基本信息
王文静男博导中国科学院电工研究所
电子邮件: wangwj@mail.iee.ac.cn
通信地址: 海淀区中关村北二条6号
邮政编码: 100190
研究领域晶体硅太阳电池
薄膜硅太阳电池
异质结太阳电池
太阳电池应用
招生信息
招生专业080822-能源与电工新材料
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
招生方向晶体硅太阳电池
教育背景1991-09--1994-07中科院长春物理所博士研究生/博士学位1985-09--1988-07天津师范大学硕士研究生/硕士1978-09--1982-07南开大学本科生
学历博士
学位
出国学习工作
工作经历
工作简历2005-12~现在,中科院电工所,室主任/研究员2002-06~2005-12,北京太阳能研究所,副所长/研究员2000-06~2002-06,美国Toledo大学物理系,研究助理1999-06~2000-06,美国纽约州Wadsworth中心,研究助理1996-09~1999-06,北京市太阳能研究所,副研究员/研究实主任1994-09~1996-07,中科院化学所,博士后1988-09~1991-09,天津师范大学,工程师1982-09~1985-09,天津仪表学校,教师
社会兼职2009-07-15-今,国际半导体学会, 会员
2002-07-15-今,中国可再生能源学会, 理事
2002-07-15-今,中国可再生能源学会光伏专业委员会, 理事
教授课程能源材料与器件21世纪新能源系列讲座
专利与奖励
奖励信息(1) 中科院优秀博士论文指导教师奖, 国家级, 2014(2) 国家发改委宏观经济院优秀成果讲, 部委级, 2011(3) 国家发改委能源局优秀软课题奖, 省级, 2011(4) 中科院优秀博士论文指导教师奖, 国家级, 2011(5) 浙江省嘉兴市优秀归国人才家奖, 国家级, 2011
专利成果( 1 ) 一种生长硅基薄膜及高效硅基薄膜太阳能电池的PECVD设备, 发明, 2009, 第 2 作者, 专利号: 68( 2 ) 一种发射极环绕型太阳电池及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 1.0( 3 ) 一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法, 发明, 2009, 第 2 作者, 专利号: 6.8( 4 ) 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: 0.7( 5 ) 一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL8.5( 6 ) 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL7.6( 7 ) 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL6.1( 8 ) 一种肖特基背结硅太阳能电池, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: ZL9.4( 9 ) 一种提高晶硅太阳电池效率的发射极结构, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL5.X( 10 ) 一种TiO2纳米带的制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL5.1( 11 ) 多种复杂三维TiO2纳米材料及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL7.0( 12 ) 一种菊花状三维TiO2纳米材料及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL4.7( 13 ) 一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL6.4( 14 ) 一种用于薄膜太阳电池的陷光结构, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL9.8( 15 ) 一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法, 发明, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL4.4( 16 ) 一种锐钛矿TiO2纳米线的制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL3.9( 17 ) 一种具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的制备方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL7.7( 18 ) 一种(001)面锐钛矿TiO2单晶的制备方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL3.9( 19 ) 一种制备锐钛矿TiO2单晶的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL2.5( 20 ) 一种窗格状TiO2材料及其制备方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL0.5( 21 ) 一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: ZL0.4( 22 ) 一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL9.9( 23 ) 一种AZO减反射膜制备方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: ZL 0.5( 24 ) 一种硅基介质膜的制备方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL2.3( 25 ) 一种制备太阳电池单面薄膜的电化学设备, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: ZL1.7( 26 ) 一种太阳电池制备用的前级真空泵保护装置, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: ZL9.4( 27 ) 阻止过镀的双层薄膜及其制备方法和应用, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL2.7( 28 ) 一种太阳能电池AZO减反射膜制备方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL6.4
出版信息
