基本信息
刘兴昉 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： liuxf@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080501


招生方向碳化硅，石墨烯，电力电子

教育背景2004-09--2007-07 中国科学院半导体研究所 博士研究生
2001-09--2004-07 中南大学 硕士研究生
1995-09--1999-07 中南大学 本科学士


学历

学位
工作经历

工作简历2007-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 科研
2004-09~2007-07,中国科学院半导体研究所, 博士研究生
2001-09~2004-07,中南大学, 硕士研究生
1995-09~1999-07,中南大学, 本科学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）北京市产品质量创新成果奖,省级,2012


专利成果（ 1 ）一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法,实用新型,2013,第 1 作者,专利号: **2.9
（ 2 ）连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置,发明,2013,第 1 作者,专利号: **4.7
（ 3 ）碳化硅PIN 微结构的制作方法,发明,2013,第 4 作者,专利号: **1.6
（ 4 ）沟槽型MOS 势垒肖特基二极管及制作方法,发明,2013,第 4 作者,专利号: **3.9
（ 5 ）HTCVD法碳化硅晶体生长装置,发明,2013,第 1 作者,专利号: **0.8
（ 6 ）沟槽型MOS势垒肖特基二极管,实用新型,2014,第 4 作者,专利号: **0.8
（ 7 ）用于碳化硅生长的高温装置及方法,发明,2015,第 1 作者,专利号: **2.X
（ 8 ）塔式多片外延生长装置,发明,2014,第 1 作者,专利号: **1.X
（ 9 ）悬挂式双面外延生长装置,发明,2014,第 1 作者,专利号: **3.1
（ 10 ）用于MEMS器件的大面积3C－SiC薄膜的制备方法,发明,2008,第 1 作者,专利号: **9
（ 11 ）一种碳化硅薄膜生长设备,实用新型,2014,第 1 作者,专利号: **1.X

出版信息

发表论文（1） Surface Evolution of Nano-Textured 4H-SiC Homoepitaxial Layers after High Temperature Treatments: Morphology Characterization and Graphene Growth, naomaterials, 2015, 第 1 作者
（2） Effect of Growth Pressure on Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates by Using Ethene Chemical Vapor Deposition, Materials, 2015, 第 通讯作者 作者
（3） Effect of hydrogen flow on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on Si(111) substrates, Applied Surface Science, 2015, 第 5 作者
（4） The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 5 作者
（5） Growth of Hexagonal Columnar Nanograin Structured SiC Thin Films on Silicon Substrates with Graphene -Graphitic Carbon Nanoflakes Templates from Solid Carbon Sources, Materials, 2013, 第 1 作者
（6） Surface saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown on Si-(100) substrates, Chinese Physics B, 2013, 第 1 作者
（7） Growth of 4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4 degrees off-axis substrates, Applied Surface Science, 2013, 第 5 作者
（8） Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces, Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2013, 第 4 作者
（9） Effect of MoO3-doped PTCDA as buffer layer on the performance of CuPc/C60 solar cells, Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2013, 第 5 作者
（10） ITO-free and air stable organic light-emitting diodes using MoO3:PTCDA modified Al as semitransparent anode, RSC Advances, 2013, 第 5 作者
（11） Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4 degrees off-Axis Substrates in a SiH4-C2H4-H2 System, Chinese Physics Letters, 2013, 第 通讯作者 作者
（12） High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions, Chinese Physics B, 2013, 第 5 作者
（13） Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates, Journal of Physics D-Applied Physics, 2012, 第 4 作者
（14） Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in AlAs/In0.53Ga0.47As/ InAs resonant tunneling diodes, Nanoscale Research Letters, 2011, 第 3 作者
（15） Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement, Chinese Physics B, 2011, 第 2 作者
（16） Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates, Chinese Physics B, 2010, 第 2 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）4H碳化硅PNPN自支撑复合膜的HTCVD生长研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 2 ）用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究, 主持, 省级, 2013-01--2015-12
（ 3 ）外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究, 主持, 市地级, 2008-10--2010-10
（ 4 ）先进功率半导体材料与器件研究, 主持, 院级, 2010-05--2012-05
（ 5 ）分布式智能电网关键技术研究, 参与, 部委级, 2009-10--2012-09
（ 6 ）半绝缘碳化硅基外延材料及功率器件研究, 参与, 省级, 2009-07--2010-08
（ 7 ）大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统, 参与, 部委级, 2007-10--2009-09
（ 8 ）氮化物光电器件的石墨烯薄膜结构外延、掺杂和耦合机理研究, 主持, 市地级, 2015-01--2016-12
（ 9 ）4H/3C/6H碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究, 主持, 国家级, 2016-01--2019-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生