基本信息
陈建新男博导中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： jianxinchen@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号
邮政编码： 200083

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向半导体光电子，半导体材料，红外探测器


教育背景1990-09--1995-07中科院上海微系统与信息技术研究所博士
1986-09--1990-07浙江大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2007-04~2009-09,美国普林斯顿大学,研究教授
2001-11~2007-03,美国Bell实验室,研究员
2000-06~2001-10,瑞士联邦工学院,研究员
1995-07~2000-05,中科院上海微系统与信息技术研究所,助理研究员、副研究员、研究员
1990-09~1995-07,中科院上海微系统与信息技术研究所,博士
1986-09~1990-07,浙江大学,学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） InP基OEIC结构的GSMB, 三等奖, 省级, 1999
（2） 几种不同波段的新型光电探测器, 三等奖, 院级, 1998
（3） 锑化镓、砷化镓和磷化铟基高质量, 三等奖, 国家级, 1997
（4） 超高速光电探测器, 三等奖, 院级, 1997
（5） MBE生长HBT用超薄多层异质, 二等奖, 院级, 1996
（6） 气态源分子束外延InP基及含磷, 三等奖, 院级, 1996

专利成果

出版信息
发表论文（1）Temperature-dependent photoluminescence of the InAs-based and GaSb-based type-II superlattices,Infrare Physics and Technology,2018,第11作者
（2）MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2017,第11作者
（3）Beryllium compensationdoped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2017,第11作者
（4）Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection,Optical Express,2017,第11作者
（5）Interface layer control and optimization of InAs/GaSb type-II superlatti,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2014,第11作者
（6）Studies on InAs/GaSb superlattice structural properties by high resolution X-ray diffraction,Journal of Vacuum Science and Technology,2012,第11作者
（7）Dark Current analysis of long wavelength InAs/GaSb superlattice infrared detectors,Proc. Of SPIE,2012,第11作者
（8）The accurate measurement of carrier concentration in short period longwave InAs/GaSb superlattice on GaSb substrates,Proc. of SPIE,2012,第11作者
（9）Novel quantum real-space transfer in semiconductor heterostructures,Proc. of SPIE,2012,第11作者
（10）半导体的异质实空间转移,固体电子学研究与进展,2012,第11作者
（11）GaSb基的InAs/GaSb II类超晶格背景载流子浓度的测量,激光与红外,2012,第11作者
（12）128X128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器,红外与毫米波学报,2012,第11作者
（13）InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器,激光与红外工程,2012,第11作者
（14）InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术,红外与毫米波学报,2011,第11作者
（15）Two-dimensional broadband distributed feedback quantum cascade laser arrays,Appl. Phys. Lett.,2011,第4作者
（16）Strategies toward the realization of two demensional broadband and cohernt quantum cascade laser arrays,Optical Engineering,2011,第11作者
（17）Room temperature operation of 3.6um InGaAs/InAlAs quantum cascade laser sources based on intracavity second harmonic generation,Appl. Phys. Lett.,2011,第3作者
（18）InAs/GaSb II类超晶格红外探测技术,激光与红外工程,2011,第1作者
（19）Broadband quantum cascade laser gain medium based on a continuous to band active region design,Appl. Phys. Lett.,2010,第4作者
（20）InGaAs/AlInAs 4.5um quantum cascade lasers grown by solid phosphorus molecular beam epitaxy,Journal of Vacuum Science and Technology,2007,第1作者
（21）Optimization of InP-based waveguide for high performance mid-infrared quantum cascade lasers,Physics of Semiconductors Pts. A aand B,2007,第3作者
（22）Surface roughness in sulfur ion-implanted InP with molecular beam epitaxy regrown double-heterojunction bipolar transistor layers,Appl. Phys. Lett.,2005,第4作者
（23）Self-heating of submicormeter InP-InGaAs DHBTs,IEEE Electron Device Letters,2004,第2作者
（24）Impact of intrabad relaxation on the performance of a quantum dot laser,IEEE J. of selected topics in quantum electronics,2003,第2作者
（25）Simultaneous two-state lasing in quantum dot lasers,Appl. Phys. Lett.,2003,第2作者
（26）Scaling quantum dot light-emitting diodes to submicrometer sizes,Appl. Phys. Lett.,2002,第2作者
（27）Tuning InAs/GaAs quantum dot properties under stranski-Krastanov growth mode for 1.3um applications,J. Applied Phys. ,2002,第1作者
（28）GSMBE growth of InP-based MSM-HEMT OEIC structures,J. Crystal Growth,2001,第1作者
（29）GSMBE growth of InP-based MSM-HEMT OEIC structures,J. Crystal Growth,2001,第1作者
（30）Matrix effects on the structural and optical properties of InAs quantum dots,Appl. Phys. Lett.,2001,第1作者
（31）Quasi CW-RT operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers,J. Crystal Growth,2001,第1作者
（32）Gas source growth of InP based microstructure: material growth, characterization and device application,Material Science and Technology,2000,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） InAs/GaSb II超晶格红外探测技术, 主持,部委级,2009-10--2014-10
（ 2 ） InAs/GaSb超晶格红外探测器研究, 主持,部委级,2012-01--2014-12
（ 3 ） HgCdTe长波红外焦平面器件研究, 主持,国家级,2013-01--2017-12
（ 4 ） II超晶格红外探测器技术研究, 主持,市地级,2009-10--2012-12
（ 5 ） 超晶格长波焦平面技术研究, 主持,国家级,2011-01--2015-12
（ 6 ） 量子实空间转移效应-理论与实践, 主持,国家级,2012-01--2016-12
（ 7 ） 超晶格红外探测材料研究, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 8 ） 新型非制冷中波红外带间级联探测器研究, 主持,国家级,2016-01--2020-12

参与会议（1）II类超晶格红外焦平面研究第8届全国激光技术与光电子学学术会议陈建新2013-03-19
（2）超晶格红外焦平面探测器研究进展第17届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 陈建新2012-11-07
（3）InAs/GaSb photodetectors grown by Molecular beam epitaxy陈建新2012-09-24
（4）MWIR and LWIR InAs/GaSb Infrared photodectors陈建新2012-09-04
（5）InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面材料与器件研究第9届全国分子束外延学术会议陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力2011-07-04
（6）InAs/GaSb type-II superlattice infrared photodetectors grown by molecular beam epitaxyJianxin Chen, Qingqing Xu, Yi Zhou, Jupeng Jin, Chun Lin and Li He2011-05-24
（7）InAs/GaSbII类超晶格红外探测器研究第16届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力2010-10-26
（8）基于量子子带跃迁的红外光电探测器第9届全国光电技术学术交流会陈建新，林春，何力2010-05-29


合作情况
项目协作单位

指导学生