基本信息
白云女硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： baiyun@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所四室
邮政编码： 100029
部门/实验室：高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085209-集成电路工程

招生方向射频、微波器件与电路集成技术


教育背景2004-09--中国科学院上海技术物理研究所博士
2001-09--河北师范大学硕士
1996-09--河北师范大学学位

学历
学位

工作经历
工作简历2010-10~现在,中国科学院微电子研究所,副研
2009-09~现在,中国科学院微电子研究所,助研
2007-09~现在,中国科学院微电子研究所,博士后
2004-09~现在,中国科学院上海技术物理研究所,博士
2001-09~现在,河北师范大学,硕士
1996-09~现在,河北师范大学,学位

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 2.2
（ 2 ） 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 4.5
（ 3 ） 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 5.3
（ 4 ） 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 1.X
（ 5 ） 一种SiC肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 1.8
（ 6 ） 一种测量高Al组分AlGaN刻蚀诱生界面态参数的方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 7.X
（ 7 ） 一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: 9.X
（ 8 ） SiC肖特基二极管及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 7.7
（ 9 ） 一种场限环结终端结构的优化设计方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 4.9


出版信息
发表论文（1）Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain,Materials Science Forum,2017,第1作者
（2）Structural Optimization of 4H-SiC BJT for Ultraviolet detection with High optical gain,Materials Science Forum,2016,第1作者
（3）Design and Optimization of AlGaN Solar-blind Double Heterojunction,Materials Science Forum,2016,第1作者
（4） Effect of Annealing on the Characteristics of Pd/Au Contacts to p-Type GaN/Al0.45Ga0.55N, Journal of Electronic Materials,2012,第1作者
（5）Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface,Applied Surface Science,2010,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 高增益碳化硅紫外光电晶体管基础问题研究, 主持,国家级,2013-01--2016-12
（ 2 ） 高增益AlGaN日盲紫外异质结光电晶体管基础问题研究, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 3 ） 1700V/30ASiC MOSFET 器件研制, 主持,省级,2017-01--2018-12
（ 4 ） 高温SiC芯片研究, 主持,国家级,2016-07--2020-12
（ 5 ） 化合物基车用芯片材料技术研究, 主持,院级,2017-01--2018-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生