra of quantum type photodetectors measured by FTIR,Journal of Infrared Millimeter and Waves,2015,第3作者
（45）InPBi Single Crystals Grown by Molecular Beam Epitaxy,Scientific Reports,2014,第2作者
（46）GaAs-based In0.83Ga0.17As photodetector structure grown by gas source molecular beam epitaxy,Journal of Crystal Growth,2014,第3作者
（47）2.4-μm InP-based antimony-free triangular quantum well lasers in continuous-wave operation above room temperature,Applied Physics Express,2014,第1作者
（48）Structural and optical characterizations of InPBi thin films grown by molecular beam epitaxy,Nanoscale Research Letters,2014,第1作者
（49）High performance InP-based InAs triangular quantum well lasers operating beyond 2 μm,Proc. of SPIE,2014,第1作者
（50）Fabrication of column shape two dimensional photonic crystals by holographic lithography using double development,J. Infrared Millim. Waves,2014,第4作者
（51）Improved performance of 2.2 μm InAs/InGaAs QW lasers on InP by using triangular wells,IEEE Photonics Technology Letters,2014,第3作者
（52）Performance correlated defects evaluation of metamorphic InGaAs photodetector structures through plane-view EBIC,Semiconductor Science and Technology,2014,第3作者
（53）Dark current characteristics of GaAs-based 2.6 μm InGaAs photodetectors on different types of InAlAs buffer layers,Journal of Physics D: Applied Physics,2014,第4作者
（54）Type-I mid-infrared InAs/InGaAs quantum well lasers on InP-based metamorphic InAlAs buffers,Journal of Physics D: Applied Physics,2013,第1作者
（55）Effects of compositional overshoot on InP-based InAlAs metamorphic graded buffer,J. Infrared Millim. Waves,2013,第2作者
（56）InP-based InxGa1-xAs metamorphic buffers with different mismatch grading rates,Chinese Journal of Semiconductors,2013,第2作者
（57）Absorption coefficients of In0.8Ga0.2As at room temperature and 77 K,Journal of Alloys and Compounds,2013,第3作者
（58）2.7 μm InAs quantum well lasers on InP-based InAlAs metamorphic buffer layers,Applied Physics Letters,2013,第3作者
（59）InAs/In0.83Al0.17As quantum wells on GaAs substrate with type-I emission at 2.9 μm,Applied Physics Letters,2013,第1作者
（60）Analysis and evaluation of uniformity of SWIR InGaAs FPA-Part II: processing issues and overall effects,Infrared Physics and Technology,2013,第3作者
（61）Effects of growth temperature and buffer scheme on characteristics of InP-based metamorphic InGaAs photodetectors,Journal of Crystal Growth,2013,第1作者
（62）Performance of gas source MBE grown InAlGaAs photovoltaic detectors tailored to 1.4 um,Journal of Crystal Growth,2013,第2作者
（63）The effect of the injector doping density on lasing properties of InAlAs-InGaAs-InP quantum cascade lasers at 4.3 um,Journal of Crystal Growth,2013,第3作者
（64）High quality strain‐compensated multiple InAs/AlGaNAs quantum dot layers grown by MBE,Physica Status Solidi (c),2013,第4作者
（65）Optical properties of InGaAsBi/GaAs strained quantum wells studied by temperature‐dependent photoluminescence,Chinese Physics B,2013,第1作者

发表著作（1）气态源分子束外延生长的波长扩展InGaAs探测器,Gas Source MBE Grown Wavelength Extending InGaAs Photodetectors,Intech,2011-11,第2作者
（2）特殊波长应用的Al(Ga)InP-GaAs探测器,Al(Ga)InP-GaAs photodiodes tailored for specific wavelength range,Intech,2012-09,第2作者
（3）应用于中红外的稀铋材料,Dilute Bismides for Mid-IR Applications,Springer,2013-09,第2作者
（4）InP-based antimony-free MQW lasers in 2-3 μm band,Intech,2015-07,第1作者
（5）《半导体光谱测试方法与技术》——半导体科学与技术丛书,科学出版社,2016-01,第2作者
（6）“Epitaxy and device properties of InGaAs photodetectors with relatively high lattice mismatch” Chapter in “Epitaxy”,Intech,2017-11,第2作者