发表论文(1)Theory simulation and experimental comparison of laser ablation of monocrystalline silicon solar cells,Acta Energiae Solaris Sinica,2102,通讯作者(2)Influence of Nickel Silicide Thin Film on Series Resistance of Silicon Solar Cells,CURRENT NANOSCIENCE,2102,通讯作者(3)Characterization of the nanosized porous structure of black Si solar cells fabricated via a screen printing process,Journal of Semiconductors,2102,通讯作者(4)Hydrogenated amorphous silicon germanium alloy with enhanced photosensitivity prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition at high temperature,VACUUM(ISSN: 0042-207X) Vol: 89 ,2013,通讯作者(5)Optical enhancement by back reflector with ZnO:Al2O3(AZO) or NiCr diffusion barrier for amorphous silicon germanium thin film solar cells,VACUUM(ISSN: 0042-207X) Vol: 89 ,2013,第4作者(6)Optimized analysis and experimental study for two-layer contact of crystalline silicon solar cells,ACTA PHYSICA SINICA(ISSN: 1000-3290)Vol.61 No.3 ,2012,通讯作者(7)High-performance a-SiGe:H thin film prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition with high plasma power for solar-cell application,Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, v 209, n 12, ,2012,通讯作者(8)Wide bandgap p-type window layer prepared by trimethylboron doping at high temperature for a-Si:H superstrate solar cell,Journal of Non-Crystalline Solids,2012,通讯作者(9)Analytical solution for the photocurrent of solar cells with internal reflection,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2012,通讯作者(10)Co-optimization of emitter profile and metal grid of selective emitter silicon solar cells,PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS,2012,通讯作者(11)A New Attempt at Alkaline Texturization of Monocrystaline Silicon with Anionic Surfactant as the Additive,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2012,第2作者(12)沉积温度对PECVD制备SiNx:H薄膜特性的影响,物理化学学报,2011,通讯作者(13)Theoretical investigation on the absorption enhancement of the crystalline silicon solar cells by pyramid texture coated with SiNx:H layer,Solar Energy,2011,通讯作者(14)nvestigation of deposition parameter effects on energy bandgap of silicon thin film prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition via factorial experiment,Advanced Materials Research,2011,通讯作者(15)Characterization on the passivation stability of HF aqueous solution treated silicon surfaces for HIT solar cell application by the effective minority carrier lifetime measurement,Chinese Journal of Physics,2010,通讯作者(16)A highly efficient light-trapping structure for thin-film silicon solar cells,Solar Energy,2010,通讯作者(17)Comparative study of the surface passivation on crystalline silicon by silicon thin films with different structures,Physica,2010,通讯作者(18)单晶硅表面均匀小尺寸金字塔制备及其特性研究,物理学报,2010,通讯作者(19)Flower-like TiO2 nanostructures with exposed {001} facets: Facile synthesis and enhanced photocatalysis,chemical communications, Nanoscale,2010,通讯作者(20)Fabrication of micrometer-scale spherical titanate nanotube assemblies with high specific surface area,Materials Letters,2010,通讯作者(21)Fabrication and Characteristics of Three-Dimensional Flower-Like Titanate Nanostructures,ournal of Nanoscience and Nanotechnology,2010,通讯作者(22)Anatase TiO2 single crystals with exposed {001} and {110} facets: