基本信息
韩培德男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： pdhan@red.semi.ac.cn
通信地址： 中国科学院半导体研究所家属区
邮政编码： 100083
部门/实验室：光电子研究发展中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学

招生方向高效光伏电池与应用
光电子器件与系统
医疗传感与诊断


教育背景1989-07--1996-01奥地利维也纳科技大学工学博士
1978-01--1981-12南开大学理学学士

学历
学位

工作经历
工作简历1998-01~现在,中国科学院半导体研究所,研究员
1996-02~1997-12,中国科学院半导体研究所,博士后
1989-07~1996-01,奥地利维也纳科技大学,工学博士
1982-01~1989-06,大连海事大学,讲师
1978-01~1981-12,南开大学,理学学士

社会兼职

教授课程太阳能光伏技术与应用


专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 3.2
（ 2 ） 一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 6.3
（ 3 ） 一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: 7.6
（ 4 ） 一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法”, 2010, 第 1 作者, 专利号: 1.4
（ 5 ） 一种双结太阳电池及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 4.5
（ 6 ） 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 4.9
（ 7 ） 一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 2.9
（ 8 ） 一种具备杂质能级的晶体硅光伏电池的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 7.9
（ 9 ） 一种高倍聚光硅太阳电池及其制备方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 1.X
（ 10 ） 硼铝共掺背面场硅太阳能电池及其制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: 6.X
（ 11 ） 激光无线输能系统, 2013, 第 1 作者, 专利号: 8.X
（ 12 ） 一种硅基近红外光电探测器结构及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: 4.4
（ 13 ） 用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制造方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: 1.4
（ 14 ） 普适且输出可调的基于三极管的热敏电阻线性补偿电路, 2015, 第 2 作者, 专利号: 6.3
（ 15 ） 一种基于三极管输出特性的热敏电阻线性补偿电路, 2014, 第 2 作者, 专利号: 1.X
（ 16 ） 基于恒流模式电子负载的太阳能电池IV测试系统, 2015, 第 2 作者, 专利号: 8.5
（ 17 ） 硅电池与片式反向二极管集成的太阳电池组件及制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 5.8


出版信息
发表论文（1）Enhanced efficiency in 808 nm GaAs laser power converters via gradient doping,AIP Advances,2019-08,第11作者
（2）Experimental research on the relationship between bypass diode configuration of,Journal of Semiconductors,2018,第11作者
（3）Detection of finger interruptions in silicon solar cells using,Chin. Phys. B,2018,第11作者
（4）Antireflection and absorption properties of silicon parabolic-shaped nanocone arrays,Optik,2017,第4作者
（5）Thermal and electrical performance analysis of silicon vertical multijunction solar cell under non-uniform illumination,Renewable Energy,2016,第4作者
（6）一种基于可控电流源的太阳能电池等效模型参数测试方法,半导体技术,2015,第2作者
（7）Investigation of diffusion length distribution on polycrystalline silicon wafers via photoluminescence methods,Scientific Reports,2015,第11作者
（8）Boron implanted emitter for n-type silicon solar cell,Chin. Phys. B,2015,第11作者
（9）效率达19.1%的全离子注入单晶硅太阳电池,太阳能学报,2015,第2作者
（10）A review of concentrator silicon solar cells,Renewable Energy,2015,第2作者
（11）利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅电池转换效率,《太阳能学报》 ,2014,第2作者
（12）Annealing studies of boron implanted emitters for n-silicon solar cells,Semiconductor Science and Technology,2014,第2作者
（13）Laser beam homogenizing system design for photoluminescence,Applied Optics,2014,第3作者
（14）Metallic conduction behavior in selenium-hyperdoped silicon,Materials Science in Semiconductor Processing,2014,第2作者
（15）Optimization of the emitter region and the metal grid of a concentrator silicon solar cell,Journal of Semiconductors, Vol.34(5), pp.054005,2013,第2作者
（16）Dependence of the optoelectronic properties of selenium-hyperdoped silicon on the annealing temperature,Materials Science in Semiconductor Processing, http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2013.02008,2013,第2作者
（17）Differences in etching characteristics of TMAH and KOH on preparing inverted pyramids for silicon solar cells,Applied Surface Science, vol.264, pp.761-766,2013,第2作者
（18）Performance analysis of vertical multi-junction solar cell with front surface diffusion for high concentration,Solar Energy,2013,第2作者
（19）Structural and optoelectronic properties of selenium-doped silicon formed using picosecond pulsed laser mixing,Physica Status Solidi A, vol.27(1-6), 102002, pssa.,2012,第2作者
（20）Improved photoresponse characteristics in Se-doped Si photodiodes fabricated using picoseconds pulsed laser miscing,Semiconductor Science and Technology, vol.27, pp.102002,2012,第2作者
（21）Optical and Electrical Properties of Single-crystal Si Supersaturated with Se by Ion Implantation,Chinese Physics Letters, vol.29(9), pp.097101,2012,第2作者
（22）Effect of femtosecond laser irradiation and thermal annealing on the optoelectronic properties of silicon supersaturated with sulfur,Chinese Physics Letters, vol.29(4), 046101,2012,第2作者
（23）Investigation on deep energy level formed by Se implantation in Si,Chinese Physics Letters, vol.28(3): 036108,2011,第2作者
（24）Selenium doped silicon-on-insulator waveguide photodetector with enhance sensitivity at 1550nm,Photonics Technology Letters,2011,第2作者
（25）Electronic properties investigation of silicon supersaturated with tellurium,Applied Physics A,2011,第2作者
（26）A photonic wire-based directional coupler based on SOI,Optics Communications, vol.281: 3105-3110,2008,第2作者
（27）Optical response of high-level band gap in one-dimensional photonic crystal applying in-plane integration,Optical Engineering, vol.46: 124602,2007,第2作者
（28）Optical interleaver based on directional coupler in a 2D photonic crystal slab with triangular lattice of air holes,Optics Communications, vol.270: 203-206,2007,第2作者
（29）Self-assembling of sub-micrometer three-dimensional photonic crystals in concave micro-zones etched on silicon substrates,J.Opt.Soc.Am.A, vol.24, 231-235,2007,第2作者
（30）Micro-mould method for self-assembling three-dimensional opal photonic crystals,Journal of Physics D: Applied Physics, vol.39: 1-5,2006,第2作者
（31）Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c-faces of Al2O3 substrate,Applied Physics Letters, vol.78(25): 3974-3976,2001,第1作者
（32）A new type of dissociated misfit dislocation in ZnTe/GaAs strained-layer heterostructure,Applied Physics Letters, vol.72(9): 2424- 2426,1998,第1作者
（33）Transmission electron microscopy study of triple ribbon contrast features in a ZnTe epilayer,Philosophy Magazin Letters, vol.78 (3): 203-211,1998,第1作者

发表著作（ 1 ） 《中国材料工程大典》、“第11卷：信息功能材料工程”、“第4篇：硅基异质结构材料和器件”，第9章：硅基III-V族半导体异质结构，pp.331-341。,Chapter 9: Silicon based III-V semiconductor heterostructure,化学工业出版社,2006-03,第1作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 基于垂直多结结构的大功率激光能量接收器, 主持,国家级,2013-01--2016-12
（ 2 ） 半导体特性参数二维成像系统, 主持,国家级,2014-01--2016-12
（ 3 ） 基于离子注入的PN结/背场精密掺杂技术研究, 主持,国家级,2019-04--2022-03
（ 4 ） XXX无线传能系统研究, 参与,部委级,2017-09--2020-12
（ 5 ） XX输能接收器, 参与,部委级,2016-01--2017-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生