基本信息
王曦男博导中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： xwang@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海长宁路865号
邮政编码：

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向SOI材料与器件，高端硅基材料


教育背景1990-06--1993-05中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士学位
1987-09--1990-05中国科学院上海微系统与信息技术研究所硕士学位
1983-09--1987-06清华大学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2010-07~现在,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,所长
1996-05~1998-06,德国罗森多夫研究中心,“洪堡”
1993-07~1994-05,澳大利亚联邦科学与工业研究院,访问
1993-06~现在,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,助理研究员、副研究员、研究员
1990-06~1993-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,博士学位
1987-09~1990-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,硕士学位
1983-09~1987-06,清华大学,学士学位

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 上海市科技功臣奖, 省级, 2017
（2） 何梁何利基金科学与技术进步奖, , 其他, 2008
（3） 中国科学院杰出科技成就奖, , 院级, 2007
（4） 国家科学技术进步奖, 一等奖, 国家级, 2006
（5） 上海市科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2005
（6） 中国科学院发明奖, 二等奖, 院级, 1997
（7） 中国科学院自然科学奖, 三等奖, 院级, 1992

专利成果（ 1 ） 硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及制作方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN4
（ 2 ） 基于硅硅键合和绝缘层上硅的压力传感器芯片及方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN5
（ 3 ） 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070636
（ 4 ） 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070642
（ 5 ） 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070643
（ 6 ） 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070650
（ 7 ） 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070653
（ 8 ） 一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 2.9
（ 9 ） 一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 3.3
（ 10 ） 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 4.8
（ 11 ） 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 4.x
（ 12 ） 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 3.4
（ 13 ） 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 3.4
（ 14 ） 一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法, 2009, 第 5 作者, 专利号: 5.3
（ 15 ） 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL5.0
（ 16 ） 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: ZL8.3
（ 17 ） 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途, 2004, 第 5 作者, 专利号: ZL9.6
（ 18 ） 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL**.4
（ 19 ） 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL**.6
（ 20 ） 绝缘体上锗硅衬底的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL2.5
（ 21 ） 一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: 7.7
（ 22 ） 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 5.8
（ 23 ） 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 6.7
（ 24 ） 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL6.4
（ 25 ） 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料, 2006, 第 3 作者, 专利号: ZL4.6
（ 26 ） 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法, 2005, 第 3 作者, 专利号: L6.3
（ 27 ） 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法, 2003, 第 4 作者, 专利号: ZL**.4
（ 28 ） 鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置, 2003, 第 3 作者, 专利号: ZL**.6
（ 29 ） 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL**.1
（ 30 ） 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL**.5
（ 31 ） 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法, 2003, 第 2 作者, 专利号: ZL**.7
（ 32 ） 全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070633
（ 33 ） 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/070645
（ 34 ） 一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB
（ 35 ） 锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: CNB
（ 36 ） 混合共平面衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB
（ 37 ） 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB
（ 38 ） 一种可控石墨烯阵列的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB
（ 39 ） 一种制备GOI的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB
（ 40 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅 基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB
（ 41 ） 一种图形化绝缘体上Si/CoSi2 衬底材料及其制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: B
（ 42 ） 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 9
（ 43 ） 一种CMOS器件及其制 作方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: 9
（ 44 ） 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN B
（ 45 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN B
（ 46 ） 一种降低Si表面粗糙度的方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN B
（ 47 ） 硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB
（ 48 ） 一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB


