1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、科研活动7、合作情况8、指导学生
基本信息
陈健 男 博导 中国科学院合肥物质科学研究院
电子邮件： jchen@ipp.ac.cn
通信地址： 中国安徽合肥蜀山湖路350号
邮政编码： 230031
研究领域

1. Al-Si合金法提纯太阳级硅料技术和理论
2. 锂电池负极用纳米硅材料的制备和应用理论
3. 石英砂和钾长石矿提纯技术和理论
4. 太阳级硅料铸锭，切割，制绒的技术和理论

招生信息
招生专业080501


招生方向太阳能级硅材料提纯理论与技术

教育背景1992-09--1995-09 中国科学院金属研究所 博士
1989-09--1992-07 中国科学院金属研究所 硕士
1985-09--1989-07 中南大学 学士

工作经历

工作简历2011-02~现在, 中国科学院合肥物质科学研究院, 研究员
2007-05~2011-01,加拿大6N 硅业/美国CALISOLAR 太阳能公司, 研发科学家
2005-05~2007-04,加拿大国防研发部, 研究科学家
2002-05~2005-04,加拿大DALHOUSIE 大学, 博士后
1999-10~2002-04,美国肯塔基州西南铝业技术中心(SECAT INC.), 材料工程师
1998-11~1999-11,美国肯塔基大学, 博士后
1996-11~1998-11,中南大学粉末冶金研究所, 副研究员/研究室主任
1995-10~1996-10,韩国机械研究院, 客座研究员
1992-09~1995-09,中国科学院金属研究所, 博士
1989-09~1992-07,中国科学院金属研究所, 硕士
1985-09~1989-07,中南大学, 学士

专利与奖励

奖励信息（1）日本学术振兴会奖学金,院级,1999
（2）中韩交流计划奖学金,院级,1995


专利成果（ 1 ）Use Of Acid Washing To Provide Purified Silicon Crystals,发明,2009,第 1 作者,专利号: WO**， EP**, CN**, CA**, KR**, JP**
（ 2 ）利用Al-Si合金熔体连铸硅提纯装置及方法,发明,2014,第 1 作者,专利号: **22
（ 3 ）电磁搅拌硅合金熔体硅提纯装置及方法,发明,2014,第 1 作者,专利号: **11
（ 4 ）一种对Al-Si合金通气处理快速去除硅中磷的方法,发明,2014,第 1 作者,专利号: **3.4
（ 5 ）一种对Al-Si合金通气处理快速去除硅中硼的方法,发明,2014,第 2 作者,专利号: **8.8
（ 6 ）一种从硅合金熔体中半连续结晶提纯硅的方法,发明,2014,第 1 作者,专利号: **5.3
（ 7 ）一种用合金法高效去除硅中的磷的方法,发明,2014,第 1 作者,专利号: **1.7
（ 8 ）一种利用Al-Si合金机械搅拌去除Si中杂质P的方法,发明,2014,第 1 作者,专利号: **4.4
（ 9 ）一种低温去除硅中硼磷的方法,发明,2013,第 2 作者,专利号: **0

科研活动

科研项目（ 1 ）合金法提纯硅时硼与合金元素的交互作用及去除动力学的研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 2 ）高效低成本冶金法太阳能级硅提纯技术和应用机理研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
（ 3 ）合金直拉法制备太阳级硅过程中B、P杂质相重构及迁移机制研究, 参与, 国家级, 2015-01--2017-12


发表论文1. Boyuan Ban, Jingwei Li, Xiaolong Bai, Qiuxiang He, Jian Chen, Songyuan Dai, Mechanism of B removal by solvent refining of silicon in Al–Si melt with Ti addition, Journal of Alloys and Compounds, Volume 672, 5 July 2016: 489–496

2. Yanlei Li, Boyuan Ban, Jingwei Li, Taotao Zhang, Xiaolong Bai, Jian Chen and Songyuan Dai, Effect of Cooling Rate on Phosphorus Removal During Al-Si Solvent Refining, Metallurgical and Materials Transactions B, 2015, 46(2): 542-544.

3. Boyuan Ban, Yanlei Li, Qiuxia Zuo, Taotao Zhang, Jian Chen, Songyuan Dai, Refining of metallurgical grade Si by solidification of Al–Si melt under electromagnetic stirring, Journal of Materials Processing Technology, 2015, 222:142-147.

4. Boyuan Ban, Xiaolong Bai, Jingwei Li, Yanlei Li, Jian Chen, and Songyuan Dai, The Mechanism of P Removal by Solvent Refining in Al-Si-P System, Metallurgical and Materials Transactions B, 2015, 46: 2430-2437.

5. Xiaolong Bai, Jingwei Li, Zhiqiang Fu, Yanlei Li, Boyuan Ban, Taotao Zhang, Zhijian Peng, Chengbiao Wang and Jian Chen, Distribution of Al in Al–Si Alloys during electromagnetic continuous casting with cylindrical open ended crucible, International Journal of Cast Metals Research, V28, (2015), 269-275.

6. Yanlei Li, Jian Chen, Boyuan Ban, Taotao Zhang and Songyuan Dai, Effect of Cooling Rate on Boron Removal and Solidification Behavior of Al-Si Alloy. High Temperature Materials and Processes， 2015, 34(1): 43-49.

7. Jingwei Li, Xiaolong Bai, Yanlei Li, Boyuan Ban, Jian Chen, Effect of Ga addition on morphology and recovery of primary Si during Al-Si alloy solidification refining. High Temperature Materials and Processes, 2015, 34(8): 833-838.

8. Jingwei Li, Boyuan Ban, Yanlei Li, Xiaolong Bai, Taotao Zhang, Jian Chen, Removal of impurities from metallurgical grade silicon during Ga-Si solvent refining, Silicon, DOI: 10.1007/s12633-014-9269-0.

9. M. Wang, X. Pan, J. Chen, S. Dai, Regulating the mesogenic properties of imidazolium salts by modifying N3-substituents, Science China Chemistry, December 2015 Vol.58 No.12: 1884–1890

10. 王猛, 潘旭, 戴松元, 陈健, 分子间作用力对咪唑盐介晶相性质的影响, 物理化学学报, 2015, 31 (4), 653-659