facile synthesis and enhanced photocatalysisw,chemical communications,2010,通讯作者(23)Optimized resistivity of p-type Si substrate for HIT solar cell with Al back surface field by computer simulation,Solar Energy,2009,通讯作者(24)Excellent Passivation of p-Type Si Surface by Sol-Gel Al2O3 Films,CHIN. PHYS. LETT,2009,通讯作者(25)Influence of Ring Oxidation-Induced Stack faults on Efficiency in Silicon Solar Cell,Chinese Physics Letter,2008,通讯作者(26)Role of Work Function of Transparent Conductive Oxide on the Performance of Amorphous/crystalline Silicon Heterojuction Solar Cells studied by Computer Simulation,Phys. Stat. Sol,2008,通讯作者(27)Design Optimization of Bificial HIT Solar Cell on P-type Silicon Substrate by Simulation,Solar Energy Material and Solar Cells,2008,通讯作者(28)a-Si(n)/c-Si(p)异质届衬底太阳电池薄膜硅背场的模拟优化,物理学报,2008,通讯作者
发表著作( 1 ) 光伏技术与工程手册,Handbook of Photovoltac Science and Engineering,机械工业出版社,2011-05,第1作者( 2 ) 光伏产业路线图,机械工业出版社,2012-02,第3作者( 3 ) 太阳电池及其应用,化学工业出版社,2013-11,第1作者( 4 ) 晶体硅太阳电池制造技术,机械工业出版社,2013-12,第1作者
科研活动
科研项目( 1 ) MW级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化技术的研究, 主持,国家级,2012-01--2014-12( 2 ) 高效刻槽埋栅晶体硅太阳电池产业化技术的研究, 参与,国家级,2007-01--2009-12( 3 ) 高效黑硅复合太阳能电池的研究, 参与,国家级,2010-01--2011-12( 4 ) 带隙可调非晶硅锗材料的研究, 参与,国家级,2011-01--2015-12( 5 ) 激光掺杂高效晶体硅太阳能电池的研究, 参与,省级,2011-01--2012-12( 6 ) 共建中科院电工所桐乡新能源工程中心项目, 主持,省级,2008-08--2012-12( 7 ) 共建电工所山西融高公司“硅片与太阳电池工艺联合实验室”, 主持,研究所(学校),2011-01--2013-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生已指导学生
刘敏博士研究生080805-电工理论与新技术
曹晓宁硕士研究生080805-电工理论与新技术
张俊硕士研究生080805-电工理论与新技术
欧伟英博士研究生080805-电工理论与新技术
闻震利博士研究生080805-电工理论与新技术
李涛博士研究生080805-电工理论与新技术
黄芳博士研究生080805-电工理论与新技术
王革硕士研究生430108-电气工程
陈静伟博士研究生080822-能源与电工新材料
周肃博士研究生080822-能源与电工新材料
汤叶华博士研究生080822-能源与电工新材料
闫保军博士研究生080822-能源与电工新材料
陈东坡博士研究生080822-能源与电工新材料
向昱任博士研究生0808Z2-能源与电工新材料
现指导学生
贾晓洁博士研究生0808Z2-能源与电工的新材料及器件
李海玲博士研究生0808Z2-能源与电工的新材料及器件
贾恩东博士研究生0808Z2-能源与电工的新材料及器件
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基本信息王晓晨女博导中国科学院生物物理研究所电子邮件:wangxiaochen@ibp.ac.cn通信地址:北京市朝阳区大屯路15号邮政编码:102206研究领域凋亡细胞的吞噬及降解过程是整个细胞凋亡程序中不可缺少的一环,它在组织重塑,炎症抑制和免疫应答调控中起着重要的作用。对死细胞清除的障碍会引起诸如哮喘、类风湿性关节炎和狼疮等炎症疾病和自身免疫紊乱。利用秀丽隐杆线虫作为模式动物,我们实验室运用 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-27中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-王晓彬
基本信息王晓彬女硕导中国科学院云南天文台电子邮件:wangxb@ynao.ac.cn通信地址:云南省昆明市东郊云羊方旺396号邮政编码:650216研究领域招生信息招生专业070401-天体物理招生方向行星物理教育背景1999-09--2003-07云南天文台天体物理学博士1996-09--1999-06云南天文台天体测量学硕士1984-09--1988-07北京师范大学理学学士学历北京师范大学- ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-27中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-王晓
基本信息王晓女数学科学学院电子邮件:wangxiao@ucas.ac.cn通信地址:北京市石景山区玉泉路19号(甲)中国科学院大学数学科学学院邮政编码:100049部门/实验室:数学科学学院研究领域非线性优化教育背景2007.09-2012.07博士中科院数学与系统科学研究院计算数学所(导师:袁亚湘院士)2003.09-2007.06学士山东大学数学基地班工作经历2017.11-副教授,中国科学院 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-27中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-王晓东
基本信息王晓东男博导中国科学院半导体研究所电子邮件:xdwang@semi.ac.cn通信地址:半导体所3号楼301邮政编码:100083部门/实验室:集成技术中心研究领域高效太阳能电池,纳米热电器件,量子点光电器件,半导体微纳加工技术招生信息现招收硕士及博士研究生,欢迎有志于半导体工艺、器件及模块研究方面的同学报考。招生专业080903-微电子学与固体电子学085208-电子与通信工程招生方向高 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-27