出版信息
发表论文（1）Fabrication of radiation hardened SOI with embedded Si nanocrystal by ion-cut technique,Journal of Vacuum Science and Technology B,2017,第8作者
（2）Radio-Frequency Characteristics of Partial Dielectric Removal HR-SOI and TR-SOI Substrates,Chinese Physics Letters,2017,第7作者
（3）Investigation on thermodynamics of ion-slicing of GaN and heterogeneously integrating high-quality GaN films on CMOS compatible Si(100) substrates,SCIENTIFIC REPORTS,2017,第10作者
（4）Defect formation in MeV H+ implanted GaN and 4H-SiC investigated by cross-sectional Raman spectroscopy,NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND,2017,第10作者
（5）Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties,Nano Research,2017,第10作者
（6）Defects induced by MeV H+ implantation for exfoliating of free-standing GaN film,Applied Physics A: Materials Science & Processing,2017,第10作者
（7）Robust ultra-low-friction state of graphene via moire′ superlattice confinement,Nature Communications,2017,第10作者
（8）Exceptional transport property in a rolled-up germanium tube,Applied Physics Letters,2017,第7作者
（9）Germanium-Assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices,Small,2017,第9作者
（10）Multiband Hot Photoluminescence from Nanocavity-Embedded Silicon Nanowire Arrays with Tunable Wavelength,Nano Letters,2017,第9作者
（11）Wrinkled Single-Crystalline Germanium Nanomembranes for Stretchable Photodetectors,IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2017,第8作者
（12）Routing Light with Ultrathin Nanostructures Beyond the Diffraction,Optics Express,2016,第7作者
（13）High-Efficiency Vertical Light Emission through a Compact Silicon Nanoantenna Array,ACS Photonics,2016,第9作者
（14）High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect,Journal of Vacuum Science and Technology B,2016,第8作者
（15）Flexible and ion-conducting membrane electrolytes for solid-state lithium batteries: Dispersion of garnet nanoparticles in insulating polyethylene oxide,Nano Energy,2016,第8作者
（16）High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect,Journal of Vacuum Science & Technology B,2016,第8作者
（17）How Graphene Islands Are Unidirectionally Aligned on the Ge(110) Surface,Nano Letters,2016,第10作者
（18）Tunable, broadband and high-efficiency Si/Ge hot luminescence with plasmonic nanocavity array,Journal of Applied Physics,2016,第8作者
（19）SRAM cell with asymmetric pass-gate nMOSFETs for embedded memory applications,Electronics Letters,2016,第5作者
（20）Floating body gate cell with fast write speed for embedded memory applications,Electronics Letters,2016,第6作者
（21）Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate,Journal of Materials Chemistry B,2015,第4作者
（22）Effect of Sn implantation on thermal stability improvement of NiSiGe,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms,2015,第4作者
（23）Synthesis of layer-tunable graphene by ion implantation into Ni/Cu bilayer substrate,13th International Conference on Plasma Based Ion Implantation Deposition （特邀报告），Buenos Aires,2015,第3作者
（24）Synthesis of layer-tunable graphene: A combined kinetic implantation and thermal ejection approach,Advanced Functional Materials,2015,第4作者
（25）Determinis tic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions,Small,2015,第4作者
（26）Fluorinated Graphene in Interface Engineering of Ge-Based Nanoelectronics,Advanced Functional Materials,2015,第4作者
（27）Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure,Applied Surface Science,2015,第4作者
（28）Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstructured Si (001) substrates,Chinese Physics B,2015,第4作者
（29）CVD growth of graphene on NiTi alloy for enhanced biological activity,ACS Applied Materials and Interfaces,2015,第4作者
（30）Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure,Applied Surface Science,2015,第4作者
（31）Pattern transition from nanohoneycomb to nanograss on germanium by gallium ion bombardment,Chinese Physics B,2015,第4作者
（32）Fabrication of high quality GaAs-on-insulator via ion-cut of epitaxial GaAs/Ge heterostructure,Applied Surface Science,2015,第4作者
（33）Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach,Applied Physics Letters,2015,第4作者
（34）Impact of an ultra-thin Ti interlayer on the formation of NiSiGe/SiGe,Microelectronic Engineering,2015,第4作者
（35）Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy,Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy,2015,第4作者
（36）Graphene film-functionalized germanium as a chemically stable, electrically conductive, and biologically active substrate,Journal of Materials Chemistry B,2015,第4作者
（37）Strain redistribution in free-standing bridge structure released from strained silicon-on-insulator,Applied Physics Letters,2014,第4作者
（38）Antibacterial activity of large-area monolayer graphene film manipulated by charge transfer,Scientific Reports,2014,第4作者
（39）Fabrication of ultra-thin strained silicon on insulator by He implantation and ion cut techniques and characterization,Thin Solid Films,2014,第4作者
