基本信息
冯春女硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： cfeng@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号1号路606
邮政编码：
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向宽禁带半导体材料物理，半导体材料MOCVD生长、宽禁带半导体电力电子器件


教育背景2004-09--2009-07中国科学院半导体研究所获得博士学位
2000-09--2004-07北京航空航天大学获得工学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2015-01~2016-08,中国科学院半导体研究所,任副研究员
2009-09~2014-12,中国科学院半导体研究所,任助理研究员
2004-09~2009-07,中国科学院半导体研究所,获得博士学位
2000-09~2004-07,北京航空航天大学,获得工学学士学位

社会兼职

教授课程半导体的霍尔效应及霍尔检测方法
半导体材料检测技术


专利与奖励
奖励信息（1） 高性能GaN外延材料, 二等奖, 部委级, 2012

专利成果（ 1 ） 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL3.0
（ 2 ） 用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘, 2015, 第 5 作者, 专利号: 6.9
（ 3 ） 源输送混合比可调气路装置, 2014, 第 5 作者, 专利号: 4.8
（ 4 ） 一种基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 4.9
（ 5 ） 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 7.6
（ 6 ） 密封传动装置, 2014, 第 5 作者, 专利号: 4.8


出版信息
发表论文（1）Investigationof the current collapse induced in InGaN back barrier AlGaN/GaN high electron mobility transistors,Journal of Semiconductors,2013,第4作者
（2）Effect of CO on Characteristics of AlGaN/GaN Schottky Diode,Chin. Phys. Lett,2008,第1作者
（3）AlGaN-GaN型气体传感器对CO的响应研究,半导体学报,2008,第1作者
（4）Hydrogen sensors based on AlGaN/AlN/GaN Schottky diodes,Chinese Physics Letters,2008,第3作者
（5）Hydrogen sensors based on AlGaN/AlN/GaN HEMT,Microelectronics Journal,2008,第3作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） GaN基DNA生物传感器研究, 主持,国家级,2012-01--2014-12
（ 2 ） 面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用-高效率器件研究, 参与,国家级,2016-01--2020-12
（ 3 ） GaN功率器件及MMIC, 参与,国家级,2014-01--2016-12
（ 4 ） 宽带GaN微波功率器件及MMIC, 参与,国家级,2011-01--2013-12

参与会议（1）Fabrication and study on multi-gate-finger AlGaN/GaN power devices with Si3N4 as bridge2013-08-24


合作情况
项目协作单位

指导学生