1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
成步文 男 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： cbw@semi.ac.cn
通信地址： 北京912信箱
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向硅基光子学

教育背景

学历

学位
工作经历

工作简历

社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）硅基锗激光器及其制备方法,2013,第 2 作者,专利号: **5.0
（ 2 ）一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法,2011,第 2 作者,专利号: **5.1

出版信息

发表论文（1） Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge p-i-n ridge waveguide on Si(001) substrate, Applied Physics Letters, 2014, 第 5 作者
（2） Effects of rapid thermal process temperatures on strain and Si concentration distributions in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth, ECS solid state letters, 2014, 第 5 作者
（3） Compact two-mode (de)multiplexer based on symmetric Y-junction and Multimode interference waveguides, Optics Express, 2014, 第 5 作者
（4） Comparative studies of clustering effect, electronic and optical properties for GePb and GeSn alloys with low Pb and Sn concentration, Physica B, 2014, 第 5 作者
（5） Structural and optical properties of (Sr,Ba)2SiO4:Eu2+ thin films grown by magnetron sputtering，Journal of Luminescence, Journal of Luminescence, 2014, 第 4 作者
（6） Sixteen-element Ge-on-SOI PIN photo-detector arrays for parallel optical interconnects, Chin. Phys. B, 2014, 第 4 作者
（7） Zero-bias high-responsivity high-bandwidth top-illuminated germanium p–i–n photodetectors, Chin. Phys. B, 2014, 第 4 作者
（8） High-responsivity GeSn short-wave infrared p-i-n photodetectors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 3 作者
（9） Room temperature photoluminescence of Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第 5 作者
（10） High-Bandwidth and High-Responsivity Top-Illuminated Germanium Photodiodes for Optical Interconnection, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2013, 第 4 作者
（11） Ge(001) 衬底上分子束外延生长高质量的Ge1？xSnx 合金, 物理学报, 2013, 第 5 作者
（12） 掺杂对多层Ge/Si(001) 量子点光致发光的影响, 物理学报, 2013, 第 5 作者
（13） Full-Field Strain Mapping at a Ge/Si Heterostructure Interface, Materials, 2013, 第 5 作者
（14） Room temperature direct-bandgap electroluminescence from n-type strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells, Applied Physics Letters, 2012, 第 5 作者
（15） Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping, Optics Express, 2012, 第 5 作者
（16） Epitaxy of In0.01Ga0.99As on Ge/offcut Si (001) virtual substrate, Thin Solid Films, 2012, 第 5 作者
（17） Room-temperature direct-bandgap photoluminescence from strain-compensated Ge/SiGe multiple quantum wells on silicon, Chinese Physics B, 2012, 第 5 作者
（18） Ge-on-Si for Si-based integrated materials and photonic devices, Front. Optoelectronics, 2012, 第 5 作者
（19） Remarkable Franz-Keldysh Effect in Ge-on-Si p-i-n Diodes, CHIN. PHYS. LETT., 2012, 第 5 作者
（20） GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离, 物理学报, 2012, 第 5 作者
（21） Enhanced photoluminescence of multilayer Ge quantum dots on Si(001) substrates by increased overgrowth temperature, Nanoscale Research Letters, 2012, 第 5 作者
（22） Design of waveguide integrated Ge-quantum-well electro-absorption modulators, Chinese Physics Letter, 2011, 第 5 作者
（23） GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection, Optics Express, 2011, 第 2 作者
（24） Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100), Chinese Physics B, 2011, 第 5 作者
（25） The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys, Solid State Communications, 2011, 第 5 作者
（26） Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing, Applied Surface Science, 2011, 第 5 作者
（27） Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 5 作者
（28） Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜, 物理学报, 2011, 第 5 作者
（29） Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2011, 第 5 作者
（30） Efficient 1.53um emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer substrate, Materials Research Bulletin, 2011, 第 5 作者
（31） Si nanopillar arrays with nanocrystals produced by template-induced growth at room temperature, Chinese Physics B, 2011, 第 5 作者
（32） Formation of rippled surface morphology during Si/Si(100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition, Chinese Physics B, 2011, 第 5 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）硅基锗材料外延及其相关器件基础研究, 主持, 国家级, 2011-01--2014-12
（ 2 ）硅基锗锡合金材料外延生长机理研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
（ 3 ）硅基集成100Gb/s相干接收和传输芯片技术, 参与, 国家级, 2011-10--2014-10
（ 4 ）硅基GeSn合金的外延生长及其应用研究, 主持, 研究所（学校）, 2011-07--2013-06
（ 5 ）硅基光互联关键器件研制, 主持, 研究所（学校）, 2012-11--2013-11
（ 6 ）硅基高速光接收机集成芯片基础研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生