（40）Antibacterial activity of large-area monolayer graphene film manipulated by charge transfer,Scientific Reports,2014,第4作者
（41）Study of Ge loss during Ge condensation process,Thin Solid Films,2014,第4作者
（42）Three dimensional strain distribution of wrinkled silicon nanomembranes fabricated by rolling-transfer technique,Applied Physics Letters,2013,第4作者
（43）Influence of He implantation dose on strain relaxation of pseudomorphic SiGe/Si heterostructure,Thin Solid Films,2013,第4作者
（44）Direc t Growth of Graphene Film on Germanium Substrate,Scientific Reports,2013,第4作者
（45）Sharp crack formation in low fluence hydrogen implanted Si0.75Ge0.25/B doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructure,Applied Physics Letters,2013,第4作者
（46）Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD,Chinese Science Bulletin,2012,第4作者
（47）RBS-channeling in characterizing H-platelet and dynamic annealing effect in H-implanted Si,The 22nd International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry （特邀报告），Fort Worth,2012,第3作者
（48）Optical Beam Steering Based on the Symmetry of Resonant Modes of Nanoparticles,Physical Review Letters,2011,第11作者
（49）Silicon-on-Insulator-on-Cavity-Structured Micro pressure Sensor,SENSORS AND MATERIALS,2011,第11作者
（50）Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 Contacts by C+ Pre-Implantation,Electrochemical and Solid-State Letters,2011,第11作者
（51）Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy,Applied Physics Letters,2011,第11作者
（52）High mobility strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/Metal-Gate,Solid State Electronics,2011,第11作者
（53）Epitaxial growth of fully relaxed SiGe on SOI substrate,Applied Surface Science,2011,第11作者
（54）Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O implantation,Chinese Science Bulletin,2011,第11作者
（55）Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing,Applied Physics Express,2011,第11作者
（56）Three-Dimensional Carrier Profi ling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy,Advanced Materials,2010,第11作者
（57）Millimeter-scale self-collimation in planar photonic crystals fabricated by CMOS technology,Optics Communications,2010,第11作者
（58）Self-Collimation in Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology,Chinese Physics Letters,2010,第11作者
（59）Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers,Solid State Electronics,2010,第2作者
（60）Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer,Journal of The Electrochemical Society,2010,第11作者
（61）Carrier Profiling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy,Nano Letters ,2010,第11作者
（62）Self-Collimation In Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology,Chinese Physics Letters,2010,第3作者
（63）TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap,Microelectronics Journal ,2009,第2作者
（64）Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Silicon-on-Insulator,Modern Physics Letters B,2009,第3作者
（65）Three-dimensional tapered spot-size converter based on (111) silicon-on-insulator,Photonics Technology Letters,2009,第4作者
（66）The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers,Applied Physics Letters,2009,第11作者
（67）Practical considerations in the design of SRAM cells on SOI,Microelectronics Journal,2008,第11作者
（68）Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium,Applied Physics Letters,2008,第11作者
（69）Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics,Thin Solid Films,2008,第11作者
（70）Fabrication of thin film silicon on insulator by separation by implanted oxygen layer transfer,Journal of Vacuum Science and Technology B,2008,第11作者
（71）Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes,Solid-State Electronics,2008,第4作者
（72）Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET,Chinese Physics C,2008,第11作者
（73）Research on metastable electron traps in the modified SOI materials induced by Si ion implantation,Journal of Vacuum Science and Technology A,2008,第11作者
（74）Effect of nanoclusters induced by Si implantation on total dose radiation response of a SOI wafer,Semiconductor Science and Technology,2008,第4作者
（75）Study on the orientation of silver films by ion-beam assisted deposition,Applied Surface Science,2008,第4作者
（76）New technology for fabricating a thin film/thick BOX silicon-on-insulator,Chinese Journal of Semi- conductors,2008,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 半导体材料, 主持,国家级,2014-01--2016-12

参与会议（1）Integration of LaLuO3/TiN Gate Stack in Strained-SiGe p-MOSFETsW. Yu, B. Zhang, Q.T. Zhao, J.-M. Hartmann, D. Buca, A. Nichau, J.M. J. Lopes, J.Schubert2010-12-01
（2）Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer TransferWei X, Zhang B, Chen M, Zhang M, Wang X, Lin CL2008-10-06
（3）Industrial SOI Technology by Ion ImplantationXi Wang2008-08-31
（4）Investigation of SOI materials fabricated by etch stop thinning processWei X, Zhang M, Wang X, Chen M2008-07-28


合作情况
项目协作单位

指导学生